1、项目概况
本项目计划总投资额为 5,794.00 万元,以钜芯科技作为本项目的实施主体,本项目将依托公司现有研发机制、人员和技术储备,并通过新购厂房作为研发中心、引进先进的研发设备。一方面,有利于优化公司研发环境,完善公司的创新文化建设、研发管理体制建设、创新人才建设等,并吸引行业内更多优秀的研发人才;另一方面,有利于提升公司整体创新能力,更好地贴合功率半导体行业未来趋势走向,满足下游客户的需求,增强公司的核心竞争力。
项目实施后,公司将继续对行业技术进行研究和开发,加强公司科技创新能力和技术成果转化能力,为公司未来新技术、新产品及服务的开发奠定基础。
功率器件产品封装的生产流程主要可以分为以下 11 步,分别为:装填→焊接→清洗→塑封→去胶道→后固化→回流焊→电镀→切筋→测试→包装:

公司的主营业务为半导体功率器件及芯片研发、封装测试、生产和销售。公司功率器件产品包括 STD 系列、FR 系列、HER 系列、SF 系列、SKY 系列、ZENER 系列、光伏旁路轴式系列、光伏旁路模块系列、光伏旁路贴片系列、功率 MOS 系列等,按领域主要分为消费电子、新能源和车规电子三类,目前以新能源和消费电子类产品为主,车规电子类产品处于验证中。
肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件,利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作,具有极好的开关速度,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路。公司肖特基二极管在新能源和消费电子领域均有应用,在新能源领域产品为光伏组件保护功率器件,具体对应产品为光伏旁路轴式器件、光伏旁路贴片器件、光伏旁路模块器件;在消费电子领域,产品具体对应产品为 SKY 功率器件。
2、项目建设的必要性
(1)提升公司技术创新能力,拓展公司产品布局领域
功率半导体应用领域广泛、产品种类繁多,不同应用领域对功率半导体的性能要求往往存在差异,因此产品的研发设计相对较复杂,涉及多种技术的综合应用。
近年来随着我国经济社会快速发展,功率半导体应用领域已逐步由消费电子、工业控制等传统领域拓展至储能、新能源汽车、光伏发电、变频
而公司目前产品主要以消费电子系列和新能源系列为主,产品主要应用于消费电子及光伏发电领域,在其他领域布局尚且不足,这在一定程度上限制了公司的可持续发展。
因此,公司需要不断提升技术创新能力,丰富产品序列,拓展产品应用场景,研发出市场竞争力更强、应用领域更广泛的新一代功率半导体产品。此外,功率半导体产业属于技术密集型行业,先进的技术水平构成功率半导体企业的核心竞争力,因此对技术创新具有较大的需求。
(2)助力国产品牌发展,提升公司市场竞争优势
长期以来,全球功率半导体市场由欧、美、日等海外巨头垄断且头部厂商竞争格局稳定。但近年来,在我国政策的有力引导及产业资金扶持下,国内功率半导体市场蓬勃发展,国产品牌经过多年发展在国际竞争中逐渐崭露头角。
同时,我国通过大力研发与相关领域的投资并购,已经成功实现功率二极管、晶闸管等传统功率器件产品的突破,基本实现上述产品的自产化且具备与国外一线品牌竞争的实力。但在中高端领域,如 SJ MOSFET、车规级 MOSFET、IGBT、碳化硅等,与国际厂商仍然存在一定差距。特别是车规级 MOSFET 产品,国内厂家依然存在较大的提升空间。
而我国是世界上最大的 MOSFET 市场,市场规模约占全球市场的 42%,因此对 MOSFET 有着巨大的市场需求。国内市场需求的崛起加速了国内各行业对于半导体器件的发展进程,部分下游企业纷纷开始尝试使用国产分立器件产品,为中国 MOSFET 厂商提供了难得的市场机遇。
因此,公司开展本次募投项目,积极布局 MOSFET 产品,有利于在未来市场竞争格局占据优势地位。同时,本项目将通过打造高标准研发实验室,引进高端研发人才,提升公司对高端产品研发能力,助力国内中高端功率半导体产品发展进程。
(3)优化研发环境,提升公司研发效率
公司深耕功率半导体领域多年,在经营规模整体不断扩大、行业技术快速迭代的背景下,加大研发投入、提高研发水平已成为公司巩固竞争优势的必要举措。公司拟通过实施本项目建设研发中心,在扩大研发场地、优化研发环境的同时,充分利用公司现有自主创新平台,结合人才优势、技术优势,整合公司的研发资源,服务于公司整体战略布局,发挥研发中心一体化统筹作用,进而提高市场反应能力、研发资源协调运用能力和技术研发能力,整体提升公司研发效率。同时,也有助于改善企业形象,吸引更多高端研发人才,完善、提升现有研发队伍。
3、项目建设的可行性
(1)项目建设与国家及地方政策鼓励方向一致
功率半导体器件行业是我国重点鼓励和支持的产业,特别是在贸易政策变化较大的背景下,关键元器件领域的自主可控显得愈发重要。因此国家近年来制订了一系列政策鼓励、支持和促进国内功率半导体行业的发展。
