



作者丨王非
创造历史!
7月27日,存储芯片龙头企业长鑫科技集团股份有限公司(股票简称:长鑫科技)正式在上交所科创板挂牌上市,发行价8.66元,募资总额达579.19亿元,超越2020年中芯国际创下的532亿元纪录,成为科创板历史上规模最大的IPO。若行使超额配售选择权,则募资额将达666.07亿元。
今日开盘,长鑫科技暴涨471.59%报49.5元,总市值3.31万亿元,超越工商银行(约2.77万亿元)成为目前A股总市值第一。截至发稿,长鑫科技涨458.89%报48.4元,总市值3.24万亿元,盘中最高触及49.88元,最低38.11元。

来源:百度股市通
此次IPO,长鑫科技一共获得30家战略股东支持,合计认购144.37亿元,获配股数占本次初始发行数量的比例(超额配售选择权行使前)为25%。其中,36只社保基金积极参与认购;中金财富、中信建投投资分别认购10亿元;中信建投基金-共赢66-69号员工参与战略配售集合资产管理计划,合计认购15.93亿元。
传音公司、奕斯伟材料、中微公司、屹唐半导体、华勤技术、TCL科技、蔚来科技、美团旗下深圳三快、阿里云飞天、中兴通讯、奇瑞智能等均分别认购1.58亿元;国调基金二期、人保财险、中国人寿、中邮保险、泰康人寿分别认购1亿元。
值得一提的是,浙江九章资产管理有限公司、宁波幻方量化投资管理合伙企业(有限合伙)均参与了长鑫科技的网下打新。这两家公司的实控人,正是DeepSeek、幻方量化创始人梁文锋。
长鑫科技,位于号称“风投之城”的合肥。2016年,兆易创新创始人朱一明正在筹划第二次创业,刚好遇到了要打造半导体产业之城的合肥,双方一拍即合,朱一明接受合肥政府伸出的橄榄枝,共同成立长鑫科技。
自成立起至2025年前,长鑫科技已完成7轮融资。包括合肥国资支持的天使轮融资、建信股权的Pre-A轮融资、156亿元A轮融资、数十亿元B轮融资、5亿元C轮融资、83.9亿元C+轮融资、108亿元战略融资,累计融资额达数百亿规模。2025年6月,阿里云计算斥资61亿元、星棋道和斥资1亿元、广州信德斥资1.7亿元,参与长鑫科技第九次增资。
如今,长鑫科技背后已经是一批实力雄厚的投资者阵容,国家集成电路产业投资基金、中金资本、君联资本、小米、腾讯、阿里、招银国际资本、农银投资、安徽投资集团、国寿投资、建银国际、TCL创投、招商证券、海通开元、人保资本、普罗资本等。
截至招股书签署日,长鑫新桥、长鑫集电为长鑫科技重要子公司。长鑫科技及子企业直接持有长鑫新桥30.68%的股权,并通过一致行动协议控制长鑫新桥42.33%的表决权,合计控制长鑫新桥73.01%的表决权,可以控制长鑫新桥;长鑫科技直接持有长鑫集电31.72%的股权,并通过一致行动协议控制长鑫集电43.60%的表决权,合计控制长鑫集电75.32%的表决权,可以控制长鑫集电。

来源:长鑫科技招股书
IPO后,清辉集电持有长鑫科技19.50%股份;长鑫集成持股10.54%;大基金二期持股7.86%;合肥集鑫持股7.53%;安徽省投持股7.12%;兆易创新持股1.62%。阿里方面,阿里云计算持有长鑫科技3.47%股份,阿里网络持股1.01%,云锋基金通过云锋卓越持股0.44%;腾讯方面,腾讯投资通过北京峰益持股1.35%;小米方面,湖北小米持股0.19%。
发展至今,始终专注于DRAM产品研发、设计、生产及销售的长鑫科技,已成为我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。公司采取“跳代研发”的策略,完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产,以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代。
当前,长鑫科技已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局,并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案,可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求,公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。
根据Omdia的数据,按照产能、出货量和销售额统计,公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
2023-2025年及2026年第一季度,长鑫科技的营业收入分别约90.87亿、241.78亿、617.99亿、508.00亿元;净利润分别为-192.25亿、-90.51亿、71.44亿、330.12亿元;扣非归母净利润分别为-167.52亿、-78.70亿、53.16亿、263.41亿元。

来源:长鑫科技招股书
基于目前的经营状况和市场环境,长鑫科技预计2026年上半年营收1100亿-1200亿元,较上年同期的154亿元增长612%-677%;预计净利660亿-750亿,上年同期的净亏40.8亿;预计扣非后净利520亿到580亿,上年同期的扣非后净亏为23.87亿。
此次IPO,长鑫科技拟将75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目,130亿用于DRAM存储器技术升级项目,90亿元用于动态随机存储器前瞻技术研究与开发项目。



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