SK海力士拟引入英特尔代工，打破台积电HBM基础裸片垄断

【科技纵览】据《韩国先驱报》8月31日披露，SK海力士正筹划推进先进高带宽内存（HBM）基础裸片供应商的多元化布局。业界传闻指出，英特尔代工部门有望在HBM4E世代切入该领域，从而终结台积电在此环节的单极供应格局。

回顾技术演进路径，从HBM1至HBM3E阶段，基础裸片的逻辑电路需求尚可通过与DRAM晶粒同款的存储半导体工艺予以满足。然而，随着架构复杂度攀升及性能、功耗、面积（PPA）指标要求的严苛化，SK海力士自HBM4起将基础裸片制程切换至逻辑半导体工艺，据悉其当前采用的正是台积电12nm节点。

值得注意的是，消息人士透露，台积电的基础裸片报价远高于SK海力士自产DRAM晶粒的成本水平。若英特尔代工成功跻身第二供应商行列，无疑将增强SK海力士在与台积电谈判时的议价筹码，缓解成本压力。针对上述报道，SK海力士方面回应称“难以确认有关本公司技术路线图的内容”，并直言“部分内容与事实不符”。这一表态虽显谨慎，却也折射出头部大厂在供应链博弈中的微妙平衡。