PCIM Asia Shenzhen 2026 将于8月26至28日于深圳国际会展中心宝安新馆（14、16号馆）举办。
今年，三菱电机将以PCIM Asia Shenzhen战略合作伙伴身份再度亮相，并在16号馆E01展位携多款全球领先的功率半导体技术与系统解决方案盛大登场，为您全面展示电力电子技术的前沿产品及技术！
三菱电机
展位号：16号馆E01展位
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2025年展会现场-三菱电机展台
公司介绍
三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。截止2026年3月31日的财年，集团营收58947亿日元。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有70年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。
展品介绍
三菱电机将展出
混碳和全碳SLIMDIP / Hybrid & Full SiC SLIMDIP
三菱电机开发了空调及家电用SLIMDIP系列智能功率模块全SiC DIPIPM和混合SiC DIPIPM。与现有硅基逆导型绝缘栅双极晶体管（RC-IGBT）SLIMDIP模块相比，新产品性能大幅提升。作为三菱电机首款面向大容量家电的SiC SLIMDIP功率半导体模块，其内置了专为SLIMDIP封装优化的SiC-MOSFET芯片，显著提高输出功率。该模块适配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸与特性，可有效降低功率损耗，助力提升家电能效。混合SiC SLIMDIP内部封装了多个元件及连线，采用同一IC来驱动并联的SiC MOSFET（低电流下的低导通电压特性）和Si RC-IGBT（高电流导通特性），同样实现了功率损耗的显著降低。
第8代IGBT模块 / 8th generation IGBT modules
为了进一步提高IGBT模块功率密度，三菱电机开发了第8代IGBT模块，采用了分段式沟槽栅结构，在芯片背面采用可以控制载流子的等离子体层结构来减少芯片厚度，从而显著地降低了功率损耗。第8代IGBT同时扩大了芯片面积，从而降低了结壳热阻。LV100封装IGBT从第7代的1200V/1200A提升至1200V/1800A。NX封装，在4kViso半桥和Split-NPC (半桥+钳位二极管)产品的基础上，新增了面向电机驱动的2.5kViso产品，覆盖300-1000A。
第5代沟槽栅SiC-MOSFET裸芯片/ The 5th Gen. Trench SiC-MOSFET bare die
针对xEV的e Axle系统相关应用，三菱电机于2026年6月开始可提供第5代沟槽栅SiC-MOSFET裸芯片样品（1200V/6.8mΩ、750V/4.8mΩ），该芯片具有如下特性：
•性能领先：采用独有沟槽栅结构，导通电阻比现有产品降低约25%，达业界领先水平。
•技术亮点：FSC结构+新型沟槽栅+斜角离子注入技术，提升元胞密度与电流传导效率。
•质量稳定：独有工艺抑制体二极管退化，先进栅氧化层技术控制开关损耗和电阻波动。
•应用价值：提升e-Axle性能、缩小产品体积、延长续航里程，并通过抗退化设计保障长期可靠性。
除展台丰富的展示外，三菱电机在国际研讨会和主题论坛带来多场前瞻性与实用性兼备的报告，内容横跨功率半导体与器件前沿技术，为听众奉上“一站式”技术盛宴。
三菱电机现场报告
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国际研讨会
2026/8/26
15:35-15:50 Conference Room 14A
演讲场次：Oral 2: High Efficiency Power Converter
Development of A 3-level ANPC 800kW-class Power Stack based on 1200V IGBT Module for Renewable Energy Application
Zhengfeng Li, Mitsubishi Electric Corporation
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墙报交流专场
2026/8/26
13:30-15:00 Poster Gallery, Hall 14 A01
演讲场次：
Poster Dialogue Session 1: Power Devices
8th Generation LV 100 IGBT Module for High Power Central-type PCS
