

导读
AI 负载带来的,不只是更多用电量。功率密度上升后,原本可以分开处理的效率、散热、布线、磁性元件空间和动态响应,开始在同一条供电路径上互相牵制。于是,数据中心供电需要回答的已不只是“某一级电源还能提高多少效率”,而是“整条供电路径应当如何组织”。
这也是 PCIM Asia Shenzhen 2026 国际研讨会的一个缩影。8 月 26–28 日,研讨会将在深圳国际会展中心举行。它不是围绕单一器件或单一应用展开,而是用三天时间把功率电子从芯片、封装、变换器到系统应用的不同环节放到同一张议程里。
第一天,先看 AI 供电与功率变换。
浙江大学徐德鸿教授将以 Challenges and Innovations in Data Center Power Systems to Meet the AI Power Demand 开场;随后专题 Power Supply for AI Data Center 讨论能效、下一代数据中心架构、电源单元,以及垂直供电中的拓扑与磁性元件。下午则分设宽禁带功率器件和高效功率变换口头报告,并有功率器件、封装与可靠性、智能电网与 AI 三个海报对话方向。
第二天,聚焦汽车、AI 与封装可靠性。
Infineon 的 Mark Nils Muenzer 将围绕半导体如何影响汽车牵引逆变器的性能与效率作 Keynote。上午并行展开 AI in Power Electronics 与先进功率半导体器件技术;下午继续安排 AI in Power Electronics、功率半导体封装与可靠性口头报告,并配套高性能功率变换、电机驱动与运动控制、汽车功率电子与电气化交通海报对话。
第三天,转向中压、电驱与电网。
香港微电子研发院的高子阳博士将围绕10kV SiC 功率封装平台主题发表Keynote演讲;随后并行进行电机驱动与电气化交通、智能电网电力电子两场口头报告。对于关注中压 SiC、牵引与工业驱动、储能和电网侧应用的读者,这一天提供了从器件封装到应用系统的另一条观察线。
这份议程的价值,正在于它把今天同时发生的几类变化放到一起:AI 负载推动供电架构重估,汽车电驱继续追问器件如何兑现整机效率,高压和中压应用则把封装、绝缘与可靠性推到更前面。不同场次看似分散,实际都指向同一件事——功率电子的性能竞争,正在从单点参数走向系统协同。
首日的 AI 供电线,是进入这张技术版图最直接的切口。8 月 26 日 9:40,浙江大学徐德鸿教授先做 Keynote 1;10:35 起,专题 Power Supply for AI Data Center 开场,依次覆盖能效、架构、电源单元,以及垂直供电中的拓扑与磁性元件(首场报告 10:45 开始)。
从首日 AI 供电专题,
看研讨会如何展开系统讨论

专题的四场报告从供电链路的不同位置切入:
10:45,Delta(台达)Jinfa Zhang:Challenges and Trends of Energy Efficiency Solutions for AI Data Center
11:10,Schneider Electric(施耐德电气)Ilknur Colak:Powering the Future of AI
11:35,Infineon(英飞凌)Diogo Varajao:Powering the AI Revolution: Power Supply Units for next Generation AI Data Centers
12:00,浙江大学 Yenan Chen:Topology and Magnetics for Vertical Power Delivery
从“能效方案”到“下一代数据中心架构”,再到电源单元、垂直供电的拓扑与磁件,这组安排传递出一个清晰信号:AI 供电的讨论,已经不能只停留在器件或单级转换的性能表上。
效率仍是供电设计的基础,但系统并不按单个指标结算。一处效率改善,可能降低散热负担;也可能因为电压等级、母线距离、转换级数量、冗余设计或维护方式而被新的约束抵消。把台达关于能效的报告与施耐德关于数据中心架构的报告放在同一专题,正是为了把“效率”放回整条供电路径中理解。
供电更靠近负载,系统边界也随之收紧
AI 加速器附近的低压大电流,是垂直供电受到关注的直接原因。缩短高电流路径,有机会减少压降与铜耗;但转换级越靠近负载,热管理、磁件尺寸、控制环路、EMI 与装配空间之间的协调就越紧。
因此,垂直供电并不是简单地把电源“放近一点”。它需要同时回答拓扑是否适配、磁件能否容纳、热量如何排出、寄生参数怎样控制,以及系统在制造和维护时要付出什么代价。Yenan Chen 的报告将 Topology 与 Magnetics 放在同一题目中,恰好对应这一组不可拆开的工程条件。
更快的变化,对控制提出新的要求

这种系统层面的变化,也延续到研讨会第二天的 AI in Power Electronics 专题。供电路径和功率密度变化,会把动态响应推到更前面。根据公开的投稿摘要,已出现面向 1 MHz、2 MHz DC-DC 变换器的强化学习控制研究,目前处于硬件原型与仿真阶段。
高压化之后,可靠性问题更突出
电压等级提升并非没有代价。1500 V、2000 V 乃至更高电压平台,会带来更严格的绝缘协调、爬电距离、局部放电和过电压保护要求。在高海拔、强温差和高湿环境中,这些问题会进一步放大。
对硅基模块而言,更高工作电压还会带来宇宙射线诱发单粒子失效等可靠性问题,需要通过器件设计和系统降额策略来控制。对 SiC 模块而言,高频和高压共同作用下,封装寄生参数、绝缘材料和热循环寿命也必须重新评估。
因此,高压化不是单纯的“耐压升级”。它要求器件、模块、绝缘材料、传感、电容、电感和保护系统一起进入验证。
PCIM Asia 视角:
从单点性能走向系统协同


PCIM Asia Shenzhen 国际研讨会作为汇聚全球顶尖学者、领军企业与前沿技术的权威交流平台,已深耕二十余载,积淀了深厚的学术底蕴与产业资源。本届研讨会于2026年8月26日-28日在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办,展会与国际研讨会同期开展,聚焦宽禁带半导体、AI算力供电、数据中心电源、车载电驱、功率变换、器件封装与可靠性等行业热门议题,汇聚全球高校科研学者、行业领军企业技术专家,搭建高水平产学研交流平台。
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