一、SiC产业链简介

如图所示，SiC产业链，大致可分为，上游的材料端，中游的器件设计+制造+封测，以及下游的应用端。

其中，各环节成本占比如下：

衬底45~50%，外延20~25%，器件制造（含设计）约20%，封测约5%。

图片来源：泰科天润

二、各环节部分非上市公司画像

1．专业/多环节 IDM 厂商

（1）国家电网全球能源互联网研究院 (国家电网联研院)

【公司简介】：作为国家电网直属的核心科研机构，是电力系统高压大功率SiC半导体研发的国家队，在电网级高压大功率器件自主可控进程中处于主导地位。

【核心技术】：掌握3300V-6500V及以上超高压高可靠性SiC MOSFET及二极管的设计与特色制造技术，攻克了大功率高耐压特种封装及多层直冷高效率散热工艺。

【主要产品】：3300V、4500V及6500V等电网级超高压SiC MOSFET器件、高频SiC二极管、柔性直流输电大功率SiC功率模块。

【市场竞争力】：基于国家电网直属的雄厚特高压技术与平台资源，产品直接锁定国家特高压输变电、智能电网柔性直流输电等垄断性高门槛场景，具备极强的准入与技术资质壁垒。

（2）比亚迪半导体

【公司简介】：比亚迪集团旗下的核心功率半导体子公司，是国内车规级SiC功率器件全产业链垂直整合（IDM）领跑者。

【核心技术】：成功攻克适应于千伏高压架构的1500V车规级大功率SiC功率芯片，自主开发出高电压平台双面银烧结SiC模块，采用5nH低杂散电感、纳米银烧结工艺及高温塑封，支持200℃工作结温。

【主要产品】：1500V车规级大功率SiC功率芯片、高电压平台双面银烧结车规级SiC功率模块、车规级MCU及IGBT功率器件。

【市场竞争力】：到2026年SiC总产能自供率超70%；济南项目满产后年产36万片晶圆，可配套约90万辆新能源汽车，全链成本比海外大幅度压缩，拥有国内绝无仅有的产能与成本护城河。

（3）方正微电子

【公司简介】：专注于车规级及工控功率半导体的晶圆代工与制造厂商，是国内率先将车规主驱SiC MOS批量装车量产的特色代工骨干。

【核心技术】：掌握先进的6/8英寸车规级SiC晶圆流片工艺，拥有全自动智能化制造系统及车规级主驱SiC MOSFET芯片规模化制造技术。

【主要产品】：6英寸及8英寸SiC功率晶圆代工服务、车规主驱SiC MOSFET芯片及高功率主驱功率模组。

【市场竞争力】：FIB1工厂6寸月产能达14000片，FIB2中试线8寸月产能3000片、量产线兼容6/8寸月产能9000片，预计2026年年产能达50万片；已大批量装车，成为国内SiC MOS乘用车主驱装车量排名前列的核心制造企业。

（4）泰科天润

【公司简介】：国内首批实现SiC功率器件产业化的领军IDM厂商，致力于第三代半导体SiC器件研制、规模制造与高可靠性应用方案提供。

【核心技术】：全套掌握涵盖650V-3300V及以上全系列SiC SBD和MOSFET芯片设计与制造工艺，拥有北京和湖南浏阳两条自主运营的晶圆生产线。

【主要产品】：650V-3300V及以上各电压等级的SiC二极管、SiC MOSFET单管及高可靠性功率模块。

【市场竞争力】：具备全流程IDM芯片和器件制造保障能力，产品广泛应用在车载OBC、高压充电桩、工业变频器及新能源逆变器中，拥有长达13年的大批量量产经验及稳固的供应链壁垒。

（5）长飞先进

【公司简介】：致力于第三代半导体SiC芯片外延生长、晶圆制造与先进功率封测代工的一体化基地建设巨头。

【核心技术】：建有国际顶级的SiC晶圆流片生产线，掌握自主先进的高效率外延、晶圆离子注入、低应力切磨抛及模块级先进功率封测工艺。

【主要产品】：6英寸和8英寸SiC功率二极管、MOSFET晶圆流片、高强度SiC半桥功率模块。

【市场竞争力】：位于武汉光谷科学岛的超大型先进生产基地正式投产，首片6英寸晶圆下线，项目正持续扩大产能规模，大幅扩增国产车规及工规代工流片产能，形成了不可替代的规模化制造壁垒。

