芯片巨头，纷纷加速AI芯片布局

路透社报道称，ASML计划与包括台积电、英伟达、英特尔、三星和SK海力士在内的主要客户合作，对其下一代“高数值孔径”（High NA）极紫外光刻设备进行改造，使其能够打印更大尺寸的数据中心芯片。此举旨在解决目前新设备使用的掩模尺寸小于ASML广泛应用的标准EUV设备这一限制。

ASML 计划在 2031 年前建成一条使用更大尺寸掩模的试点生产线，并在 2033 年前实现大规模生产准备。首席技术官 Marco Pieters 表示，这些改变可使这些系统的生产力提高约 40%。

这项更大尺寸光刻掩模项目有望为ASML Holding NV创造新的增长机遇，同时帮助台积电更高效地生产更大尺寸的AI芯片。ASML计划利用其高数值孔径EUV光刻设备来处理尺寸与当今最大的数据中心处理器相当的芯片。该公司预计，更大尺寸的光刻掩模将使系统生产效率提高40%。这不仅有望扩大其下一代设备的需求，还能帮助台积电提高生产日益庞大且复杂的芯片的经济效益。

台积电的计划应用为ASML的商业化进程指明了方向。台积电计划从2030年起将高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）技术应用于先进节点的大批量生产。ASML的目标是在2031年通过一条试点生产线展示其大尺寸光刻掩模技术。台积电的这一承诺将使ASML更清晰地了解未来的设备需求。提前应用该技术有助于台积电保持其在先进芯片制造领域的优势。

随着芯片制造商开发更大、更强大的处理器，此次合作有望巩固两家公司的地位。ASML 可以突破目前芯片尺寸的限制，拓展其高数值孔径 (High NA) 技术路线图。台积电 (TSMC) 则可以为其下一代人工智能芯片的制造工艺做好准备。此次合作使 ASML 有机会深化与其最大客户之一的关系，并使台积电获得一项可能支持未来先进芯片生产的技术。

更大尺寸芯片的机遇距离真正为两家公司的财务业绩做出贡献还有数年时间。台积电计划于2030年开始大规模量产高NA芯片。ASML的目标是在2031年建立更大尺寸掩模的试验生产线，并在2033年实现大规模量产。因此，投资者不能指望这项新举措会在短期内为两家公司带来营收增长。

更大尺寸掩模的过渡可能会给ASML和台积电都带来执行风险。ASML必须为其高数值孔径系统开发和认证更大尺寸的掩模，而台积电则必须将这项技术融入大规模生产。任何延误或技术问题都可能推迟两家公司预期从这项新技术中获得的生产效率提升和收入增长。

台积电和ASML仍需证明，生产效率的提升足以抵消行业转型成本。采用大尺寸光刻掩模技术需要对阿斯麦现有的光刻设备进行改造，包括新的光刻掩模基础设施和生产工艺。如果芯片制造商认为采用这项技术的成本超过了预期的生产效率提升，阿斯麦的高数值孔径芯片（High NA）的推广速度可能会放缓，而台积电则可能推迟其原定的推广计划。

ASML 向更大尺寸光刻掩模的转型有望拓展其高数值孔径 EUV 技术的商业潜力。与此同时，台积电计划采用该技术，有望帮助这家芯片制造商以更高的生产效率生产更大、更先进的数据中心芯片。然而，这些益处仍需数年才能显现，台积电的目标是从 2030 年开始大规模应用，而 ASML 的目标是从 2033 年开始大规模生产采用更大尺寸光刻掩模的芯片。

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