长鑫存储推DRAM破盘价引爆全球市场,中国存储双雄加速扩产重塑产业格局

科技区角 2026-02-04 13:00

【区角快讯】在全球内存价格持续攀升的背景下,中国DRAM龙头企业长鑫存储近日抛出极具冲击力的低价策略,令本已波动剧烈的存储器市场再度陷入多空博弈。据披露,该公司针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组开出138美元的“破盘价”,仅为当前国际市场300至400美元报价的约三分之一,迅速引发行业震动。



此番激进定价立即触发市场恐慌情绪,投资者忧虑存储器行业或将重陷价格战泥潭。受此影响,此前三个交易日略有回升的内存类股应声下挫。其中,台湾DRAM双雄华邦电与南亚科首当其冲,单日跌幅分别达9.05%和5.61%。此外,群联、品安、晶豪科、至上、威刚、宇瞻及华东等多家相关企业股价跌幅均超过半根跌停板,板块整体承压明显。

此次剧烈波动的背后,是全球存储器供需结构的深层调整。随着人工智能运算需求呈爆发式增长,自2025年底起,各类存储产品价格已大幅上扬,甚至打乱了多款电子设备原定于2026年的生产计划。在此窗口期,以长鑫存储、长江存储为代表的中国存储大厂正积极扩张产能,力图抢占战略高地。

扩产步伐最为迅猛的长鑫存储,已决定加快上海厂区建设进度。根据规划,该基地规模将达合肥总部的2至3倍,重点布局服务器、个人电脑及车用电子所需的DRAM产品。设备装机工作预计于2026年下半年启动,并于2027年正式投产,届时将显著增强其在全球DRAM市场的供应能力。

与此同时,中国NAND Flash领军企业长江存储亦同步提速。其武汉三期项目原定2027年量产,现有望提前至2026年下半年启动。更值得注意的是,该公司拟将新厂约50%的产能转向DRAM制造,正式迈入NAND与DRAM双线并行的新阶段,进一步完善本土存储产业链布局。

对此,Yole Group亚洲区主管Gary Huang分析称,当前全球内存供给持续紧张,为新兴厂商提供了难得的发展契机。叠加中国政策扶持效应,越来越多客户正主动寻求替代性供应商,这不仅为长鑫存储、长江存储等本土企业注入新增长动能,也将对全球存储器竞争格局产生深远影响。

在AI驱动的存储超级周期中,中国厂商正从“追赶者”向“规则制定者”加速演进。

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