2．衬底厂商

（1）天科合达 (上市审核中)

【公司简介】：国内导电型SiC衬底市场的绝对龙头，专注于大尺寸、高结晶质量SiC单晶材料的研发与产业化。

【核心技术】：成功开发出8英寸导电型SiC单晶衬底（直径达209mm），实现100% 4H晶型，XRD半高宽小于20 arcsec，拉曼光谱指标极其优异。

【主要产品】：6英寸及8英寸导电型、半绝缘型SiC单晶晶锭与外延级衬底片。

【市场竞争力】：总产能规划达50-80万片（含8英寸）；已实现累计百万片级出货，且8英寸衬底已获得国内外多家头部外延大厂的中小批量订单，在8英寸代际切换中占据关键市场份额。

（2）烁科晶体

【公司简介】：中国电科集团旗下SiC衬底产业化平台，国内技术实力顶尖的SiC单晶衬底及特色装备制造龙头。

【核心技术】：率先攻克8英寸SiC单晶衬底位错缺陷控制技术，成功实现了近“零螺位错”（TSD）密度和低基平面位错（BPD）密度的8英寸导电型4H-SiC单晶规模化制备。

【主要产品】：4/6/8英寸导电型与半绝缘型SiC单晶衬底、高纯SiC多晶粉料及配套长晶感应装备。

【市场竞争力】：以太原基地为核心，二期项目投产后新增6-8英寸产能30万片/年，总产能跃居全球前三，具备强大的装备自主可控优势与集团内部产业链协同。

（3）同光晶体 (上市审核中)

【公司简介】：专业从事高结晶质量SiC单晶衬底研发与生产的高新技术企业，在宽禁带半导体核心材料自主化进程中处于第一梯队。

【核心技术】：掌握具有完全自主知识产权的PVT法SiC单晶生长工艺，攻克了长晶阶段高产出良率调控、超低缺陷密度控制及低损伤抛光加工。

【主要产品】：4/6/8英寸高品质导电型和半绝缘型SiC单晶衬底及高精度抛光片。

【市场竞争力】：目前处于上市审核中，保定基地及涞源基地扩产产能持续释放，产品成功进入国内众多主流外延及高可靠性器件流片大厂供应链。

（4）中电化合物

【公司简介】：致力于第三代半导体SiC及GaN高端外延材料研发与产业化的材料厂商，在材料端自主化供应中发挥核心卡位作用。

【核心技术】：掌握精密的大尺寸CVD外延生长技术，在衬底到外延的应力平衡控制、超低外延表面缺陷密度和精确掺杂控制上达到国际一流水平。

【主要产品】：6英寸及8英寸功率用SiC外延片、功率/射频器件用SiC基GaN外延片。

【市场竞争力】：正快速推进8英寸技术验证与产能建设；凭借高稳定性与优异性能，深度合作国内主流特色代工厂及设计大厂，在大尺寸外延代工供应链中占有核心一席。

（5）南砂晶圆

【公司简介】：专注于大尺寸高性能SiC单晶衬底研发与量产的企业，技术指标位列国内第一梯队。

【核心技术】：掌握先进的PVT法单晶长晶与高效超平抛光工艺，其8英寸衬底产品各项关键技术参数及均一性指标达到世界先进水平。

【主要产品】：6英寸及8英寸导电型、半绝缘型SiC单晶衬底及抛光晶圆片。

【市场竞争力】：2024年济南基地8英寸项目正式投产，年产能达5万片，2025年规划将8英寸产能大幅提升至50万片，形成广州、中山、济南三地联动，旨在打造全国最大8英寸SiC衬底生产基地。

