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提前四年竣工，SK海力士提速存储芯片产能布局。
SK海力士近日正式公布新一轮大规模扩产计划，董事会已经批准龙仁Y2 DRAM工厂、清州M17 NAND工厂建设项目，两项项目合计投资规模约54.3万亿韩元，意在匹配AI浪潮下存储器持续爆发的市场需求，夯实中长期供给能力。
其中龙仁Y2项目投资额35.2万亿韩元，清州M17项目投入19.1万亿韩元。这也是SK海力士今年6月抛出中长期投资蓝图之后，落地的又一项实质性动作。按照此前规划，SK海力士计划向龙仁半导体集群累计投入600万亿韩元，清州基地扩建投入100万亿韩元。随着Y2、M17项目获得董事会放行，龙仁、清州两大核心制造基地的后续工厂建设正式启动。
存储行业正在迎来一轮由AI驱动的结构性上行周期。调研机构Omdia给出的预测显示，从去年到2030年，DRAM与NAND闪存市场的年均需求增速可以达到19%。和过去消费电子周期驱动的景气行情不同，SK海力士判断，存储器已经不再是普通电子零部件，而是制约AI系统性能的核心基础设施，市场增长具备长期确定性。
在AI大模型的运行体系之中，不管是训练阶段的大带宽DRAM、HBM，还是推理场景下企业级SSD、KV缓存带来的NAND消耗，都在持续抬升存储产品的消耗量。尤其Agent、物理AI等新兴应用逐步落地，还会进一步拓宽NAND闪存的使用边界。技术迭代之外，交付能力成为存储厂商新一轮竞争的关键。SK海力士认为，AI时代仅仅依靠技术优势不足以守住市场地位，能否在客户需要的时间节点稳定交付足量产品，同样是核心竞争力，本次扩产正是基于对下游需求的充分评估做出的战略选择。
龙仁Y2是龙仁半导体集群规划四座晶圆厂当中的第二座，建筑面积约113万平方米，定位DRAM生产基地，重点产出HBM这类面向AI的新一代DRAM产品。项目将于明年7月开工，首个无尘室计划2029年6月投入使用，投资周期持续至2031年10月。龙仁一号工厂Y1目前建设进度顺利，首个无尘室预计明年2月启用。
值得注意的是，SK海力士已经把龙仁整个集群的全部竣工时间，从最初规划的2045年提前到2033年，Y2正是实现这一目标的第二阶段关键工程。这笔投资不只是晶圆制造厂房，还包含员工配套支援楼、研发综合中心，以及水处理、变电、仓储、公用管线等全套配套基建。目前支撑Y2投产的一期水电配套设施已经完成99%，基建与厂房同步推进，保障项目工期不受拖累。
另一座新工厂落地清州，打造全新NAND产线M17。清州本身已是SK海力士NAND大本营，M11、M12、M15多座工厂已经投产，现有厂区、电力、供水条件成熟，新建M17可以和老产线形成协同，能够加快项目落地节奏。M17建筑面积约68万平方米，明年2月启动建设，首个无尘室预计2028年12月启用，投资延续到2031年4月。
大规模建厂不等于一次性把产能拉满。SK海力士强调，厂房建设按既定时间表推进，但无尘室扩容、设备导入会结合市场变化分阶段执行，根据客户实际的中长期订单节奏释放产能，以此优化资本开支效率，规避行业周期性风险。
这一轮巨额投资，除了服务SK海力士自身的AI业务布局，也被赋予产业层面的意义。项目落地将强化韩国本土半导体制造生态，带动上下游合作企业发展，同时创造就业拉动地方经济。
在全球AI算力供应链紧张的大背景下，存储芯片的供给能力直接影响大模型、AI服务器产业的发展。SK海力士表示，公司将通过前瞻性的产能布局，稳固自身在AI基础设施赛道的位置，保障全球AI半导体供应链稳定。
