又两家突破12英寸SiC技术

艾邦半导体网 2025-07-23 17:58

1. 天成半导体研发12英寸N型SiC单晶材料

7月23日,天成半导体官微宣布,公司成功研制出12英寸(300mm)N型碳化硅单晶材料。

天成半导体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产,先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺。12英寸N型碳化硅单晶材料的成功研发是天成半导体发展史上的一个重要里程碑。

2. 晶越半导体攻克12英寸SiC衬底

7月23日,晶越半导体官微宣布,公司继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后,公司持续投入并不断加大研发力度,并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺,在721日研制出高品质12英寸SiC晶锭,标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。

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在未来,晶越将持续投入研发、专注于打磨产品、提高良率和参数优化,努力打造国内领先碳化硅材料提供商。

文章来源:天成半导体、晶越半导体

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议题

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议题拟定中

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8月27号议题

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应用于三维封装的PVD 系统

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芯和半导体科技(上海)有限公司

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