（6）北京晶格领域

【公司简介】：国内液相法SiC单晶衬底产业化的前瞻性创新领领军企业，致力于解决传统PVT法的厚度及缺陷密度瓶颈。

【核心技术】：掌握自主产权的液相法（LPE）SiC单晶生长核心技术，有效提高晶体结晶质量，突破了高质量4H-p型和3C-n型立方SiC单晶长晶难题。

【主要产品】：4-8英寸p型及4-6英寸3C-n型立方SiC单晶衬底及抛光晶片。

【市场竞争力】：已建成4-6英寸液相法试验线，且6-8英寸液相法试验线于2025年完成建设，通过提供差异化的高性能P型与3C型特种衬底有效填补国内技术空白，建立了极强的细分材料专利壁垒。

（7）臻晶半导体

【公司简介】：专注于高端大尺寸高质量SiC单晶衬底研发与量产的高成长性半导体材料企业。

【核心技术】：深耕PVT法晶体生长热场及温场精密设计，攻克了超低位错大面积单晶长晶工艺以及无裂纹大尺寸晶体高效率切割、研磨抛光。

【主要产品】：6英寸及8英寸导电型、半绝缘型高品质SiC单晶衬底片。

【市场竞争力】：基于其在高端大尺寸单晶生长一致性及低缺陷密度控制上的突破，推断其产品正快速通过国内数家一线车规功率器件代工厂的质量验证，在6/8英寸高端材料进口替代中展现出较强的成长潜力。

（8）科友半导体

【公司简介】：集碳化硅核心长晶装备研制、工艺开发与衬底制造于一体的闭环型高科技材料企业。

【核心技术】：自研兼容型长晶装备，攻克了2300℃高温、真空度优于8x10^-5 mbar极端环境下的多场精细控制及缺陷精密控制。

【主要产品】：兼容型碳化硅晶体物理生长装备、6/8英寸导电型及半绝缘型SiC单晶衬底。

【市场竞争力】：2025年8英寸产能为5000片/年，装备100%自研，二期规划扩至数万片；自研长晶装备大幅降低扩产资本性支出，构筑了极强的成本与工艺协作壁垒。

（9）超芯星半导体

【公司简介】：由海归功率半导体材料专家领衔、国内率先实现大尺寸高纯SiC衬底批量出口的创新材料厂商。

【核心技术】：核心掌握PVT法大尺寸高纯晶体生长、低应力无裂纹切割、大晶片超低位错密度控制以及表面原子级平整加工工艺。

【主要产品】：6英寸及8英寸高品质导电型、半绝缘型SiC单晶抛光衬底片。

【市场竞争力】：在国内率先实现大尺寸衬底规模化出货，是国内唯一打入国际一流功率器件大客户前装供应链的大尺寸SiC衬底供应商，在全球代际切换期占据极佳的市场出口卡位。

3．外延厂商

（1）中电科新材料

【公司简介】：中国电科集团旗下的高端宽禁带半导体外延材料产业平台，在车规及高压电网级SiC外延核心链条中具有极强的集团化支撑。

【核心技术】：掌握低缺陷、高厚度及高掺杂浓度均匀性的大尺寸车规级SiC外延层快速气相沉积（CVD）生长核心工艺。

【主要产品】：6英寸及8英寸高品质车规级、高压电网级SiC功率器件用外延片。

【市场竞争力】：依托中国电科集团全产业链的无缝集成优势，具有极畅通的下游核心器件代工厂验证渠道，正在快速推进8英寸外延技术的规模化验证与产能建设。

（2）普兴电子

【公司简介】：由中国电科十三所控股、国内建设规模及技术水平位列前茅的半导体外延材料产业化制造龙头。

【核心技术】：拥有成熟的多片CVD外延生长关键工艺，在大厚度、高浓度掺杂精准调控、低应力沉积及表观缺陷抑制技术上处于业界顶尖。

【主要产品】：6英寸及8英寸车规级/工控级高品质SiC功率外延片、多规格硅基外延片。

【市场竞争力】：以8英寸作为外延代际增长的核心方向，外延产能布局极其庞大，深度合作国内外知名器件流片大厂及IDM厂商，在高端外延材料配套领域建立了极其稳固的供应壁垒。

