近期，华为旗下海思技术有限公司进军碳化硅功率器件领域，首批推出两款TO-247封装1200V SiC单管，面相工业高温、高压场景场景。
海思1200V SiC器件：
1. 海思ASO1K2H020M1T4
海思ASO1K2H020M1T4是一颗采用TO-247-4封装的1200V碳化硅MOSFET，25°C环境下导阻20mΩ，而在175°C高温下也可维持30mΩ超低导阻，栅极电荷185nC，最高可通过100A电流（25℃）。
2. 海思ASO1K2H035M1T4
海思ASO1K2H020M1T4是一颗采用TO-247-4封装的1200V碳化硅MOSFET，25°C环境下导阻35mΩ，而在175°C高温下也可维持57mΩ导阻，栅极电荷108nC，最高可通过100A电流（25℃）。
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时间
议题
演讲嘉宾
10:00-10:25
玻璃芯基板:新一代先进的封装技术
安捷利美维电子（厦门）有限责任公司技术专家黄双武教授
10:25-10:50
TGV集成三维互联核心材料技术
华中科技大学温州先进制造研究院李运钧研究员
10:50-11:15
Next in Advanced Packaging: Why Glass Core Substrates is emerging
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11:15-11:40
议题拟定中
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待定
8月27号（板级封装）
10:00-10:25
面向大算力应用的硅基光电融合先进封装技术
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10:25-10:50
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天通控股股份有限公司
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议题拟定中
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报名方式一： 加微信李小姐：18823755657（同微信）
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8月26号（玻璃基板TGV） | ||
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加微信李小姐：18823755657（同微信）
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方式二：长按二维码扫码在线登记报名
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