存储芯片价格狂飙，HBM产能挤压引发连锁反应

【区角快讯】摩根士丹利近期抛出一份大中华区半导体行业研报，给消费电子市场泼了一盆冷水。报告直言，2026年三季度DDR4内存价格或将飙升五成左右，四季度还得再涨一成。

更令人咋舌的是SLC NAND闪存，其涨价预期堪称激进。今年剩下的两个季度，每季涨幅预计都超50%，部分产品的涨势甚至可能一路延续到2027年一季度。

这波从DRAM蔓延至NAND的全面涨价潮，核心推手竟是HBM对产能的疯狂吞噬。制造HBM所需的硅晶圆数量，大概是传统DRAM的三倍，且需求还在不断攀升。瑞银预测，单是英伟达一家，2027年就要吃掉约251亿Gb的HBM，占全球总产量615亿Gb的四成。

晶圆厂正忙着把产能从DDR4、SLC NAND这些成熟产品上撤下来，转而投向HBM、DDR5以及更高层数的NAND闪存。结果就是，成熟制程产品的供应急剧缩水。

存储厂商加速退出DDR4等旧产能，但需求端却没跟着萎缩。DDR4的需求正从单一的服务器市场扩散到消费电子领域，供给收缩与需求扩散形成了错配。

由于没有长协价格锁定，存储厂商能完全吃下现货价格上涨的红利。这种供需失衡让现货价格弹性大增，部分厂商靠涨价赚的钱，甚至可能超过签了长期协议的DDR5产品。

成熟内存涨势凶猛，DDR5的价格也没见松动。美国银行数据显示，DDR5-5600/6400 24GB现货价格8月环比又涨了8%，同比涨幅高达483%。回想2025年年中，一颗24GB DDR5芯片才卖8美元（约合人民币54元），如今已逼近47美元（约合人民币317元）。