美光豪赌HBM4产能翻倍，誓追三星海力士

【区角快讯】当AI算力竞赛进入白热化阶段，存储巨头间的“军备竞赛”也愈发激烈。美光科技近期动作频频，正筹划在年底前实施大规模设备投资，旨在全力拉升最新一代HBM4 12层产品的供应水位。这一激进策略的背后，是美光试图缩小与三星电子、SK海力士在HBM产能上的巨大落差，进而争夺更多市场份额的野心。

据悉，此次扩产力度可谓空前。美光计划至今年底新增最多6万片/月的HBM产能（以晶圆计）。回顾去年，其月产量仅在4万至5万片之间徘徊；若年底顺利达成10万片规模，意味着产能将实现两倍以上的跃升。这种底气，主要源于HBM4爬坡速度远超预期。美光CEO梅赫罗特拉曾在6月财报会上透露，12层HBM4的量产爬坡速率约为12层HBM3E的两倍，且累计出货营收已突破10亿美元大关。

目前，美光的HBM产出仍以HBM3E 12层为主力，但HBM4 12层的占比正快速攀升——从今年初的20%至30%，预计年底将触及50%的高位。值得注意的是，12层HBM4将专供英伟达最新的AI加速器Vera Rubin，而美光自第二季度起便已启动该产品的量产。

然而，差距依然悬殊。业界估算显示，三星与SK海力士目前的HBM月产能各约15万至20万片，大致为美光当前水准的3到4倍。Counterpoint Research的数据更直观地揭示了格局：二季度SK海力士以50%份额领跑全球，三星占32%，美光则占据18%。

目光投向未来，美光已在布局下一代产品。预计HBM4E将于2027年开始放量，首批样品将采用1-gamma（1γ）制程的DRAM模组打造。核心DRAM升级至首次导入EUV的1γ工艺，基底芯片则转由台积电代工。这场关于速度与良率的博弈，才刚刚开始。