韩系存储巨头逆势加码：三星SK海力士在华NAND产能再扩张

【科技纵览】尽管地缘政治与供应链重构的论调甚嚣尘上，但商业逻辑往往比口号更为诚实。据快科技8月25日披露的消息，三星电子与SK海力士正同步加速其在中国大陆的NAND闪存生产布局，计划于明年前陆续完成新一轮关键设备投资。这两家韩国存储巨头的动作表明，中国产线已被重新定位为高端NAND量产的核心支柱。

值得注意的是，三星电子今年5月虽宣布退出中国电视及家电业务，却明确表态半导体板块将继续运营，西安与苏州工厂的生产不会中断。目前，三星已将西安工厂第九代NAND（V9）的转换投资具体化，并敲定了追加补充方案。V9 NAND采用280层堆叠架构，属当前最前沿产品之一，预计该产线月产能将攀升至4万至5万片晶圆。为夯实稳定量产基础，三星确定追加引入刻蚀工艺设备，相关采购订单有望在今年年底前落实，补充投资则定于明年下半年启动。

与此同时，停工约四年的SK海力士大连NAND工厂也已正式重启建设。自今年第三季度起，该公司在大连第二工厂推进NAND产品升级所需的设备投资，目标产能规模约为月产3万片晶圆，相关投入将持续至明年。此次重启扩产意味着SK海力士在华NAND产能建设进入实质性加速期，整体产能预计扩大约50%。两家巨头接连扩大中国产线投资，凸显了中国工厂在其高阶NAND布局中日益提升的战略地位，此轮扩产亦有望进一步强化其高端产品的全球供应能力。