7 月 9 日，国产唯一规模化 DRAM IDM 厂商长鑫科技（市场俗称长鑫存储） 在上交所披露完整发行安排公告，科创板 IPO 时间线正式落地，这也是科创板史上第二大 IPO、本年度 A 股规模最大科技企业上市项目。
一、打新时间与代码（以公告为准）
7 月 13 日（T-3）：机构初步询价，划定发行价区间
7 月 15 日（T-1）：刊登正式发行公告，公布最终发行价
7 月 16 日（T 日，重点）：网上、网下同步申购
证券 / 网下申购代码：688825
普通散户网上打新代码：787825
网上申购时段：9:30-11:30、13:00-15:00
7 月 20 日（T+2）：中签缴款截止日
二、国产存储突围：从连年亏损到半年净利超 500 亿
长鑫是国内唯一实现 DRAM 全流程自主量产的企业，打破三星、美光、SK 海力士多年垄断，当前 DRAM 全球份额稳居全球第四、国内第一。 随着 AI 服务器爆发带动存储超级周期，公司业绩迎来史诗级反转：2026 上半年预计净利润 500 亿 - 570 亿元，同比最高暴涨 2544%，日均盈利近 3 亿元；DDR5、LPDDR5X 已批量导入手机、国产 AI 服务器，同步推进 HBM 存储研发，适配国内算力芯片需求。
长期受制于海外半导体管制，国内 HBM 高端内存供给一直存在缺口，而长鑫募资后将加速高端存储产线建设，叠加此前 JEDEC 发布的 SPHBM4 低成本 HBM 标准，国产 AI 算力存储自主可控进度将大幅提速。
三、产业意义：存储“卡脖子” 关键一环迎来资本化
补齐算力基础设施短板 AI 训练、推理高度依赖 DRAM 与 HBM 内存，海外出口管制持续收紧，长鑫量产高端存储后，将为壁仞、华为等本土 AI 芯片厂商提供稳定国产内存供给。
完整存储产业链成型 合肥已形成覆盖设备、材料、晶圆、封测的存储产业集群，长鑫登陆科创板后，将带动上下游配套企业同步扩产，形成正向产业循环。
国产存储双雄齐冲刺 继长鑫启动申购后，长江存储也已完成 IPO 辅导，DRAM、NAND 两大存储赛道龙头相继登陆资本市场，国产存储正式进入规模化盈利、全球化竞争新阶段。
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