存储赛道迎来黄金周期，随着本土存储企业技术不断突破，存储芯片的国产化替代进程同样稳步向前。本次展会存储相关展区，各家国产存储厂商将聚焦高带宽内存、工业级存储、车规存储等方向，围绕AI服务器、边缘终端、车载系统的存储需求，探讨国产存储在算力时代下的机遇与挑战。
elexcon第23届深圳国际电子展暨嵌入式展将于9月9-11日在深圳国际会展中心隆重举办，本届展会完整展示国产存储创新产品，为千行百业提供高效可靠的数据底座。
部分展示企业如：长江存储、长江万润半导体、朗科、东芯半导体、宇瞻、科摩思、德明利、喻芯半导体、博雅、华迅、迈德迩、金胜电子、舜铭、华芯星、威刚、豪杰创新、捷龙存储等（以上排名不分先后）都将带来精彩亮相！
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展品速览
湖北长江万润半导体技术有限公司 16B50
产品介绍：
MI7000：采用自封工规Good Die颗粒；大容量，至多可到2048GB；支持软件PLP掉电保护、Agile ECC等算法；具有高性能、高可靠性、低功耗等特点。
MC7000：采用自封Good Die颗粒、智能纠错；实时监控设备状态、TBW；峰值性能更持久、双重温控；少卡顿，保障性能稳定发挥。
ME7000：出⾊的性能功耗⽐；稳定的QoS性能；端到端数据保护；异常掉电数据保护；固件在线升级｡
深圳市朗科科技股份有限公司 16A28
产品介绍：
US9固态手机U盘：Type-A+C双接口，支持手机电脑多设备；1000MB/s高速传输；酷炫超跑机身；支持Win to go
ZX20移动固态硬盘：2000MB/s读速，数据高效互传；支持电脑、手机等多设备连接；名片大小，差旅易携
绝影NV7000-t：7300MB/s读速，6700MB/s写速；Mini体积，兼容笔记本、台式PC；4TB容量空间；支持PS5扩展
HD10M2 Pr磁吸硬盘盒：一贴即合，边录边存；
东芯半导体股份有限公司 16C50
产品介绍：
SPI NAND Flash：单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。产品现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，目前工艺制程已经推进至1xnm先进工艺制程。
DDR3 (L)：东芯的DDR3（L）产品具备高传输速率以及低工作电压。可提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM，是主流的内存产品。在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等几乎所有电子产品领域都有广泛应用。
NOR Flash：可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，容量从64Mb到2Gb，1.8V/3.3V 两种电压，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。可广泛应用于各种应用场景。
PPI NAND Flash：兼容传统的并行接口标准，高可靠性。可提供容量从1Gb到16Gb，1.8V / 3.3V两种电压，多种封装方式的产品，以满足不同应用场景。在网络通信，物联网，工业控制等领域中广泛应用。
宇瞻科技股份有限公司 16B25
产品介绍：
工业级 DDR5 CQDIMM 内存模组：专为人工智能、高性能计算（HPC）、边缘服务器及各种数据密集型应用设计。 采用先进的四列CUDIMM架构，单条最大容量128GB，传输速度高达7200 MT/s，平衡高容量与高性能，以满足下一代计算平台日益增长的内存需求。
GraTherX DDR5 ECC CSODIMM 内存模组：GraTherX DDR5 ECC CSODIMM 是专为解决上述散热挑战所打造的模块级散热解决方案。在无风扇自然对流测试环境下，GraTherX DDR5 ECC CSODIMM 可实现：模块最高温降低最高 20°C；模块正反面温差缩小至约 1°C 以内。通过更均匀的热分布，大幅提升内存散热效率，使 DRAM 平均故障间隔时间（MTBF）提升 2.7 倍，并将故障率（FIT）降低 60%，有效提升系统长期运作可靠性。