Bo Hu, Mitsubishi Electric & Electronics(Shanghai) Co., Ltd
High Robustness Operation of 4.5kV/1500 A IGBT Modules in a 2-Parallel Configuration for HVDC Submodules
Shota Saito, Mitsubishi Electric Corporation
2026/8/26
13:30-15:00 Poster Gallery, Hall 14 A01
演讲场次：
Poster Dialogue Session 2: Power Devices, Packaging
Development of a New Pakage Supporting Both Through Hole and Surface Mount Types for Fan Applications
Masafumi Jochi, Mitsubishi Electric Corporation
Compact DIPIPM used in dual axles servo
Siqing Lu, Mitsubishi Electric & Electronics(Shanghai) Co., Ltd
2026/8/27
13:30-15:00 Poster Gallery, Hall 14 A01
演讲场次：
Poster Dialogue Session 6: Automotive Power
Advanced Isolated Gate Driver ICs for High-Power-Density SiC/Si Power Modules in xEV Applications
Yo Habu, Mitsubishi Electric Corporation
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主题论坛
2026年8月26至28日
三菱电机与您相约
PCIM Asia Shenzhen 2026
深圳国际会展中心 · 16号馆E01展位
· PCIM Asia Shenzhen 2026赞助商及参展商
同期，将呈现国际研讨会及主题论坛、三大特色主题专区等丰富现场活动，从前沿技术方案分享到热点议题学术分析，涵盖电力电子及上下游领域多角度呈现最新行业发展趋势和市场机遇，提供机会直接与行业专家交流，获取第一手的专业知识和见解。
★ 国际研讨会（付费）
PCIM Asia Shenzhen国际研讨会专注探讨电力电子技术解决方案，旨在为行业领域的专业学者及企业技术人员等提供一个讨论最新发展的国际性交流及合作平台。
为期三天的研讨会将聚焦硅、碳化硅、氮化镓等功率半导体器件、电机驱动和运动控制、封装与可靠性、电能变换等热门话题及前沿技术，来自清华大学、剑桥大学、哈尔滨工业大学、三菱电机、英飞凌、富士电机等龙头企业及知名学府的专家学者将汇聚一堂，为大家带来最新的研究成果汇报及展示。
★ 两大行业峰会（免费）
>> 全球战略峰会
立足全球功率半导体产业宏观视角，围绕行业中长期前景、企业全球战略、前沿技术路线、产品规划与创新、产能布局与投资五大核心方向展开深度研讨。峰会拟邀学术界、行业领军企业、终端领域等专家学者，拟邀英飞凌科技、三菱电机等半导体龙头器件企业，施耐德电气等终端巨头，以及 Leo Lorenz 教授等国际学术权威、国内顶尖高校专家与产业投资界代表，齐聚一堂共话产业未来，为企业战略布局、投融资决策提供权威参考。
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紧跟国内功率器件国产化发展浪潮，聚焦前沿技术、新兴应用两大维度展开交流。技术层面重点探讨碳化硅 JFET 与 eFuse、氮化镓在 AI 领域的应用潜力；应用场景方面深度解读氮化镓在激光雷达中的应用价值、车规级应用与低压氮化镓平台发展。本次峰会拟邀英诺赛科、氮矽科技等业内知名企业，串联产业链上下游主体，拆解量产痛点、分享落地案例与成本优化方案，全方位展现国内功率半导体全链条技术突破与商业化成果。
★ 主题论坛（免费）
PCIM Asia Shenzhen 2026 主题论坛
围绕展会三大核心应用领域，组委会规划十余场垂直细分主题论坛，精准匹配不同赛道从业者需求，每场论坛由行业资深技术专家、一线研发总工、高校教授担任主讲人，内容聚焦落地化技术解决方案。 论坛主题囊括：氮化镓、碳化硅 、封装与测试（一）、清洁能源与电能质量、交通电气化、AI电源应用、固态断路器、IGBT、智能驱动与控制、电力电子技术、电力电子化电力系统等热门板块。
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