统计周期：2026年8月21日—8月27日（GMT+8，含首尾）
一、本周核心摘要
本周化合物及功率半导体产业出现了一个值得重视的结构性变化：新能源汽车仍然是SiC最大的需求基本盘，但AI数据中心正在成为GaN和高压SiC的第二条增长主线，而传统硅基功率器件则率先出现供给收紧和价格上行。这意味着Si、SiC和GaN并不是简单的替代关系，而是开始在不同电压和功率区间形成更加清晰的分工。
中国企业本周披露的信息尤其集中。天岳先进的大尺寸SiC衬底继续放量；扬杰科技披露AI数据中心业务与SiC业务收入均接近翻倍，并完成新一代AI数据中心GaN HEMT研发；斯达半导的1500V SiC MOSFET模块已经进入1000V新能源汽车平台批量交付；华润微则在产能接近满载情况下进行产品价格调整。海外最值得关注的事件则是Navitas拟收购Claros，把GaN/SiC从传统PFC、DC/DC进一步延伸至AI xPU附近的垂直供电。
图1 功率半导体本周主线：Si、SiC、GaN三条技术路线同步升温
二、表1：本周要闻概览
三、SiC材料：从“6英寸扩产”转向“8英寸降本+12英寸技术卡位”
本周SiC上游最有代表性的信号来自天岳先进。公司披露的信息显示，2026年上半年收入保持增长，其中第二季度收入创单季历史新高并实现单季扭亏。更重要的是，大尺寸产品产销量继续增加，济南和上海基地维持较高利用率。
当前SiC产业竞争已经不再是“谁拥有SiC衬底技术”。8英寸量产能力正在成为真正的产业分水岭。大尺寸晶圆能够提高单片可切割die数量，但其经济性最终仍取决于长晶良率、缺陷密度、外延均匀性与器件端良率。
12英寸SiC短期并不会立即取代8英寸。功率器件制造生态目前才刚刚进入8英寸规模化竞争，因此未来三到五年真正决定成本的仍将是8英寸晶体良率、单片可用面积和器件良率。12英寸的意义更多在于提前占据下一代材料技术制高点。
四、SiC器件：1000V汽车平台开始把1500V器件推入量产
斯达半导半年报显示，公司第二代750V和1200V车规级SiC MOSFET模块已经持续大批量出货，覆盖400V和800V新能源汽车主驱平台；更重要的是，搭载第二代1500V SiC MOSFET芯片的模块已经率先在头部乘用车厂1000V平台车型实现批量交付。
这意味着汽车SiC竞争的电压平台正在继续向上迁移。随着800V进一步向900V/1000V演进，1200V器件的电压裕量下降，1500V及更高等级器件的重要性随之提升。同时，400—600A三电平SiC模块获得多个项目定点，也说明系统侧开始通过多电平拓扑降低器件开关应力并提高转换效率。
因此，国际IDM与中国本土厂商的竞争焦点正在从单颗MOSFET性能扩展至SiC die、模块封装、热管理、Gate Driver以及逆变器系统协同设计。
图2 SiC大尺寸与高压化演进：8英寸放量、12英寸卡位、1500V模块导入整车
五、GaN：AI数据中心成为快充之后真正的大功率增长市场
如果说SiC本周最重要的应用变化来自1000V汽车，那么GaN最值得关注的就是AI数据中心。扬杰科技半年报显示，其AI数据中心业务和SiC业务均保持较快增长，公司围绕新一代AI服务器电源开展器件选型、样品测试、可靠性验证和客户认证，多款产品进入导入阶段。
更关键的是，公司披露面向汽车和AI数据中心的新一代GaN HEMT已经完成研发，正在进入产品上市和客户导入阶段。国产GaN由手机快充、消费电子Adapter向AI Server PSU、48V/54V DC-DC、800V HVDC和SST延伸的路径正在变得清晰。
在这些应用中，GaN凭借高开关频率、低开关损耗和高功率密度，更适合数百伏级的高频转换；SiC则更适合高压前端、SST与高功率基础设施。未来AI供电更可能形成“SiC负责高压、GaN负责高频、IVR/VPD负责xPU近端”的分层协同，而不是简单的材料替代。
六、Navitas收购Claros：GaN/SiC竞争开始从“器件”走向Grid-to-xPU