深圳科摩思智能科技有限公司 16B39
产品介绍：
eMMC：eMMC产品高度集成化让数据传输更为高效，体积小，减少了PCB空间占用，降低了管理NAND Flash芯片的时间；大容量，高性能，低功耗，提供64GB-128GB容量选择，读速可达265MB/s，应用程序启动和数据传输更为高效，更低功耗设计可延长设备续航时长；高可靠性和安全性，支持断电保护、ECC纠错功能和内建坏块检测机制，以确保数据的安全性和完整性； 更优的寿命管理及性能优化支持动/静态磨损均衡算法化。
LPDDR4/4X：高速传输，低功耗，采用双数据速率架构，速率高达4266Mbps，加快多任务处理速度进而优化用户体验；电压低至0.6V，可有效延长设备使用时长。数据访问和使用更高效；通过可编程和动态突发长度以此更有效地管理数据访问，提高内存使用效率，进而优化设备的性能。
LPDDR5/5X：高性能，大容量，4GB-16GB多种容量选择；采用WCK信号设计从而提高数据传输效率，速率高达8533Mbps；低功耗，强稳定性，电压低至0.5V，采用了更先进的电源管理技术，如写入休眠模式和自适应电压调节，能更精细地控制功能，优化系统性能提高设备稳定性。
深圳市德明利技术股份有限公司 16A50
产品介绍：
嵌入式存储eMMC：遵循JEDEC eMMC 5.1标准，带有eMMC接口，将闪存及主控制器集成于一个小的BGA封装内，提供高可靠性、高性能和低成本的存储解决方案。
固态硬盘M.2 2280 PCIe4.0x4：提供M.2 2280/2230规格，容量256GB-4TB，读取最高7400MB/s，写入6800MB/s，NVMe协议，3.3V低功耗，0-70℃稳定运行，满足高性能存储需求。
固态硬盘2.5 Inch SATA：SATA III 6Gbps接口，容量128GB-4TB，读写速度达560/520MB/s，AHCI协议，5V供电，0-70℃稳定运行，兼容主流笔记本和台式机。
武汉喻芯半导体股份有限公司 16C70
产品介绍：
喻芯国产企业级SSD：采用PCIe 5.0×4 + NVMe 2.0架构。面向数据中心、云计算、数据库、AI/HPC 与虚拟化场景的旗舰级企业级U.2固态硬盘。支持热插拔。3D TLC 闪存，提供 R 读密集型与 M 混合负载型双系列。支持 SMBus 带外管理与 NVMe-MI，断电仍可读取盘体信息。FFU 在线固件升级业务不停机，Sanitize 安全擦除。
喻芯国产UFS：喻芯UFS 2.2系列符合JEDEC标准的高性能嵌入式存储芯片，面向高端智能终端、平板、IoT网关、工业设备。遵循 JEDEC 标准的高性能嵌入式存储芯片。顺序读写达 1074/922 MB/s，随机读写 180K/206K IOPS。支持 Write Booster 写入加速、RPMB 安全分区、双重写保护与 FFU 现场固件升级。动态功耗管理，休眠模式功耗极低，适配旗舰 SoC 平台。
喻芯国产eMMC：喻芯半导体eMMC5.1是行业主流存储芯片，高集成度国产晶圆及先进封装技术，SoC平台良好兼容性，支持工规宽温，可广泛应用于网络通信，机顶盒，电视，消费电子，智能终端，物联网等领域。
珠海博雅科技股份有限公司 16B04
产品介绍：
NOR Flash: 全系列，容量涵盖512Kb~2Gb，SPI和Parallel两种接口，高、低、宽压多种规格电压。极高性能，STR/DTR频率最高达 200MHz，擦写时间极短，支持Octal接口，最高读写速度高达3200MBit/s。极高可靠性，20年数据保存时间，10万次P/E Cycle，支持温度高达125℃，支持ECC, CRC，为客户带来极大保障。
EEPROM: 全系列，支持IIC和SPI两种接口，容量覆盖1Kb~2Mb。
安徽华迅科技有限公司 16B08
产品介绍：
