三星电子正在加速推进其位于平泽第五园区（ P5 ）的首条量产生产线（Ph1 ）的建设。据28日消息，三星电子正与主要设备供应商商讨将Ph1设备安装的目标时间从原定的明年第三季度提前至明年第二季度。此举被解读为三星电子为应对人工智能（AI ）领域高价值DRAM和NAND闪存需求激增，迅速确保产能的决心。P5是三星
电子计划于2028年投产的下一代半导体生产基地。Ph1洁净室的建设已于今年第三季度启动。洁净室是一种用于控制晶圆厂内微污染、温度和湿度的基础设施。
此前，三星电子原计划于明年初建成P5 ph1洁净室，但后来将工期提前了约六个月。因此，P5 ph1设备的引进时间预计在明年第三季度左右。然而，三星电子近期加快了对P5设施的投资步伐。
一位业内人士表示：“三星电子已表示有意在明年5月或6月左右开始引进P5 ph1设备，而非原计划的7月或8月。”他补充道：“由于洁净室提前建设，工期已经调整过一次，但现在投资速度进一步加快。”
另一位消息人士解释说：“三星电子甚至表示，他们希望最早在明年第一季度就能接收设备，并表示会将其存放在其他地方。”他进一步解释说：“他们对P5项目的早期投资非常坚定。”
关于P5二期 （ph2）的投资讨论也正在成形。目前，P5一期 （ph1）很可能将建成DRAM和高带宽内存（HBM ）生产线，而二期（ph2）则极有可能建成一条最先进的NAND生产线，包括第十代（V10）NAND闪存。一位设备行业人士表示：“虽然正式的采购订单（PO）尚未发出，但三星电子正在与合作伙伴公司商讨将P5 二期（ph2）建成NAND闪存生产线的计划。”他补充道：“由于目前的设备交付周期（从产品订单到采购的时间）非常长，三星电子要求相关组件提前到位。”
三星电子加快资本投资步伐的主要原因是存储半导体短缺。目前，全球大型科技公司正在增加对高性能DRAM和NAND闪存的订单，以构建人工智能基础设施，但包括三星电子在内的存储厂商由于产能限制，无法满足所有需求。
三星电子在去年7月举行的第二季度财报电话会议上表示：“考虑到目前的需求，今年未满足的需求将被推迟到明年，这将导致额外的供应负担。”他还补充道：“我们预计明年的供应短缺将比今年更加严重，并且短缺情况将持续到2028年。”
（来源：编译自naver）
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