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美光本次上调投资的目的是，让美国在2035年实现40%的DRAM生产。
今日，全球存储芯片领军企业美光科技宣布，大幅上调美国本土长期资本开支目标，计划到2035年累计在美国制造、研发、先进封装领域投入总额突破2500亿美元，较此前2000亿美元规划新增500亿美元投入。
公司同步明确核心产能战略：长期目标将美国本土DRAM产量占全球总产能比例提升至40%，依托本土规模化制造能力承接人工智能时代爆发式内存需求。作为落地项目标杆，美光位于爱达荷州博伊西的首座全新先进晶圆厂建设进度超预期，设备进场筹备有序推进，预计2027年年中即可下线首片DRAM晶圆，成为美国近二十年来新建的首座高端存储制造基地。
此次千亿级扩产计划出台，核心驱动力来自AI算力基础设施扩张带来的存储结构性紧缺。美光管理层在官方声明及投资者沟通会上表示，大模型训练、AI推理服务器、自动驾驶、人形机器人等新兴产业，正在彻底重塑内存市场需求逻辑，DRAM、高带宽内存HBM从传统电子配套元器件转变为算力体系核心战略硬件，行业迎来持续性超级周期。数据显示，当前全球头部云厂商AI服务器采购量连年翻倍，单台AI训练服务器内存搭载量是传统数据中心设备的8至15倍；高带宽内存HBM作为AI加速卡刚需配套，2026全年产能已全部被头部客户长单锁定，行业机构预测HBM市场年复合增速接近40%，2028年市场规模将突破千亿美元大关。旺盛订单支撑美光业绩持续走高，公司最新财季营收突破415亿美元，毛利率攀升至84.9%，充沛现金流为千亿级长期投资提供稳定的财务底座。
从产能布局逻辑来看，2500亿美元投资并非单一建厂支出，而是覆盖多州、全产业链的完整产业布局，分为制造扩产、前沿研发、本土供应链配套三大板块。资金将集中投向爱达荷州、纽约州、弗吉尼亚州三大核心基地：爱达荷博伊西总部规划两座60万平方英尺无尘车间的先进DRAM晶圆厂；纽约州同步推进最多四座巨型存储晶圆厂，建成后将拥有全美最大规模半导体洁净空间；弗吉尼亚州现有工厂完成制程现代化改造，聚焦车规、工业级存储量产；配套新增全流程HBM先进封装产线，补齐美国本土高端存储封装短板。整体投资规划落地后，全美将新增约9万个直接与间接就业岗位，覆盖晶圆制造、设备运维、材料供应、研发技术等全链条高薪岗位，同步联动地方高校开设半导体STEM专业，搭建本土产业人才培养体系。
当前全球先进DRAM制造产能高度集中于东亚地区，美光、三星、SK海力士主流产线均布局海外，美国本土仅保留少量成熟制程产线，高端存储对外依赖度极高。美光表示，40%的本土产能目标将平衡全球制造布局，一方面就近服务北美云厂商、AI初创企业、军工航天客户，缩短产品交付周期、降低供应链物流风险。长期来看，本土规模化制造将实现研发与制造同址协同，爱达荷研发中心与新建晶圆厂联动，新一代1β、1γ先进DRAM制程、下一代HBM产品的迭代速度将显著提升，巩固美光在高端内存赛道的技术领导地位。
爱达荷州博伊西晶圆厂是本次扩产计划的先行落地项目，进度大幅优于初期规划，成为验证美国本土存储制造可行性的关键工程。这座投资规模超150亿美元的工厂，也是爱达荷州史上最大单笔私人产业投资，场地平整、基建结构施工已全面完成，2026年内启动核心半导体设备进场安装调试，将量产面向AI数据中心的高端DRAM与HBM配套裸片，单厂建成后可创造2000个美光直属岗位，带动周边配套产业新增1.5万就业机会。按照最新工期指引，工厂将在2027年年中产出第一片完整DRAM晶圆，第二座同规格晶圆厂同步开展地基筹备，预计2028年底投产，两座工厂合计将大幅拉高美国本土先进存储晶圆供给能力。项目建设过程中，美光同步配套30亿美元供应链扶持资金，与全球硅片大厂签署十年原材料长约，保障晶圆制造核心原料稳定供给，破解美国本土半导体材料配套薄弱难题。
