聚灿光电等3企公布Micro LED光互连专利

进入8月，聚灿光电、思特威、华创芯光等3企陆续公示Micro LED光互连相关专利进展。

专利涉及Micro LED外延结构、光模块模组结构及制造方法、Micro LED光互连TIR微透镜阵列耦合方法等，致力于提升Micro LED光通信的响应速度、耦合效率、稳定性等，并降低产品功耗。

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■ 聚灿光电：一种用于光通信领域的Micro LED外延结构

8月4日，聚灿光电科技（宿迁）有限公司“一种用于光通信领域的Micro LED外延结构”的专利进入审中公布阶段。

该Micro LED外延结构，包括衬底，在衬底上依次生长缓冲层、n型GaN层、AlYN/AlN超晶格层、应力释放层、MQW发光层、EBL层、高温PGaN层和PGaN层接触层；所述EBL层为GaN/（AlN或AlGaN）交替生长的周期性超晶格结构。

本发明从nGaN层、有源层、EBL层三个方面协同优化，实现超低功耗和高速响应能力。

一是nGaN层之上生长AlYN/AlN超晶格层，在不使用高难度的掺杂技术下，通过极化效应自发形成高浓度、高迁移率的二维电子气；

二是有源区采用超薄量子阱搭配通TMIn段的TMIn设计成尖底或平底的生长方式，削弱量子限制斯塔克效应，实现高速直接调制；

三是设计超薄EBL层，且采用GaN/（AlN或AlGaN）交替生长的周期性超晶格结构，增强极化强度，形成高浓度、高迁移率的二维空穴气。

■ 思特威：光模块的模组结构及其制造方法

8月11日，思特威（上海）电子科技股份有限公司一种“光模块的模组结构及其制造方法”的专利进入审中公布阶段。

公告显示，通过将主体电路板固定于基座上，将第一固定架和第二固定架沿光路方向相对间隔设置，将第一竖直电路板和第二竖直电路板分别设置于第一固定架和第二固定架上，并使Micro LED发射组件与PD接收组件分别以竖直方式相对布置，同时使光纤两端端面分别朝向Micro LED发射组件和PD接收组件，实现Micro LED发射组件、光纤及PD接收组件在同一光路方向上的对应设置，减少或避免了传统水平芯片布置中因棱镜、反射镜等折转光路结构引起的光程增加、装配误差累积及光学对准偏差，解决了采用MicroLED阵列作为发射光源时光纤对准难度大、耦合效率低以及装配稳定性不足的问题。

■ 华创芯光：基于Micro-LED光互连的TIR微透镜阵列耦合方法

8月7日，深圳华创芯光科技有限公司“基于Micro-LED光互连的TIR微透镜阵列耦合方法”的专利进入审中公布阶段。

本发明涉及MicroLED光互连技术与光学耦合的技术领域，具体为基于MicroLED光互连的TIR微透镜阵列耦合方法，整体为MicroLED芯片与TIR微透镜阵列高效耦合模块，通过“机械预对准光反馈手动精对准弹性应力补偿固定”的一体化流程，解决传统耦合方法中对准误差大、损耗高、环境适应性弱的问题。

同时，通过与TIR微透镜阵列制备阶段的参数设计精准匹配，实现耦合环节的协同优化，最大化提升光互连链路的整体性能。