
据确认,三星电子正计划逐步停止在其天安(Cheonan)工厂进行移动应用处理器(AP)——Exynos 芯片的封装生产,并将该设施全面转型用于高带宽内存(HBM)的生产。尽管现有产品暂时仍将在天安工厂处理,但据报道,公司已决定不再为未来的 Exynos 机型增设生产线,而是选择将相关业务转移至温阳(Onyang)工厂。

此举反映了三星电子调整天安工厂后端生产能力的战略,旨在应对不断扩大的 AI 半导体市场需求,将重心转向 HBM 等高价值存储产品。
据半导体行业消息人士 9月15 日透露,三星电子正推进一项计划,逐步淘汰天安工厂的 Exynos 相关封装生产。公司打算继续在天安工厂处理当前机型(如用于部分 Galaxy S26 系列和 Galaxy Z Flip 8 的 Exynos 2600),但不会为未来的产品发布设立专门的封装生产线。
三星下一代移动 AP“Exynos 2700”的封装工序将在温阳工厂进行。这一决定被解读为与三星近期的封装战略调整相一致,即在未来的 Exynos 芯片中放弃扇出型晶圆级封装(FO-WLP)技术。与天安工厂不同,据报道,温阳工厂缺乏 WLP 工艺所需的部分关键设备。
三星电子一直在考虑从 Exynos 2700 开始,不再采用此前机型所使用的 FO-WLP 封装方式。这一决定源于出于盈利考量而采取的新结构策略:虽然 WLP(晶圆级封装)改善了散热性能,但也因工艺复杂性和良率挑战推高了制造成本。一位知情业内人士表示:“据了解,公司计划从明年开始逐步停止天安(Cheonan)工厂的 Exynos 封装业务。不过,由于现有设备可重新用于 HBM 生产,这些设施不会被拆除,而是会全面转型为 HBM 封装产线。”该消息人士补充道:“计划是在天安工厂继续生产已具备量产条件的现有型号,而将未来的新产品交由温阳(Onyang)工厂负责。”
三星电子在 2024 年发布的 Exynos 2400 芯片上首次采用了晶圆级封装(WLP)技术。WLP 技术是指在晶圆切割成独立芯片之前,就在晶圆层面进行电气互连和塑封等封装工序;这种方法因能实现更薄的封装并提升散热性能,被视为高性能移动应用处理器(AP)的理想选择。
尽管 Exynos 2600 仍沿用了 WLP 技术,但三星计划在下一代 Exynos 2700 芯片上放弃该技术,转而采用“并排”(Side-by-Side,简称 SbS)结构,即将 AP 和 DRAM 并排放置在同一基板上。不过,预计该公司将保留“热路径块”(Heat Path Block,简称 HPB)设计——这是一种随 Exynos 2600 首次引入的铜基散热结构。
因此,此前负责 WLP 业务的天安工厂在 Exynos 封装方面的作用自然会减弱。据报道,相关业务的人员已开始将工作地点从天安转移至温阳。一位相关人士解释称:“据了解,目前驻扎在天安的 Exynos 封装人员正前往温阳,商讨下一代产品的相关事宜。看来新款 Exynos 产品将不再在天安生产,当然,内部计划随时可能发生变动。”
三星电子一直将天安和温阳基地作为半导体后道工序(封装测试)的核心枢纽。特别是天安基地,为了应对近期激增的 HBM 需求,已成为先进封装设施投资的重点区域。三星目前正通过租赁天安(Cheonan)第三一般产业园区内三星显示(Samsung Display)厂区的闲置厂房,来扩大其 HBM(高带宽内存)先进封装产能。
随着此前用于 Exynos 芯片的 WLP(晶圆级封装)设备被转用于 HBM 生产,天安厂区预计将日益专注于存储产品的先进封装业务。三星计划通过扩大 HBM 封装产能,加速夺回市场份额榜首位置。
据市场研究机构 Counterpoint Research 数据显示,三星电子在第二季度占据了 HBM 市场 33% 的份额——同比大幅增长 18 个百分点,环比增长 12 个百分点。相比之下,市场领跑者 SK 海力士(SK Hynix)同期市场份额为 50%,较上一季度下降了 8 个百分点。
然而,此次生产线调整并不被视为三星缩减 Exynos 业务的信号。该公司正继续开发 Exynos 2700 芯片,并积极推动其在下一代旗舰 Galaxy 设备中的应用。三星电子系统 LSI 业务部销售团队负责人、执行副总裁 Shin Seung-chul 在近期的财报电话会议上表示:“三星电子正在持续提升 AI 性能,敲定下一代旗舰级 SoC(系统级芯片)订单,并稳步推进产品开发与生产。”他补充道:“AI 技术的普及正推动定制化 SoC 需求的增长,因为客户需要针对其特定产品和服务进行优化的半导体解决方案。”
他还指出:“我们正通过提供涵盖设计、代工(Foundry)、存储和封装的综合解决方案来拓展全球业务。”并补充道:“我们将通过持续扩大客户群和争取更多订单,巩固在定制化 SoC 市场中的领导地位。”

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