武迅HX53E：HX53E系列是一款低功耗高速SDRAM，兼容LPDDR4与LPDDR4X双电压I/O标准（1.1V/0.6V），支持最高4266Mbps数据率及64Gb容量。芯片内部每通道配备8个Bank，支持并发访问以提升数据带宽。功耗控制上，VDD2仅需1.1V，配合0.6V超低I/O电压。广泛适用于智能手机、平板及IPC摄像头等智能视觉终端。
固态分为PCIe与SATA两大系列。PCIe系列中，WX-P3采用NVMe协议，搭载高性能主控与3D TLC颗粒，顺序读写达3500/3100 MB/s；WX-P4为PCIe 4.0，搭配长江存储颗粒，读写高达7400/6500 MB/s。SATA系列中，WX-S25为2.5英寸，搭配原厂颗粒，顺序读写达550/520 MB/s；WX-M2S为M.2 SATA协议，顺序读写同样达550/520 MB/s。适配台式机、笔记本等。
WX-TF卡是安徽华迅科技推出的高性能microSD存储卡，提供8GB至128GB容量选择。顺序读取速度高达100MB/s，顺序写入速度高达90MB/s。产品尺寸为15×11×0.7mm，支持叠Die封装。具备耐高低温、防摔、抗冲击等特性，广泛兼容智能手机、平板、监控摄像头、行车记录仪及游戏机等主流设备。
深圳市迈德迩半导体有限公司 16B35
产品介绍：
主营消费级固态硬盘，涵盖eMMC嵌入式存储与SSD高速固态两大核心产品，依托成熟闪存技术，兼具稳定耐用、低功耗、高适配性等优势，适配多场景民用及智能终端存储需求。
eMMC为一体化嵌入式存储方案，结构精简、成本可控、功耗更低，适配轻量化智能设备，广泛应用于智能手机、智能电视、智能手表、智能门锁等消费终端，可充分满足日常基础数据存储与快速读写需求。
SSD固态硬盘主打高性能、高速读写、强兼容与稳定扩容，算力与多任务处理能力突出，适配高端场景，核心应用于笔记本电脑、安防设备、物联网终端、人工智能及服务器等设备，高效承载大容量数据读写、存储与传输工作，全方位适配多元化消费级存储场景。
深圳市金胜电子科技有限公司 16D40
产品介绍：
M.2 PCIe4.0 2280 固态硬盘，峰值读写速度达7400/6500MB/s，4K 随机读写650000/670000 IOPS；支持宽温工况稳定运行，平均无故障时长200万小时，容量区间覆盖256GB~4TB，高耐久高可靠适配工业及算力类存储场景。
M.2 PCIe4.0 2242 固态硬盘，峰值读写速度达5100/4500MB/s，4K 随机读写400000 /630000 IOPS；通过严苛振动跌落测试，平均无故障时长 200 万小时，容量覆盖 256GB~1TB。
SATA DOM 采用直插式结构，无需额外供电布线；搭载TLC闪存、SATA III 接口，具备强抗震抗跌落、-40℃~85℃超宽温运行、200 万小时长 MTBF高可靠性。
无锡舜铭存储科技有限公司 16C16
产品介绍：
FRAM产品量产晶圆
深圳华芯星半导体有限公司 16B30
产品介绍：
TF卡：商规级TF卡，具有超高清、低功耗、高速读写特性，适用于电子学习、IP摄像头、行车记录仪、安卓设备、游戏机等。工规级TF卡，耐用、稳定、可靠，适合恶劣环境中长时间运行，用于工业、医疗、交通等领域。容量：16GB-2TB；速度等级：C10, U3, V30, A1, A2A1速率：90MB/s；50MB/sA2速率：180MB/s；135MB/s。
eMMC5.1分为商规级、工规级和车规级，在复杂多变的应用场合下，满足客户对eMMC大容量、高性能、低功耗、兼容性和稳定性的苛刻要求。容量：4GB-256GB；协议：eMMC 5.1，向下兼容至3.1；读取速度：最高330MB/s；写入速度：最高240MB/s；尺寸(mm)：11.5x13x1.0。
工规级Nand Flash具有高密度封装、优异的电气性能、高可靠性、易于自动化生产以及良好的机械强度和耐久性等特点，是许多高性能工业级电子设备的首选封装方案。企业级Nand Flash封装技术具备高密度引脚、优异的热管理和电气性能、抗震性、可靠性等优点，特别适用于要求高性能、高可靠性、紧凑设计和长期稳定性的企业级产品。容量：128GB-512GB