4．器件设计厂商（包含Fab-lite模式）

（1）晶能微电子

【公司简介】：吉利资本生态孵化下的车规级功率半导体核心企业，专注于为主流乘用车主驱逆变器提供高可靠性功率芯片及先进模块。

【核心技术】：掌握车规大功率SiC模块先进封装及散热技术，攻克了高散热针鳍（Pin-fin）结构设计以及多层纳米银烧结（Silver Sintering）工艺。

【主要产品】：750V及1200V车规级主驱SiC MOSFET功率模块、高频车规级单管器件。

【市场竞争力】：基于大股东吉利控股集团的整车大生态，其SiC主驱模块直接锁定多款主力车型前装定点，跨越了常规车规芯片极长的前期验证门槛，具备极大的装车规模 and 出货增速。

（2）联合电子

【公司简介】：国内乘用车动力总成及电控系统行业巨头，是车规级大功率主驱SiC功率模块及电驱系统的顶尖系统集成级供应商。

【核心技术】：引进并创新博世（Bosch）先进车规级功率电子封装与电控架构，掌握极低杂散电感热场设计、激光焊接以及高强度高可靠纳米银烧结核心工艺。

【主要产品】：1200V高功率密度车规级主驱SiC功率模块、高集成度“多合一”电驱系统、高性能车规主驱逆变器。

【市场竞争力】：在乘用车主驱逆变器和整车控制系统市场拥有强大的控制力，其主驱SiC电控系统和模块方案获得国内数十个主流前装整车项目量产定点，系统化集成与品牌壁垒极高。

（3）斯科半导体

【公司简介】：专注于车规级高功率密度SiC功率芯片设计与高可靠模块封测的专业供应商。

【核心技术】：精通高性能车规级平面栅与新型沟槽栅SiC MOSFET结构设计，掌握多款高散热、低电感SiC单管与半桥模块封装技术。

【主要产品】：1200V系列车规级SiC MOSFET芯片、大电流车规功率单管及定制大功率半桥模块。

【市场竞争力】：基于其深度绑定的车企与大功率Tier 1零部件生态资源，产品正加速通关车规AEC-Q101测试，并快速切入主流整车动力系统供应链。

（4）瑞能半导体

【公司简介】：由建广资产与恩智浦（NXP）合资设立的全球领先功率半导体企业，采用高效率的Fab-lite模式运营。

【核心技术】：融合恩智浦数十年积淀的芯片级电磁屏蔽、电性能防护及多层金属化封装工艺，掌握超低导通电阻、极短反向恢复时间的高品质SiC MOSFET与二极管设计。

【主要产品】：650V/1200V/1700V高可靠性SiC二极管（SBD）、高压SiC MOSFET单管，以及定制化功率模块。

【市场竞争力】：销售渠道网络遍及全球，其SiC二极管全球市场占有率名列前茅，大批量供应全球一线光伏逆变器大厂、车载OBC及高端工控变频器，全球化竞争优势突出。

（5）中电科55所

【公司简介】：中国电科集团旗下功率半导体领域的国家队主力，国内底蕴最深厚、实力最强的SiC设计、流片与封测一体化龙头。

【核心技术】：全套掌握车规级及高压电网级SiC MOSFET/SBD芯片设计与制造工艺，拥有自主建设并稳定量产的6/8英寸车规级流片与功率模块先进封测线。

【主要产品】：650V-6500V车规与工规高功率SiC MOSFET芯片、大功率车规主驱SiC功率模块。

【市场竞争力】：是国内极少数将自主设计SiC芯片和主驱模块成功规模化装车、并积累长效安全运行经验的骨干单位，战略卡位在特高压直流电网、高速轨道交通及国内主流乘用车供应链中。

（6）芯聚能

【公司简介】：专注于车规级大功率SiC功率器件及模块研发、设计与封测制造的行业先锋企业。和芯粤能绑定成为虚拟IDM模式。

【核心技术】：掌握低电感、高散热的车规主驱功率模块先进封装技术，攻克了双面纳米银烧结、全塑封注塑及高效流体直冷针鳍（Pin-fin）等领先工艺。

【主要产品】：1200V车规级APD系列大功率主驱SiC功率模块、车规级及工规高阻断单管。

【市场竞争力】：其自主研发并封装的1200V主驱SiC功率模块已在吉利雷神电驱、Smart等国内及海外高端车型的多个前装项目实现大批量装车，累计出货达十万套级，位居国内车规主驱模块出货头部。

