三星HBM明年价格将提至三倍

三星HBM明年价格将提至三倍图1

三星电子正与客户商谈 HBM4（其下一代高带宽内存）的供应价格，拟定价格将超过当前旗舰产品 HBM3E 的三倍。随着明年 HBM4 将成为主打产品，三星计划通过强调其“业界领先的性能”来提升盈利能力。

据半导体行业10月2 日消息，三星电子在与主要客户商讨明年 HBM4 年度供应价格时，提出的报价约为每千兆位（Gb）4.5 美元至 4.9 美元（即 4 美元中高位区间）。

这一价格水平是当前旗舰产品 HBM3E（每 Gb 约 1.50 美元）的三倍以上。与标准 DRAM 不同，HBM 业务高度依赖长期年度合同，即提前与关键客户商定下一年的供货量和价格。

客户会预先锁定所需的 HBM 供应量，制造商则根据这些协议制定生产计划。目前，关于明年 HBM 大部分供应量的谈判已基本完成，预计价格谈判也将于本月内收官。

三星电子大幅提价的底气源于对其 HBM4 性能的自信。三星的 HBM4 已实现 11.7 Gbps 的稳定数据传输速率，并具备高达 13 Gbps 的速度潜力，处于业界最高水平。其战略意图在于，将能够稳定供应规格优于竞争对手产品的能力，直接转化为价格溢价。

HBM4 预计将成为一个转折点，标志着 HBM 市场的竞争性质将从“数量”转向“质量”。迄今为止，HBM 领域的竞争主要集中在通过英伟达（Nvidia）等关键客户的质量认证以进入供应链，并随后提升出货量。然而，随着 HBM4 时代的到来，AI 加速器对存储性能的要求日益严苛；因此，同一代产品内部的性能差异（如速度和能效）已成为决定价格的关键因素。

AI 基础设施投资增加推动了 HBM 需求的激增，加上持续的供应短缺，也起到了重要作用。向 HBM4 世代的过渡为三星（Samsung）创造了有利条件，使其能够针对高性能产品获得更高的溢价。

市场研究机构 TrendForce 预测，受 HBM4 占比提升及供应持续短缺等因素推动，明年 HBM 的平均售价（ASP）将较今年大幅上涨 121%。美光（Micron）近期也在财报电话会议上指出，明年 HBM 价格极有可能出现大幅上涨。

尽管 SK 海力士（SK Hynix）迄今为止一直主导着 HBM 市场，但随着三星电子（Samsung Electronics）扩大 HBM4 的供应，预计竞争将进一步加剧。

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