长鑫存储技术突破引发全球存储芯片股震荡

【科技纵览】北京时间10月14日，CNBC发文聚焦长鑫存储最新技术进展。报道指出，尽管该企业在海外知名度有限，但其技术突破致使美光、SK海力士及三星等全球存储巨头股价集体下挫。上周末，长鑫存储宣布新型架构研发取得关键进展，该技术能在更小空间内实现更高数据密度，直接冲击了行业巨头的市场信心。周二，美光股价下跌3.62%，韩国上市的SK海力士收跌10%，三星电子亦下滑7.4%，闪迪、希捷及西部数据等相关股票均随之走低。

在此之前，长鑫存储因IPO热度在中国以外鲜为人知。今年7月登陆科创板首日，其股价飙升近466%，一度成为中国市值最高上市公司。市场此前最关切的是其在高带宽内存(HBM)领域能否缩小与美光、三星的差距。据国内媒体报道，总裁曹堪宇在10月10日第四届集成芯片和芯粒大会上透露，名为4F²的DRAM架构已取得进展，预计年底推出采用此技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构通过VSG晶体管垂直包围沟道结构增强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，助力面积微缩与密度提升。SK海力士同样推进4F²设计，并计划于2025年公布路线图。分析师认为，长鑫存储以往被认为在最前沿技术研发上落后，此次突破显著影响投资者对其竞争对手优势的看法。

尽管面临出口管制挑战，长鑫存储市场份额仍显著增长。汇丰报告显示，其在全球DRAM市场份额升至约10%，高于一年前的4%。花旗分析师8月报告称，虽然美国政府不太可能允许中国制造的存储芯片在美国销售，但销往欧洲等其他地区数据中心的产品，可能会间接影响美光。《金融时报》7月援引知情人士报道，苹果已开始测试长鑫存储的DRAM芯片，用于在中国销售的设备，并一直在游说美国政府允许其更广泛地使用该公司的产品。这一系列动态表明，中国存储产业正在从跟随者向重要竞争者转变，全球供应链格局或将因此重塑。