（7）瞻芯电子

【公司简介】：国内首家自主研发并量产SiC MOSFET的高新技术企业，致力于为客户提供“SiC芯片+驱动芯片”的一站式系统应用方案。

【核心技术】：核心掌握具有独立产权的平面栅及新型沟槽栅车规级SiC MOSFET设计制造工艺，并自主攻克配套的高频、高压SiC专用栅极驱动芯片设计。

【主要产品】：650V-1700V导电型SiC MOSFET、高频高阻断SiC SBD以及自研高参数专用栅极驱动IC。

【市场竞争力】：国内首个打通“MOSFET+驱动芯片”协同方案的设计厂商，在车载OBC/DCDC、大功率光储及充电系统中累计出货数千万颗，构建了极强的技术和系统级配套壁垒。

（8）昕感电子

【公司简介】：专注于SiC MOSFET功率芯片研发设计与模块方案封测的高成长性企业。

【核心技术】：掌握高一致性、高雪崩耐用性SiC MOSFET元胞及终端精密设计，攻克了极低翘曲晶圆切抛与高可靠性散热引线封装。

【主要产品】：1200V/1700V导电型高频SiC MOSFET单管及高可靠性功率半极模块。

【市场竞争力】：重点对标光伏储能逆变系统及新能源大功率充电桩，凭借其出色的低阻抗、低动态损耗与高可靠性，快速实实现在国内百亿级储能与光储大客户处的批量定点。

（9）派恩杰

【公司简介】：由海归知名专家团队领衔、产品比导通电阻领先的高品质SiC功率半导体芯片设计高新技术企业。

【核心技术】：掌握超高元胞密度的高压低比阻沟槽栅及平面栅SiC MOSFET设计，实现了极高的栅电容匹配度与极低动态损耗。

【主要产品】：650V/1200V/1700V/3300V全系列车规级SiC MOSFET、高频高阻断SiC SBD。

【市场竞争力】：产品核心指标与国际大厂直接比拼，车规级MOSFET通过AEC-Q101认证，成功大批量进入国内知名整车前装车载电源系统与大功率光伏逆变器大厂，出口竞争力显著。

（10）爱仕特

【公司简介】：国家高新技术企业与专精特新“小巨人”企业，专注于SiC MOSFET功率芯片研发、模块设计与先进封测。

【核心技术】：掌握国内领先的SiC MOSFET核心设计及封装工艺，攻克了高散热多层纳米银烧结以及宽温大电流电磁屏蔽设计。

【主要产品】：1200V/1700V车规级、工控级高功率SiC MOSFET芯片、高性能塑封及灌封半桥模块。

【市场竞争力】：具备芯片和模块完全自主可控的闭环研发封测实力，产品应用涵盖新能源重卡、轨道交通、智能微电网及大功率充电桩等高壁垒高负载场景。

（11）利普思半导体

【公司简介】：致力于车规级及工控大功率SiC模块研发与高密度先进封装的国际化科技设计企业。

【核心技术】：首创“Arc-M”无键合线三维封装模块连接技术，采用高性能双面热电焊接及纳米银烧结匹配工艺，极大地降低了电感和热阻。

【主要产品】：750V/1200V车规级三相全桥SiC主驱功率模块、工业级高压高功率大电流SiC模块。

【市场竞争力】：通过在日本及中国的协同双研发中心布局，核心主驱SiC模块在海内外多个乘用车逆变器项目及氢燃料大功率DCDC中量产装车，成功融入日韩及欧洲前装供应链。

（12）清纯半导体

【公司简介】：国内专注于高可靠性SiC功率器件、MOSFET设计研发与主驱功率模块产业化的领军型企业。

【核心技术】：掌握1200V/1700V高结温超高元胞密度平面栅SiC MOSFET核心设计，具备极佳的比导通电阻和高雪崩抗扰能效。

【主要产品】：650V-1700V高频低比阻SiC MOSFET、1200V车规级大功率主驱功率模块。

【市场竞争力】：1200V主驱MOSFET芯片在新能源乘用车主驱逆变器市场大批量量产装车，国产品牌芯片主驱装车量排名前列，大功率光伏及车载电源等高壁垒场景占有率极其靠前。2026年斩获国际一流车企海外主驱量产定点，全球化市场拓展居于前列。