2017 年 1 月,国家发改委发布了《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016 版)》,进一步明确电力电子功率器件的地位和范围,包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块、快恢复二极管(FRD)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(VDMOS)、可控硅(SCR)、5 英寸以上大功率晶闸管(GTO)、集成门极换流晶闸管(IGCT)、中小功率智能模块;2021 年 3 月国务院发布《“十四五”发展规划》指出,实施产业基础再造工程,加快补齐基础零部件及元器件、基础软件、基础材料、基础工艺和产业技术基础等瓶颈短板。
培育壮大人工智能、大数据、区块链、云计算、网络安全等新兴数字产业,提升通信设备、核心电子元器件、关键软件等产业水平;2021 年 4 月安徽省人民政府印发《安徽省国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》,纲要提出围绕脑科学、集成电路、网络与数据研究、高端测量仪器、超导应用、新材料等领域,建设一批前沿交叉研究平台。
未来在政策的护航之下,功率半导体行业有望驶入发展快速道。因此,国家及地方相关支持政策的落地实施,为本项目建设创造了良好的政策环境,有助于本项目的顺利实施。
(2)公司较强的研发实力和产学研基础,为项目实施提供有力支撑
公司自成立以来,一直从事功率半导体器件的研发、生产和销售,拥有先进的玻璃内钝化芯片工艺生产线、轴向和框架封装生产线,拥有完备的检测和可靠性分析设备,具备完善的快速标准化检测手段。
公司先后获得安徽省数字化车间、安徽省智能工厂、安徽省重点电子信息企业、安徽创新企业 100 强、国家级专精特新小巨人企业等荣誉称号;获得安徽省电子学会科学技术进步奖二等奖;公司被评定为安徽省“专精特新”冠军企业和安徽省“AAA”级信用企业、安徽省第十二批“115”产业创新团队。
公司在强化自主创新能力的同时,积极整合外部优势技术资源,与高校及相关科研院所进行研发合作,长期以来与安徽大学、合肥师范学院等高校建立了紧密的产学研战略合作关系。2018 年公司与安徽大学共同申报并获批了“安徽省高层次人才创新创业团队”,2020 年一起联合申报并获批了安徽省工程研究中心,同时公司现建有博士后工作站和池州学院实践教育基地。
凭借较强的研发能力和产学研合作,截至报告期末,公司已累计获得授权专利 50 项,其中发明专利 15 项,实用新型专利 30 项,外观设计专利 5 项,积累了丰富的研发成果,为新项目拟实施的各类产品提供了坚实的技术条件。
(3)完善的研发管理体系为项目实施提供保障
公司经过多年的发展,已形成完善的研发管理体系,对研发技术培训、研发项目设计和开发流程等内容做出了明确的规范,保障研发项目合理化、规范化、流程化、高效化,从而促进研究开发成果的快速实现。
同时,公司鼓励创新精神,实施科学的创新激励机制,制定并完善了奖励办法及绩效考核制度,实现对研发立项、研发经费管理、研发人员管理、项目成果转化等过程的有效管控。为保证研发项目有序进行,公司研发中心下设产品开发部、工艺维护部和项目管理部等,产品开发部,负责新产品的开发;工艺维护部,负责日常工艺维护;项目管理部,负责项目申报、研发项目管理。
系统的研发部门设置,有效支撑公司合理地安排研发项目实施以及进行有效的管理和监督。公司完善的研发体系有利于新建研发体系的良好运转,整合内部与外部资源,提高研发效率,确保各项工作的有序开展,为研发中心的建设实施提供了制度保障。
4、项目投资概算
本项目计划总投资额为 5,794.00 万元,
5、项目土地、备案及环评取得情况
本项目涉及新增土地及房产的情形, 根据安徽钜芯半导体科技股份有限公司与池州经济技术开发区管理委员会签署的《工业项目进区投资合同》,为支持公司项目发展,池州经济技术开发区管理委员会授权下属国有公司池州市经盛产业投资运营有限公司为公司代建厂房和配套工程,项目建成后由公司先租后买方式运营。
目前池州市经盛产业投资运营有限公司已取得为公司代建厂房和配套工程用地的《不动产权证书》《建设用地规划许可证》《建设工程规划许可证》《建筑工程施工许可证》,相关房产正在建设中。公司实施该项目已取得池州经济技术开发区经济发展局出具的《池州经开区经发局项目备案表》(2505-341761-04-01-991549)。
根据《建设项目环境影响评价分类管理目录(2021 年版)》等规定,本项目无需编制环境影响报告书、环境影响报告表,也无需填报环境影响登记表。2025 年 6 月 17 日,公司向池州经济技术开发区生态环境局提交了《安徽钜芯半导体科技股份有限公司研发中心建设项目豁免环评的情况说明》,取得其“情况属实”的批复。
6、项目进度安排
本项目总建设期拟定为 3 年,具体实施进度安排场地购置及装修,设备购置及安装,人员招聘与培训,项目设计与研发。
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