【一周热点】本土先进封装扩产；俄罗斯光刻机密集突破；NAND供需状况解读

据不完全统计，仅在今年5月至7月短短数月间，国内便涌现出近十个重磅先进封装扩产项目，累计披露的投资总额已逼近400亿元人民币。从长三角的龙头重金布局，到大湾区、大西南的产业链填补，本土先进封装，正以势不可挡的姿态开启“疯狂扩产”模式。

其中长电科技先进封测工厂项目落户上海临港。项目总投资78亿元，分两期建设，其中一期预计于2028年下半年投产。该项目规划了高密度RDL布线、超窄间距凸块（BUMP）、超大尺寸异构集成及Chiplet多芯封装产线，核心服务于AI服务器、HPC高性能计算及高端GPU的配套封装需求。

甬矽电子103亿元余姚基地官宣。6月26日，甬矽电子发布正式公告，计划投资103亿元在宁波余姚建设高端集成电路封测基地，建设周期为8年。

2026年7月，俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心（ZNTC）宣布，代号为“Progress ELL 150”的电子束光刻设备原型机已进入综合测试阶段。这是该国在光刻设备领域近半年来第二项实质性进展——此前2026年3月，其首台350nm光刻机已正式纳入俄罗斯国家工业设备名录，型号为RAVC.442174.002TU。

与传统的投影式光刻机不同，这台设备采用电子束直写技术，一方面可实现无掩模光刻，在硅片上直接绘制电路；另一方面，它也是加工制造传统投影式光刻机所需光掩模的核心设备。这一技术路径的优势在于灵活性和精度——尤其适合科研原型开发、快速改图以及航天、国防等领域的小批量专用芯片生产。

据TrendForce集邦咨询最新2026年7月NAND Flash每月数据分析，2026年AI需求爆发，加上NAND Flash产能增加有限，市场呈现供给紧缺。展望2027年，来自Server的需求持续强劲，在供应商提升制程、整体供给位元增速未见放缓，以及消费性电子市况仍处于低迷的情况下，预估NAND Flash供应紧张的情形有望于2027年下半年获得改善。

TrendForce集邦咨询指出，即便目前Server对NAND Flash的位元需求占比已逾40%，智能手机、笔记本的合计占比仍有近40%，对整体需求仍有关键影响力。从存货结构来看，目前原厂水位仍偏低，虽然模组厂因消费市场持续低迷，导致库存上升，但其他买家的库存仍在可控范围内。综合上述分析，预估2026年NAND Flash供应和需求位元的差距将落在-4%至-5%间，呈现缺货格局。至2027年下半年，预期两者的位元差距将转为正值，供给吃紧的压力有望缓解。

2026年7月，光通信产业链集中披露的中报业绩预告，将AI算力资本开支在制造端的兑现推向了新高潮。

其中源杰科技预计上半年实现归母净利润6亿元至6.5亿元，同比增幅1197%至1305%；二季度单季净利润4.21亿元至4.71亿元，环比增长134%至162%。中游光模块龙头新易盛上半年预计盈利70亿元至80亿元，同比增幅77.56%至102.93%。其业绩增量主要来自于1.6T高速光模块的强劲需求，目前公司正处于持续扩产与交付拉升阶段。

跨界布局光模块的东山精密预计盈利29亿元至30亿元，同比增幅超2.8倍。其业绩除了消费电子与汽车零部件基本盘的稳定，主要来自于光模块资产整合后的产能爬坡与客户导入，同时此前在数据中心产业链上的股权投资也贡献了部分当期收益。

近日，全球特色工艺晶圆代工大厂高塔半导体（Tower Semiconductor）宣布，在日本经济产业省（METI）高达10亿美元的资助支持下，启动其位于日本的300毫米（12英寸）硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）和先进封装产能的双轨道战略扩张计划。

根据规划，高塔半导体将投资约30亿美元（约合人民币202.95亿元），全面扩大其在日本的12英寸硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）以及先进光学封装产能，以应对人工智能（AI）与数据中心算力爆发带来的高速光互连需求。

近日，鹏鼎控股和TCL中环两大电子产业链龙头企业相继披露重大投资计划，项目双双落子深圳，合计规划投资规模超过200亿元，分别瞄准AI服务器电路板和半导体大尺寸硅片两大高成长赛道。

其中鹏鼎控股于7月23日发布公告，拟投资100亿元新建深圳第三园区人工智能高阶类载板及柔性电路板智造基地项目，计划自2026年7月启动，预计2033年建成投产。

TCL中环则计划投资建设“集成电路用半导体大硅片深圳项目”，投资总额预计约为119.6亿元。项目规划月产能为12英寸抛光片、外延片及测试片共计70万片，主打高端化、大尺寸、高附加值产品布局，聚焦市场紧缺的12英寸半导体硅片产品。