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受AI领域需求拉动，内存价格创下历史新高，且短期内不会回落。Kurnal在社交平台发布的观察分析指出：按单位面积计算，存储芯片的制造价值，甚至可以超过台积电N2、N3先进制程生产计算芯片的硅片价格。虽然这一对比具备参考意义，但存在重要的前提限制。
根据媒体爆料信息，Kurnal Insights的Kurnal测算：台积电N3工艺的300毫米晶圆加工成本为20000美元，用晶圆总价格除以晶圆面积，折合每平方毫米约0.283美元。对于台积电N2工艺，该分析师预估晶圆加工价格大幅上涨至30000美元，折合约0.424美元/平方毫米。 以上测算均基于非公开行业信息，没有剔除晶圆边缘无效区域、切割损耗、测试结构、芯片缺陷以及良率因素，因此只能视作晶圆名义面积价格，并非可用硅片的实际成交价格。
DRAM的计算逻辑则完全不同。Kurnal先假设DRAM价格为1.50美元/吉比特，再乘以不同代际DRAM的位密度进行换算。
• 1y代DRAM密度0.219吉比特/平方毫米，折算价值0.329美元/平方毫米；
• 1z代DRAM密度0.273吉比特/平方毫米，折算价值0.410美元/平方毫米；
• 1b代DRAM密度0.436吉比特/平方毫米，折算价值0.654美元/平方毫米，显著高于N2晶圆测算的名义价格0.424美元/平方毫米。
这里需要做一个关键区分：N2、N3的数值代表台积电对外收取的晶圆代工加工费用；而DRAM侧的数值，代表每平方毫米硅片上内存颗粒的潜在销售价值，体现的是在假设内存价格下，DRAM厂商从单位裸片面积理论上能够获得的营收。
值得注意的是，Kurnal Insights采用的1.50美元/吉比特的假设价格，和当前DDR5 eTT内存现货价格几乎吻合。集邦咨询数据显示，9月21日，16Gb DDR5 eTT芯片的当期平均价格为24.80美元，折合1.55美元/吉比特。按照该价格，密度0.436吉比特/平方毫米的1b代DRAM，单位面积价值约0.676美元/平方毫米，仅比Kurnal估算的0.654美元/平方毫米高出3%。
毋庸置疑，生产DDR5内存的成本，远低于使用台积电N3工艺制造逻辑芯片。但当下DRAM供给紧张，内存厂商从硅片上获得的收益，已经远高于历史水平。
但这项对比不能简单直接划等号，存在几项重要限制条件：
1.测算均未计入封装成本，逻辑芯片往往需要成本更高的封装工艺；
2.台积电属于代工模式，晶圆实际加工价格受采购规模、客户身份以及其他商务条款影响，浮动空间很大。
因此，把台积电预估晶圆代工价格和DRAM现货价格拿来对比，并不是完全对等的比较。就连集邦咨询近日的内存现货报告也提到，DDR5现货采购需求依旧有限，成交属于零星状态。现货价格并不代表美光、三星、SK海力士绝大部分DRAM出货的真实成交价。
如果要做具备实际经济意义的对比，DRAM的长协合约价格才是更合适的参考基准。但长协合约价格属于非公开信息；虽然合约价明显高于历史内存价格，但大概率会低于现货市场价格。基于现有信息，我们还无法下定论：DRAM厂商从自家晶圆获得的收益，已经超过台积电代工逻辑晶圆的收入。
