长鑫存储LPDDR5X来了！速率高达10667Mbps，跻身国际主流水平！

电子发烧友网报道（文/黄晶晶），日前从长鑫存储官网查阅到，长鑫存储已正式发布LPDDR5X内存。

据官网介绍，LPDDR5/5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。

长鑫存储LPDDR5X 首创uPoP小型封装，满足移动旗舰手机更轻更薄的需求，以超强性能优化使用体验，助力设备突破性能瓶颈，开启移动智能新体验。

在近日举办的IEEE第十六届国际ASIC会议上，长鑫存储副总裁李红文在ASICON闭幕会议上披露了LPDDR5X产品研发进展。

据介绍，长鑫存储已正式推出 LPDDR5X 系列产品，包含12GB、16GB、24GB、32GB 容量，提供多种封装方案，速率覆盖 8533Mbps、9600Mbps至10677Mbps。同时在研厚度仅 0.58mm 的业内最薄LPDDR5X。

电子发烧友网此前多篇报道跟进存储厂商的LPDDR5X产品进度。其中，美光在今年上半年宣布，正在交付全球首款基于1γ工艺的LPDDR5X内存样品。该产品采用第六代10nm级别1γ（1-gamma）DRAM，速率达到10.7Gbps。1γ工艺的LPDDR5X是美光首款采用EUV光刻技术打造的移动解决方案，可获得业界领先的容量密度。该LPDDR5X提供当时业界最薄的0.61mm封装，相比竞争对手的产品薄了6%，高度比上一代产品降低14%。更为小巧的LPDDR5X为智能手机制造商设计超薄或可折叠智能手机提供更多可能性。

美光正在向选定的合作伙伴提供基于1γ工艺的16GB LPDDR5X内存样品，可选容量8GB至32GB，或将于2026年的旗舰智能手机采用。

另外，2024年三星电子推出12纳米级别LPDDR5X DRAM芯片，专为低功耗RAM市场设计，主要面向具备设备端AI能力的智能手机。三星LPDDR5X通过从策划到设计、工艺、PKG技术等与各开发部门的合作，实现了业界最快的10.7Gbps速度和当时业界最薄的0.65mm厚度。

SK 海力士基于第5代10纳米级（1b nm）工艺的 16Gb LPDDR5X 内存已于去年 4 月开发完成、同年 10 月量产。SK 海力士的 1b nm 16Gb LPDDR5X 运行速率为 10.7Gbps，相较上代9.6Gbps LPDDR5T 速度高出约 10%，能效方面提升达到 15%。SK 海力士计划以 SOCAMM 和 LPCAMM 的模组形态向服务器和 PC 市场推出LPDDR5X 产品，以响应AI计算对高性能 DRAM的需求。

结合其他存储大厂LPDDR5X的速率来看，长鑫存储LPDDR5X的最高速率确实已经达到国际主流水平。并且长鑫存储LPDDR5X 首创uPoP小型封装，厚度最小仅0.58mm，相比于友商0.61mm、0.65mm厚度来看也是目前最薄的。

LPDDR5X已经成为高端智能手机的热门产品。近期小米公司表示，近期因原材料成本上升而调整多款机型售价，10月23日发布的红米K90系列较前代产品价格上调300至600元。小米创始人雷军在社交媒体表示，当前内存价格涨幅“极为异常”。据报道，由于DRAM和NAND的价格飞涨，LPDDR5X内存出现了28周至39周的订单排期。

同时，服务器内存也对LPDDR5X需求不断增长。JEDEC 固态技术协会近日宣布，适用于数据中心AI应用、基于LPDDR5X DRAM 的小尺寸内存模块外形规格SOCAMM2 即将正式标准化。该标准指出LPDDR5X数据速率将达到每引脚9.6 Gb/s。

美光科技于10月份宣布正式送样其新一代SOCAMM2模组，该产品采用LPDDR5X标准，相比前代SOCAMM实现50%容量提升，可支持AI实时推理工作负载效率提升80%以上。

可以看到，此次长鑫存储推出LPDDR5X系列产品，在智能手机、平板电脑乃至AI数据中心等多个领域都可跻身主流产品的竞争行业，持续拓展国产存储的市场空间。

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