存储巨头计划在中国扩产

存储巨头计划在中国扩产图1

据报道，SK海力士已向美国政府申请许可，拟将其美国制造的半导体生产设备引入位于中国大连的工厂。此举据称与该公司在美国建设半导体设施的计划有关。

10月14日（当地时间），路透社援引两位消息人士的话报道称，SK海力士旗下的Solidigm公司计划向其大连工厂引入更多美国制造的半导体生产设备，以提高NAND闪存的产量。

Solidigm是在SK海力士收购英特尔（Intel）的NAND闪存业务后成立的。据悉，这些设备计划用于大连工厂内一个名为“Mod B”的闲置生产区域。尽管“Mod B”的厂房建设已于2023年完成，但由于当时存储器市场低迷，设备安装工作未能如期进行。

大连NAND闪存工厂所使用的半导体生产设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料公司（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国企业。引入更多设备需要获得美国政府颁发的出口许可证。SK海力士在向路透社发表的声明中表示：“‘Mod B’区域的设备安装工作是在与美国政府密切磋商并获得其批准的情况下进行的。”该公司还补充道：“我们并非旨在扩大产能。”

去年，美国商务部撤销了一项豁免权，该豁免权此前允许SK海力士和三星电子在无需单独申请许可证的情况下，将其美国制造的半导体设备引入各自在中国的工厂。美国目前的政策是：对于维持现有运营所必需的设备，采取“个案审批”的方式；而对于旨在扩大产能或提升技术能力的设备引入请求，则予以拒绝。去年12月，美国曾给予有限度批准，允许部分设备进入SK海力士大连工厂，供今年使用。然而据了解，针对额外设备（特别是2027年所需设备）的进口许可尚未获批。Solidigm目前已申请出口许可证，旨在为其工厂安装更多设备。

美国正在管控半导体制造设备的出口，以限制中国发展先进半导体技术——这类技术可应用于人工智能（AI）及军事领域。与此同时，美国也在敦促外国半导体企业在美国境内扩建生产设施。

有知情人士解释称，提高大连工厂的产量有助于Solidigm筹集资金，从而在美国建设一座新的NAND闪存工厂。换言之，扩大在华产能可被视为在美国进一步扩大运营规模的一个过渡步骤。

另据报道，Solidigm正考虑最早于明年进行首次公开募股（IPO）。另有消息人士指出，通过IPO筹集的资金或可用于资助其美国工厂的建设。

此前，路透社曾于9月18日报道称，Solidigm正在考虑在美国建设一座NAND闪存工厂，其中纽约州北部被视为一个极具潜力的选址。

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