英伟达NVHBM技术重构内存价值链，三大巨头议价权遭削弱

【区角快讯】9月1日，快科技披露了英伟达在Hot Chips 2026大会上的重磅动作：正式推出NVHBM定制高带宽内存方案。这一举措看似仅是将内存控制器从XPU主芯片“搬迁”至HBM堆栈底部的基片（Base Die），实则暗藏玄机，直指三星、SK海力士及美光这三大存储巨头的核心利益版图。

业内分析指出，HBM基片的制造成本约为普通DRAM核心的三至四倍，NVHBM正是英伟达攫取这部分高额附加值的关键手段。在传统架构中，基片仅承担高速接口连接功能，而内存控制器则占据了XPU主芯片宝贵的计算面积。通过集成化设计，NVHBM不仅让主芯片释放出高达25%的面积用于增强计算单元，更实现了单堆栈带宽较标准HBM4E提升30%、功耗降低15%以及PHY和支持面积缩小67%的性能飞跃。

更为深远的变革在于价值链的重新洗牌。以往，三大厂商凭借基片与DRAM核心的整合供应能力掌握着强势议价权；如今，随着英伟达自行设计基片内的控制器与接口，三大厂退居为按规格制造的代工角色，定价权随之向控制器设计者倾斜。市场反应迅速，亚马逊旗下Annapurna Labs已率先在Trainium4 AI芯片中采用该技术，联发科也在五天内采纳NVLink Fusion方案，并获得了英伟达35亿美元的资金支持。

值得注意的是，由于对标基准HBM4E尚未正式出货，NVHBM的实测性能仍有待验证。但从战略层面看，英伟达意图清晰：在客户不自研计算Die的前提下，通过掌控基片层，将内存子系统的核心价值牢牢锁定。尽管三大厂仍在生产DRAM核心，但利润最丰厚的那一层，已然归属英伟达。