本周全球市场最具战略意义的事件之一，是Navitas拟收购Claros。Claros开发Vertical Power Delivery（VPD）和Integrated Voltage Regulator（IVR）技术，核心目标是在AI GPU、CPU、TPU等xPU附近直接进行电压转换。
随着AI芯片功耗向千瓦级发展，传统PCB横向供电会带来明显I²R损耗、电压跌落和瞬态响应瓶颈。VPD/IVR通过把电源单元放到芯片下方或封装附近，把电力传输距离从英寸级缩短至毫米级。收购完成后，Navitas希望把SiC超高压转换、GaN高频转换与xPU近端供电组合成完整的Grid-to-xPU产品链。
这对Infineon、ST、onsemi等传统IDM也是一个重要信号：未来AI Power竞争不会停留在“谁的GaN导通电阻更低”，而会越来越强调从器件到完整电源架构的系统能力。
图3 AI数据中心带动GaN与SiC供电升级：从HVDC、SST到VPD/IVR
七、硅基功率器件：这一轮反而率先出现涨价
本周功率半导体市场另一个值得特别注意的现象，是传统Si器件价格景气改善速度反而快于SiC材料价格。多家媒体报道称，STMicroelectronics自8月23日起上调多条产品线价格，为年内第三轮调价；部分功率半导体厂商也在讨论新一轮价格调整。
华润微半年报进一步验证了这一供需变化。公司表示上半年订单充足，整体产能利用率已经接近满载，并根据市场供需状况对产品价格进行了相应调整。AI服务器虽然使用先进GPU，但其周边仍需要MOSFET、IGBT、二极管、PMIC、BCD等大量成熟制程产品，因此AI对先进制程和8英寸成熟功率器件形成了双重拉动。
需要注意，当前不是“功率半导体全面涨价”。硅基功率器件已经出现供需改善，而SiC衬底仍处在大尺寸化、产能消化和持续降本阶段，两者周期位置并不完全相同。
八、华润微：Si、SiC和GaN三条路线同时推进
华润微本周披露的技术平台体现了多技术路线并存的趋势。SiC方面，公司已经建立自主SiC JBS和SiC MOS工艺及封装体系；GaN方面，则同时布局D-mode和E-mode，并采用自主Si基GaN工艺。
这种布局反映了功率IDM未来的一种典型形态：低压以Si MOSFET为主，中高压仍由IGBT承担大量需求，高压高效率场景采用SiC，高频高功率密度场景采用GaN。谁能够同时拥有晶圆制造、器件设计和模块封装能力，谁越容易针对汽车、储能和AI客户做系统级优化。
九、其他化合物半导体：AI同步拉动III-V光电子
功率半导体之外，AI数据中心还在推动III-V光电子。Coherent本周预告PhotonLink平台，目标是把光源、光束整形、传输、接收与电光转换整合成完整的数据中心光链路，并支持CPO和NPO。
随着AI交换网络从800G向1.6T、3.2T推进，InP激光器、GaAs VCSEL及其他III-V光芯片需求同步提高。因此AI数据中心对化合物半导体的拉动实际上是双线的：Power端由GaN/SiC受益，Optical Interconnect端由InP/GaAs受益。
十、表2：本周关键技术进展及新产品
十一、三大终端市场变化
1. 新能源汽车：SiC从“渗透率竞争”转向“成本+高压平台竞争”
汽车依然是SiC最大的单一应用，但产业逻辑已经从“车企要不要使用SiC”逐渐变成“什么车型使用SiC、使用多少SiC，以及谁的成本更低”。中低价格车型能否大量采用SiC，将成为下一轮渗透率提升的关键；高端车型则继续向800V乃至1000V发展，推动1200V、1500V器件与模块需求。
2. 智能电网/储能：SiC电压等级继续向上
风光储、电网和SST正在成为高压SiC的重要应用。AI数据中心引入800V HVDC后，中压电网进入机房的电力转换环节需要更高频、更高效率的固态变压器和高压功率电子系统，推动1700V、3.3kV乃至更高电压等级SiC需求。
3. AI数据中心：GaN/SiC从边缘需求变成架构级需求
