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力成科技计划在2027年年中实现扇出型面板级封装（FOPLP）技术量产。受AMD与博通的需求支撑，该项目规划产能大部分已被预订。这家中国台湾封测服务商，正围绕先进封装与光学集成打造第二增长曲线。
董事长D.K. Tsai表示，FOPLP初始中试产线投资约200亿新台币（约合6.25亿美元），预计2027年实现盈亏平衡。2028年月产能目标将达到5000块面板。Tsai称，预计到2030年都不会出现客户短缺问题。
力成科技已经进入AMD的AI芯片供应链，FOPLP生产预计2027年启动产能爬坡。该公司还宣布，将与博通在新加坡成立合资企业，开发先进基板重布线层（RDL）技术，并提供一体化生产能力。这家合资企业也帮助力成拓展光通信业务。
力成表示，光引擎组件预计2026年小批量出货，用于客户验证；2027年将投产基于硅光技术的共封装光学（CPO）交换机。
FOPLP产能向5000块面板推进
力成科技2016年就在实验产线上开展FOPLP技术研发。2018年确认该技术具备商业化潜力之后，公司下决心扩充产能、建设专用生产厂房。新厂房已于2023年完工并完成设备装机。
受客户保密协议约束，该项目大量细节此前并未对外公开。随着行业目光转向FOPLP与光通信，力成科技如今披露了更多面板级封装与先进光电集成路线图。
设备交付延期以及定制化需求，拖慢了初期产线建设进度。力成预计，2026年FOPLP月产能约1000块面板；2027年年中提升至2000块左右；2028年达成5000块面板的目标产能。
公司同时扩大生产布局。2025年末，力成收购友达光电位于新竹科学园区力行路的旧厂房、洁净室及配套设施，将该地块定位为先进封装长期生产与研发基地。厂房将分阶段完成交接，以此缩短扩产周期。力成P11工厂以及新收购的新竹厂区，将聚焦AI与高性能计算相关产品。
Tsai表示，随着出货规模提升，FOPLP中试产线的投资有望在2027年年中收回，该业务预计可为每股收益贡献约3新台币。他将FOPLP形容为 “我人生最大的一次赌注”。
Tsai称，如果把实现月产5000块面板所需的厂房、工程改造与设备全部算入，总投资规模可达700亿新台币。力成科技预期，从2027年起FOPLP将成为重要增长引擎，与现有盈利业务共同构成公司的双增长动力。
TSV与光引擎构筑下一代技术支柱
先进封装技术开发暨运营高级副总裁Jim Lin表示，力成的先进封装战略围绕三大核心技术搭建：FOPLP、硅通孔（TSV）与3D IC堆叠、光引擎集成。
FOPLP计划2027年年中量产。与此同时，力成的TSV及3D IC堆叠技术已经应用于DRAM以及其他3D IC产品，2026年第三季度启动量产，后续出货规模将逐步扩大。公司称，这将让力成成为少数能够支持TSV架构3D IC大规模生产的OSAT厂商。
在光引擎方面，力成采用了和台积电混合键合不一样的集成路线。公司利用微凸块，把电子集成电路（EIC）与光子集成电路（PIC）结合在一起。Lin介绍，当前PIC与EIC之间的节距仍大于约10微米，微凸块集成足以满足客户规格，同时还具备成本优势。力成计划2026年底小批量交付工程样品用于客户验证，CPO解决方案则会在2027年取得进展。
PiFO对比CoWoS、EMIB
Tsai称，力成自研的PiFO FOPLP平台，特别是Chip‑Middle（中间置芯片）架构，概念上和业界熟知的台积电CoWoS‑L架构相近。
他对比了几种先进封装架构。台积电CoWoS‑S采用大尺寸硅中介层，把系统级芯片与高带宽内存（HBM）互连，方案成熟，但成本偏高，同时存在产能约束。
反观英特尔EMIB架构，将小型硅桥嵌入ABF基板内部，只在SoC、HBM等器件需要互连的位置使用细节距硅桥。Tsai表示，该方案能够降低成本，但器件厚度、高度不一致，平面度控制难度大，工艺复杂度更高。
力成的方案把硅桥裸芯片放置在方形面板工艺当中，使用约2微米级的RDL互连线，互连不同I/O节距的SoC、ASIC、HBM以及小芯片。该平台支持Chip‑First（先贴芯片）、Chip‑Last（后贴芯片）以及技术难度更高的Chip‑Middle（中间置芯片）三种架构。
Lin表示，力成已经攻克FOPLP普遍存在的翘曲难题，工艺整合与良率成为当前主要制造挑战。
大型封装内部会包含数百万甚至上千万颗微凸块，单个连接点出现缺陷就会影响整体良率。Lin介绍，力成依靠全自动精密产线与严苛检测手段，已经把良率提升至90% 以上，长期目标为95%‑99%。
