内存芯片市场的繁荣很少能持续。高昂的内存价格会促使制造商增加产能,最终导致供应过剩,从而压低价格。
但如今人工智能(AI)驱动的内存需求可能会延长这一周期。内存制造商正努力提高产量以满足需求。
错过了2009年的英伟达?这个罕见的信号再次出现。 2009年,一个鲜为人知的芯片制造商英伟达发出了“加倍下注”的信号。多年来,同样的“全力以赴”的信号首次出现在一家规模只有英伟达百分之一的公司身上。
不断增长的HBM需求
高带宽内存 (HBM) 对人工智能加速器至关重要,但其生产也会影响传统 DRAM 的供应。TrendForce 估计,到 2027 年,HBM 可能占用三大内存制造商约 30% 的 DRAM 产能,而其内存容量仅占这些制造商总产量的 13%。因此,传统内存的剩余产能减少,而人工智能服务器对服务器 DRAM 的需求却在不断增长。
TrendForce预计,到2027年,新工厂和更先进的制造工艺将使DRAM位供应量增加约24%。但新增供应量可能不足以满足需求,因为HBM占用更多产能,而且新设备需要时间才能到位。
存储器热潮的影响范围远不止美光
业内三大主要存储器生产商的财务业绩充分展现了当前存储器周期的强大实力。
美光科技( NASDAQ:MU)2026财年第三季度(截至2026年5月28日)营收同比增长约346%,达到415亿美元,非GAAP毛利率达到84.9%。
SK海力士(NASDAQ:SKHY)2026财年第二季度(截至2026年6月30日)营收同比增长257%,营业利润同比增长557%。三星(OTC:SSNLF)在2026年第一季度仍是全球最大的服务器DRAM供应商,市场份额为38.5%,其次是SK海力士(28.8%)和美光(22.4%)。
还有另一个迹象表明内存市场供应已趋紧。TrendForce 的研究表明,自 2026 年第一季度以来,传统服务器 DRAM 的生产利润高于 HBM。部分原因是 DRAM 价格上涨速度远超 HBM,而 HBM 的价格则被长期合同锁定。因此,人工智能的蓬勃发展不再仅仅惠及 HBM。由此导致的产能紧张也支撑了整个 DRAM 市场的价格和利润。
提高存储容量
不出所料,三星、SK海力士和美光都在扩大产能。SK海力士最近批准了在韩国投资383亿美元新建芯片制造工厂的项目,其中包括HBM和其他先进DRAM产品的产能。美光也在扩大其在美国的DRAM产能。
据路透社报道,总部位于中国的长鑫存储技术有限公司是全球第四大DRAM制造商。该公司还计划将其产能提高一倍以上,从每月约30万片晶圆增至60万片以上。
但新供应需要时间才能上线。据TrendForce称,设备交付周期长以及产能向HBM转移,导致DRAM供应增长滞后于需求增长。即使制造商扩大生产,这种延迟也可能延长内存热潮。
但这并不意味着繁荣会永远持续下去。TrendForce预计,NAND闪存的供应将在2027年下半年趋于宽松,而DRAM的产能可能在2027年仍然紧张。
因此,对投资者而言,关键信号将是DRAM供应增长最终超过需求之时。在此之前,当前的内存繁荣可能还有进一步发展的空间。
原文链接
https://finance.yahoo.com/markets/stocks/articles/micron-stock-extends-winning-streak-192459198.html
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