外媒报导，受美国制裁影响，中国难取得AI 用高频宽存储器 (HBM)，使 AI 发展也受阻。一度停滞的长鑫存储科技 (CXMT) 大规模设备投资也因此已经重启。重启原因，是长鑫存储计划引进大量新设备扩大产能，量产最新 DRAM DDR5，并在此基础上开发 HBM3 高频宽存储器产品。

报导引用市场消息，长鑫存储第三季开始下订设备，于安徽省合肥市生产基地建立产线。长鑫存储最初告知设备供应商，年初开始订购新设备大幅提升产能。但受DDR4停产及美国可能有更严格出口禁令影响，新设备延后进厂。长鑫存储2026年HBM产能将达每月5万片晶圆，约三星和SK海力士2026年HBM产能20%~25%。2025年第一季，长鑫储存占据全球DRAM市场约6%。

美国半导体法规限制，中国难从辉达和AMD等公司取得AI芯片，故加速技术独立。问题在美国政府管制AI芯片组成关键零件高频宽存储器（HBM）。英国金融时报报导，中国国务院副总理何立峰与美国财政部长Scott Bessent贸易谈判，中方要求放宽HBM出口限制。

长鑫存储加紧推动HBM国产化。长鑫存储已完成HBM2开发，加速HBM3量产，2024年开始大规模投资设施。长鑫存储已停止生产DDR4 DRAM，改成现有DDR4设备升级至DDR5产线。美国正考虑将长鑫存储列入出口限制实体清单，进口设备引进也延期。

中国HBM短缺加剧，长鑫存储似乎急着引进新设备，香港南华早报报导，HBM短缺可能阻碍AI竞争力，尽管中国两家最大存储器公司长鑫存储和长江存储取得进展，但产能和技术成熟度仍落后国外公司。

市场预测，中国短期难于HBM市场占主导地位。中国研发中HBM不仅型号较老，且堆栈DRAM据称也落后国内企业两三年前量产的10奈米级1a制程。三星和SK海力士正在用10奈米级1b制程DRAM生产HBM，比长鑫存储领先一两代。市场人士指出，长鑫存储HBM商业化和进入市场还需要相当长时间，对2026年HBM市场影响有限。

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