（13）飞锃半导体

【公司简介】：致力于第三代半导体SiC功率二极管与MOSFET器件研发和量产的高新技术设计公司。

【核心技术】：掌握高阻断、低阻抗车规级SiC SBD与高频MOSFET工艺，多款车规级MOSFET成功通过AEC-Q101认证及960V高压H3TRB加严温湿度测试。

【主要产品】：650V及1200V规格的车规级SiC MOSFET、低损耗SiC二极管，全碳化硅功率模块。

【市场竞争力】：车规级产品全面实现规模化量产，批量出货供应给国内车载充电（OBC）、车载高压DC-DC、车载高频逆变电源及头部光伏发电逆变系统企业。

（14）瀚薪科技

【公司简介】：国内掌握大功率SiC器件完全自主知识产权、工控及车载应用经验极其深厚的资深功率半导体设计厂商。

【核心技术】：核心拥有多代SiC MOSFET独立专利和高水平工艺控制流程，掌握低阻抗门极设计、大电流均流及优越的短路防护机制。

【主要产品】：650V/1200V/1700V全系列高可靠SiC二极管、SiC MOSFET单管。

【市场竞争力】：在光伏逆变器、车载充电机、大功率直流快充等领域大批量出货数十万片/颗，具备极其平稳的长周期长效运行表现，大客户供应链黏性强。

（15）芯塔电子

【公司简介】：专注于第三代半导体SiC功率芯片研发、大功率电控模块设计与销售的创新型高技术企业。

【核心技术】：拥有自主SiC MOSFET高结温高阻断元胞设计，并在高频光储逆变、车载双向电源领域提供完备的系统级拓扑适配技术方案。

【主要产品】：650V-1700V高可靠性SiC二极管、SiC MOSFET单管及高强度封装模块。

【市场竞争力】：深度渗透国内中高端分布式光伏、储能和充电逆变电控核心大客户，凭借灵活高效的方案级定制开发优势，在主流新能源市场中增长显著。

（16）翠展微电子

【公司简介】：专注于新能源乘用车级功率半导体模块研发、高精度封测及电驱系统应用的国家级专精特新企业。

【核心技术】：掌握高度自动化、高一致性的功率模块封装工艺，攻克了低电感大电流走线拓扑、高能纳米银烧结以及直接流冷针鳍散热核心工艺。

【主要产品】：1200V车规级大功率新能源乘用车主驱SiC模块、高一致性车规功率单管。

【市场竞争力】：自建有高度智能的车规级模块全自动化生产封测基地，已顺利夺得国内多家头部新能源主机厂前装电驱系统定点，构建了极其坚实的产能护城河。

5．代工制造厂商

（1）积塔半导体

【公司简介】：华大半导体旗下主力代工平台，国内专业从事车规级功率晶圆制造和特色工艺流片的龙头晶圆制造基地。

【核心技术】：建立了极其严格的IATF16949车规级质量控制流程，全面掌握6/8英寸车规级SiC SBD与MOSFET的特色流片工艺与电性控制核心技术。

【主要产品】：6英寸及8英寸高一致性SiC SBD、SiC MOSFET功率晶圆特色代工流片服务。

【市场竞争力】：作为国内车规功率半导体制造的关键承载地，代工产能长期被主流设计商和车企包线锁定，具有无可比拟的供应链主控地位与代工话语权。

（2）芯粤能

【公司简介】：国内首个致力于提供全开放、全流程车规级及工规大功率SiC芯片代工制造的龙头代工厂商。和芯聚能绑定成为虚拟IDM模式。

【核心技术】：建立并跑通了国际领先的6/8英寸车规级SiC工艺代工平台，精通多代平面栅和沟槽栅SiC MOSFET/SBD生产制造特色工序，拥有顶尖的高能离子注入等特色设备配套。

【主要产品】：6英寸及8英寸车规/工规SiC MOSFET、SBD晶圆代工流片及定制工艺开发。

【市场竞争力】：一期已建成24万片 6 英寸 SiC 晶圆代工年产能，8 英寸流片产线快速跑通，产品流片高结晶良率已通过国内数十家头部设计公司及整车厂的深度工程验证，并实现大规模量产装车。