随着机柜功率由几十kW向数百kW甚至MW级演进，传统供电架构开始触及效率和布线极限。800V HVDC、SST、Intermediate Bus以及VPD/IVR等新架构使SiC、GaN和先进封装同时进入服务器电源体系。AI数据中心最大的价值不是单一器件数量，而是整个供电链价值量上升。
十二、中国功率半导体国产化竞争格局
中国功率半导体国产化已经从IGBT向SiC模块和GaN器件继续推进。材料端，天岳先进和天科合达在大尺寸SiC衬底上持续扩张；器件与模块端，斯达半导、士兰微、比亚迪半导体、华润微等形成多层次竞争；GaN方面，英诺赛科保持较强规模优势，扬杰科技开始向AI数据中心高功率应用切入；制造平台方面，芯联集成与三安集成承担Si、SiC和GaN的工艺平台建设。
与几年前相比，国产化评价标准已经从“有没有产品”转向“是否进入主驱、AI数据中心、SST等高价值场景，是否具备长期车规可靠性、芯片自制率、模块热管理与海外客户认证”。本土供应链正在从单点突破向材料—器件—模块—制造平台协同演进。
图4 中国功率半导体国产化竞争格局：材料、器件、模块与制造平台协同
十三、表3：竞争格局快照
十四、政策、监管与供应链影响
本统计窗口内没有出现新的重大SiC/GaN出口管制政策，因此本期不把旧政策包装成本周新闻。现有专利、贸易和区域供应链限制仍对GaN海外市场准入产生持续影响，但本周更直接的供应链信号来自功率器件价格上涨。
当前出现了明显分化：硅基功率器件供需改善，部分型号开始涨价；SiC衬底仍处于大尺寸化、产能消化和持续降本阶段。因此不能简单判断“功率半导体全面涨价”。真正改善最明显的首先是8英寸成熟制程相关MOSFET、IGBT、二极管和模拟电源产品。
十五、本周三大最具战略意义趋势
第一，SiC正式进入“8英寸制造效率竞争”，12英寸承担技术卡位作用。
对投资者而言，未来比名义扩产规模更重要的是8英寸产品占比、售价、良率和毛利率。对研发团队而言，重点将转向缺陷控制、长晶效率、外延均匀性以及更高电压等级材料。
第二，AI数据中心正在重写GaN和SiC的市场边界。
扬杰的AI GaN HEMT、芯联集成的高压SiC/SST验证以及Navitas收购Claros都指向同一件事：AI Power已经从普通服务器PSU升级成完整的电力架构问题。评价一家功率半导体公司是否真正受益AI，需要看它进入的是PFC、SST、HVDC、IBC还是xPU近端供电。
第三，中国国产化已经从IGBT向SiC模块和GaN器件推进。
斯达1500V SiC产品在1000V整车平台实现批量交付尤其值得关注，说明国产SiC已经从OBC/二极管逐步进入主驱核心功率模块。下一阶段门槛是长期车规可靠性、芯片自制率、模块热管理以及海外Tier-1认证。
十六、后续重点关注方向
· 大尺寸SiC材料：关注天岳先进、天科合达、Wolfspeed、Coherent的8英寸价格、良率以及12英寸商业化进度。
· AI Power GaN：关注Innoscience、Infineon、Navitas、扬杰科技和芯联集成在800V HVDC、SST与VPD/IVR中的客户导入。
· 1000V汽车SiC：关注Infineon、ST、onsemi、Rohm、BYD Semiconductor、StarPower、Silan在1500V器件与模块上的量产节奏。
· 传统功率器件价格：关注华润微、士兰微、扬杰、新洁能等8英寸产能利用率与涨价持续性，判断本轮周期是否由库存修复进入量价改善。
结论
本周化合物及功率半导体市场的核心变化，可以概括成一句话：新能源汽车正在把SiC推向更高电压，而AI数据中心正在把SiC和GaN推向更大的市场。与此同时，中国供应链已经出现明显的分层突破：大尺寸SiC材料、1500V汽车模块、AI GaN器件以及Si/SiC/GaN制造平台都在推进。
下一阶段产业竞争的重点，不再只是“第三代半导体替代硅”，而是Si、SiC、GaN分别在什么电压、什么功率等级、什么系统架构中形成最佳成本和效率组合。真正具备竞争优势的企业，也将从单一器件供应商逐渐转向能够提供材料—晶圆—器件—模块—系统级电源方案的综合平台。
