传英特尔，拿下大客户

AI算力需求持续爆发，HBM供应链再掀变局，韩国记忆体大厂SK海力士传出正寻求分散高频宽记忆体（HBM）关键零组件供应链，计画最快从第七代HBM4E开始，将部分基础芯片（Base Die）生产交由英特尔代工，借此降低代工成本、提高议价能力，也意味着台积电在HBM基础芯片领域的单一供应格局可能出现变化。

据韩国《先驱经济》报导，SK海力士目前正研拟建立HBM基础芯片的多供应商体系，过去相关基础芯片主要委托台积电生产，未来则可能将部分订单转向英特尔，透过引进第二家代工厂，降低对单一供应商的依赖。

不过，SK海力士目前并未证实相关计划，公司对此回应表示，有关技术路线图的内容「难以确认」，部分报导内容也「与事实不符」，关于将HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，并未进行相关探讨。

HBM的基础芯片位于整个堆叠结构最底层，主要负责连接GPU、CPU等外部处理器与HBM之间的高速资料传输，不仅是HBM的重要控制核心，其制造成本也会直接影响HBM产品的整体毛利。

报导引述业界人士透露，目前量产中的HBM4，其基础芯片由台积电采用12纳米级制程生产，成本可能是SK海力士自行以1b制程，也就是10纳米级第五代制程生产Core Die的3至4倍。

随着HBM进入HBM4E世代，基础芯片的成本压力可能进一步放大，尤其HBM供应商与主要客户之间普遍存在长期供应协议（LTA），价格并不容易随着代工成本上升立即转嫁，因此SK海力士若能引进英特尔成为第二供应商，除了分散供应风险，也能利用供应商之间的竞争压低成本。

报导指出，双方未来甚至可能在先进封装领域进一步合作。 SK海力士美洲封装工程副总裁日前在美国矽谷举行的Hot Chips高性能半导体与计算架构会议上表示，公司目前正在针对台积电CoWoS-S、CoWoS-L，以及英特尔EMIB等主流先进封装技术进行比较、分析与测试。

这也代表英特尔的EMIB技术已经进入SK海力士的技术评估范围，如果未来SK海力士与英特尔合作从基础芯片代工进一步延伸至先进封装，两家公司在AI芯片供应链的合作深度可能明显提升。

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