尽管人工智能驱动的内存需求加剧了DRAM供应短缺，但有预测称，DRAM市场领头羊三星电子今年下半年的产能扩张速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先推进从10nm第五代（1b）工艺向10nm第六代（1c）工艺的升级，更加注重稳定良率而非扩大产能。
据《朝鲜商业》8月24日援引市场研究公司Omdia的数据，三星电子DRAM产能预计仅增长约6%，从去年的769.5万颗增至今年的817.5万颗。据估计，明年DRAM产能增速也将放缓至1.3%，总产能将达到828万颗。尤其令人担忧的是，在将老旧工艺DRAM设备过渡到第六代HBM（高带宽内存，HBM4）所采用的1c DRAM的过程中，可能会出现部分产能损失。
三星电子平泽园区的一位负责人解释说：“尽管平泽园区一直在稳步进行扩建投资，但利用现有生产线大幅提升DRAM产能以满足市场需求似乎很困难。”该负责人补充道：“公司的基本方针是注重尖端DRAM的良率和生产效率，而非单纯追求产能扩张，这体现了自去年以来一直坚持的副会长全英铉的基本理念。”
事实上，据悉平泽园区正在进行现有生产线的改造升级，以实现工艺转换。由于部分原本采用成熟工艺的生产线正在进行改造升级至第六代工艺，预计平泽工厂在三星电子DRAM总产能中的占比将从2025年的49.5%增长至2027年的55.4%。然而，需要指出的是，实际产能扩张速度可能低于表面数字所显示的水平，因为此次增长主要源于现有生产线的改造，而非新晶圆厂的投产。
另一方面，华城16号和17号生产线在过去三年中产能停滞甚至下滑。在2024年第四季度财报电话会议上，三星电子表示，由于全球存储器市场竞争加剧，传统产品的盈利能力有所下降，并宣布计划大幅降低传统DRAM和NAND闪存的占比，此前这些产品占DRAM收入的30%。事实上，业内人士解释说，华城12号生产线（已停止量产现有2D NAND闪存，并转型为华城15号生产线后端工艺的“末端工厂”）的改造工作已于近期完成，预计将有助于从下半年开始提升DRAM出货量。业内人士认为，16号和17号生产线的产能增长速度也已放缓，这与淘汰旧系统并重新利用其用途的趋势相吻合。
另一方面，SK海力士预计将保持两位数的增长，出货量将从2025年的606万颗增至2026年的666万颗（增长9.9%），并在2027年达到729万颗（增长9.5%）。因此，预计两家公司在DRAM产能方面的差距将在两年内缩小约39%，从2025年的163.5万颗（三星领先27.0%）缩小至2027年的99万颗（三星领先13.6%）。
由于三星电子此前在第五代（1b）DRAM的良率竞争中处于劣势，该公司一直坚持优先稳定良率而非通过扩大产能来提高产量。据报道，自副会长全英铉上任以来，该公司一直在主动调整产能利用率，重新审视所有产品的工艺和设计，并着重从第五代DRAM开始巩固产能稳定性。
此外，也有人指出，作为DRAM市场领头羊的三星电子，其战略选择可能会在今年下半年的供应短缺时期成为一种负担。论点是，SK海力士通过以新生产线为中心的扩张来缩小差距，而三星电子则有效地优先考虑了质量而非数量，这可能导致其在供应响应方面落后。
然而，也有人反驳说，基于晶圆投入量的供应能力并不能完全反映实际市场需求。解释是，最新的DRAM工艺具有更高的单晶圆比特密度，换算成比特数后，在一定程度上抵消了上半年严重的供需失衡。一位业内人士表示：“仅从晶圆投入量来看，三星电子的扩张速度似乎较慢，但从比特数增长来看，其实际供应能力正在提升。”他补充道：“然而，由于下半年DRAM供应短缺依然严重，内存市场的繁荣很可能还会持续。”
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