三星电子拓展下一代“Z-NAND”闪存

三星电子正在拓展其下一代NAND闪存产品“zNAND”的应用范围。此举 被解读为一项旨在满足多元化需求的战略，因为人工智能（AI）基础设施中定制化存储器的应用预计将会增加。

据业内人士12日透露， 三星电子正在初步研发 三种类型的 z-NAND闪存， 除了最近发布的z-NAND-O之外，还包括z-NAND-T和z-NAND-I 。三星电子去年8月 在美国举办的一场存储器相关活动上首次展示了z-NAND-O的样机。

zNAND-O 是一款专为设备端人工智能 (AI) 而设计的产品。与传统的通过引线键合将数据传输到芯片外缘的方法不同，它采用硅通孔 (TSV) 技术将 NAND 层堆叠成 4 层或 8 层。这缩短了数据传输路径，从而 提高了速度和 能效 。

虽然三星电子尚未正式宣布，但众所周知，该公司正在内部 开发zNAND-T 和 zNAND-I。

zNAND-T 专为高吞吐量而设计。其特点是最大限度地提高带宽（代表半导体的数据处理能力），以满足高容量、高性能 AI 数据中心的需求。与 zNAND-O 类似，它采用垂直堆叠 NAND 芯片并通过 TSV 连接的方式制造。 在业界，它被称为高带宽闪存 (HBF) 。

zNAND-I 最大程度地提高了 IOPS（每秒输入/输出操作数）。虽然更宽的带宽允许一次性处理大量数据，但更高的 IOPS 意味着每秒完成更多的数据 I/O 操作。这就是为什么高 IOPS NAND 在人工智能推理领域越来越受欢迎的原因，因为在人工智能推理领域，需要频繁处理低容量的临时数据，例如键值 (KV) 缓存。

三星电子对其下一代NAND产品进行细分的最大原因在于人工智能。随着全球大型科技公司开发各种架构以最大限度地提高人工智能数据处理效率，对能够满足多样化需求的NAND的需求也在不断增长。

SK海力士也在开发下一代AI NAND定制产品。此前，在去年下半年，SK海力士推出了三款“AIN（AI-NAND）系列”产品：AIN P（性能）、AIN D（密度）和AIN B（带宽）。

AIN P 正在开发 IOPS 高达 1 亿的产品。AIN D 专注于 SSD 存储容量，目标是达到 PB 级。AIN B 的概念与 HBF 基本相同，专注于带宽扩展。

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