随着全球存储芯片价格上涨，长鑫存储已在其官方网站发布 LPDDR5X 产品。三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）等头部企业正从存储市场热潮中受益，而长鑫存储能否在市场增长中占据一席之地，将取决于其产能扩张与良率提升进度。
从LPDDR5 拓展至 DDR5 商业化
长鑫存储于 2023 年底推出 LPDDR5 产品，到 2025 年，该公司正式实现 DDR5 商业化，并启动 IPO 辅导以扩建先进存储产线。据 Counterpoint Research 预测，2025 年初长鑫存储 DDR5 的市场份额仅为 1%，到年底有望提升至 7%；而 LPDDR5 的市场份额将从 2025 年一季度的 0.5% 增长至年底的约 9%。
技术参数与性能提升
根据长鑫存储官网信息，其 LPDDR5/5X 产品均为第五代低功耗双倍数据速率 DRAM，单裸片容量涵盖 12Gb 与 16Gb，最高速率可达 10667Mbps，达到国际主流水平。相较于上一代 LPDDR5，该产品性能提升 66%，功耗降低 30%，且支持与 LPDDR5 的向下兼容。
据 iThome 与观察者网报道，长鑫存储在 2025 年 IEEE ASICON 会议上展示了 LPDDR5X 的研发进展。其中，速率为 8533Mbps 与 9600Mbps 的 LPDDR5X 版本已于 2025 年 5 月启动量产，10667Mbps 版本则进入客户样品交付阶段。长鑫存储的 LPDDR5X 覆盖裸片、芯片、模组等多种产品形态：裸片容量提供 12Gb 与 16Gb；LPCAMM 模组容量为 16GB 与 32GB；芯片解决方案则包含 12GB、16GB、24GB 等多个容量档位。
面向高端移动设备的创新封装
长鑫存储率先研发出 uPoP 紧凑型封装技术，该技术专为轻薄型高端移动设备设计，主打高频率、低功耗与高速数据传输特性，目标应用场景涵盖旗舰智能手机与便携式 AI 设备。当前，芯片在实现高速运行的同时，面临着更低功耗的压力，而更薄的芯片已成为关键设计目标，这使得设备厚度与发热问题成为重要考量因素。
竞争格局与行业标杆
作为对比，三星 2024 年推出的 LPDDR5X 采用 12nm DRAM 制程与四堆叠 x2 设计，支持 12GB 与 16GB 容量，瞄准 AI 智能手机、平板电脑及笔记本电脑市场。此外，美光于 2025 年 6 月推出经认证的 LPDDR5X 样品，该产品基于 1γ 节点与先进 EUV 光刻技术打造，速率达 10.7Gbps，功耗降低 20%，封装厚度缩减至 0.61mm，较上一代薄 14%。美光表示，该产品专为 AI 智能手机性能提升设计，已向合作伙伴交付 16GB 样品，并计划在 2026 年将容量拓展至 8GB-32GB 区间。
HBM 研发与未来产能扩张
除移动存储领域外，长鑫存储已向客户提供 16nm HBM3 样品，计划于 2026 年启动量产，HBM3E 研发工作预计 2027 年完成。目前，该公司正在上海建设 HBM 后端封装测试工厂，预计 2026 年底投产。长鑫存储将通过技术转移与外包合作的方式扩大产能，若计划顺利推进，预计到 2026 年，其全球 DRAM 市场份额有望提升至 15%。
原文标题：
ChangXin Memory launches LPDDR5X to target mid-high-end mobile market
原文媒体：digitimes asia