工业级SSD采用 TLC 闪存芯片研发，拥有更高的带宽和速度支持数据密集型应用，如数据库、高性能计算和虚拟化，是现代数据存储解决方案中的重要选择，特别是在高需求的工业环境中。容量：64GB-4TB；接口：M.2 / mSATA / SATAIII；协议：NVMe1.4 / NVMe1.3 / SATAIII；工作温度：-40℃~+85℃
威刚科技股份有限公司 14B63
产品介绍：
TRUSTA T7P5 Gen5 eSSD 是我们的旗舰企业存储解决方案，旨在满足高端数据中心的严格需求，实现卓越的速度与行业领先的能效完美协同。
T7P5基于NVMe 2.0c协议，配备PCIe Gen5 x4接口，采用先进的eTLC NAND技术，为关键任务负载提供卓越的服务质量（QoS）和可靠的24小时运行。
T7P5 设计注重最大可靠性和数据完整性，配备了全面的企业级功能套件，包括断电保护（PLP）、SMBus 管理和智能热节流，确保在高热负载下持续性能。为保护敏感数据，支持TCG Opal SSC和AES GCM硬件加密。
深圳豪杰创新电子有限公司 16A16
产品介绍：
SSD-类工规存储系列：类工规存储系列SSD，采用原厂精选NAND，经过严格测试和强化筛选，具有更高的稳定性，产品涵盖如下：M.2 NVMe PCIe Gen 3×4 SSD / M.2 SATA III SSD / 2.5" SATA III SSD;广泛应用于端侧AI、工控机、医疗设备、NAS存储等领域。
SSD-专业存储系列：专业存储系列SSD，采用原厂高品质NAND，兼具专业性能与稳定高效的品质，产品涵盖如下：M.2 NVMe PCIe Gen 5×4 SSD / M.2 NVMe PCIe Gen 4×4 SSD / M.2 NVMe PCIe Gen 3×4 SSD / M.2 SATA III SSD / 2.5" SATA III SSD;广泛应用于专业应用领域，如AI PC、智能终端、商显设备等。
行业存储卡系列：行业存储卡系列涵盖microSD卡、SD卡、SD NAND等产品，兼具迷你尺寸和高效性能的特点，广泛应用于行车记录仪、无人机、安防监控、嵌入式设备等等。
深圳市捷龙存储科技有限公司 16B33
产品介绍：
eMMC：CAPLINK eMMC 5.1 属于消费级嵌入式存储芯片，提供 32GB 至 64GB 主流容量选择，搭载 3D TLC / 3D QLC 闪存，HS400 高速接口，顺序读取速度可达 300MB/s，顺序写入速度最高 200MB/s。采用 BGA‑153 封装，即焊即用。产品运行稳定、功耗低，拥有 1 年质保。适配智能手机、平板电脑、智能电视、机顶盒、智能音箱、入门级笔记本等各类消费电子产品。
PCIE Gen4*4 NVME(7000MB/s)：CAPLINK PCIe 4.0×4 NVMe SSD 为旗舰级高速固态硬盘，M.2 2280 标准规格，容量覆盖 128GB 至 4TB，顺序读取最高 7000MB/s，顺序写入最高 6400MB/s。采用高品质 3D TLC/QLC 闪存颗粒，拥有出色的读写性能与可靠性，工作温度 0℃‑70℃，提供三年原厂质保。专为高性能主机、工作站打造，可流畅运行大型游戏、4K/8K 视频剪辑、大数据运算等严苛业务。广泛应用于高速台式机、笔记本、商用终端、工作站等设备。
DDR5：CAPLINK DDR5 内存模组，紧跟次世代内存技术标准，覆盖 8GB/16GB/32GB/64GB 丰富容量规格，支持 4800、5200、5600、6000、6400MHz 等多种主流频率，工作温度 0℃‑70℃，适配更广使用环境。产品采用低功耗设计，传输效率大幅提升，支持 ECC 校验，有效保障数据可靠性。专为游戏发烧友、创作者及高性能算力场景设计，拥有更大带宽，可轻松驾驭大型游戏、视频剪辑、多任务并行处理等高强度工作，兼顾消费级主机与商用设备，稳定输出强悍性能。
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