沟槽栅+4.5V阈值，瑞能半导体750V SiC MOSFET领跑AI服务器电源

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介绍

瑞能半导体科技股份有限公司是专注于功率半导体的全球领先企业，前身为恩智浦半导体标准产品事业部。公司运营中心位于上海，拥有吉林、上海、北京三座芯片生产基地、香港子公司、上海研发中心、东莞物流中心，并建立了覆盖全球的销售与服务体系。 瑞能结合先进的双极功率技术与恩智浦在中国制造业和分销渠道的资源优势，主营可控硅/晶闸管、碳化硅器件、快恢二极管、TVS/ESD、IGBT及模块等功率半导体产品，广泛应用于消费电子、工业控制、可再生能源及汽车领域。拥有超100件专利（含6项境外专利），近两年研发投入占比超7%。晶闸管全球市占率第一）碳化硅二极管全球七名（Omdia 2024数据），产品应用于多家全球知名品牌。

瑞能半导体拥有全球员工超500人，研发人员占比超35%。通过自有团队+代理模式构建全球销售网络，精准匹配客户需求。依托研发-生产-物流全链条布局，支撑半导体国产化与进口替代进程，获国家政策支持。深耕行业形成先发优势，以技术积累、量产经验及客户协同开发能力构建良性循环，持续推动功率半导体在智能制造领域的创新应用。

介绍

瑞能750V沟槽栅SiC MOSFET

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瑞能已正式推出新一代750V沟槽栅SiC MOSFET，采用TOLL、QDPAK、DFN8*8等多种封装形式。本系列产品采用沟槽栅结构设计，产品主要特征具备4V以上门极开启门限电压，支持0V关断，无需负压驱动避免误导通；拥有业界领先的低导通电阻与高沟道迁移率，有效降低导通损耗和开关损耗；实现高功率密度的同时，兼顾强化了产品栅氧可靠性，提升了短路耐受能力，可实现高效、紧凑的电源设计，助力AI服务器电源小型化的需求。

①产品性能：

瑞能750V沟槽栅SiC MOSFET提供完整的电压平台和导通电阻选项。750V产品典型阈值电压（Vgsth）为4.5V，覆盖6mΩ至500mΩ多种Rdson规格，最高结温达175℃，可满足不同功率等级的差异化需求。产品具备0V可靠关断能力，可简化驱动电路设计、降低系统成本；通过优化JFET区均匀性和电容重分配，提升了抗寄生导通能力和开关鲁棒性。

②价格竞争力：

借助先进的晶圆设计和更小的芯片尺寸，瑞能750V沟槽栅SiC MOSFET在保证性能的同时有效降低了单位芯片成本，价格上具备较强竞争力。

③技术亮点与创新：

瑞能750V沟槽栅SiC MOSFET采用先进制造工艺，通过深P+注入实现栅极屏蔽，显著提升短路耐受能力并优化导通电阻与短路时间的权衡关系；同时创新性地进行电容重分配，确保开关鲁棒性并增强抗寄生导通能力。通过改善JFET区均匀性，降低导通电阻偏差，提升产品一致性。瑞能SiC沟槽技术实现更小的元胞尺寸和更低的比导通电阻，相比平面工艺在750V等中低压平台优势尤为突出，可同时兼顾优异的导通电阻与短路耐受性能。

④技术支持与服务：

瑞能目前可提供完整的器件仿真模型、应用指导、测试demo以及技术支持，协助客户解决选型、设计、安装、测试等系列产品相关问题。

⑤核心应用场景及标杆案例介绍：

瑞能750V沟槽栅SiC MOSFET的核心应用场景主要包括：AI服务器电源中的Totem Pole PFC、Fly-capacitor PFC、LLC谐振变换器以及交错式PPB等电路拓扑中，在这些应用中只需使用单电源驱动方案无需负压驱动，可有效减少驱动级面积约15%，显著提升功率密度；同时该系列产品也适用于光伏逆变器、充电桩模块、工业电源及通信电源等高效率、高频率功率变换场景，帮助系统实现更低的损耗和更紧凑的设计。

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介绍

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