英伟达强推供应链整合，三星台积电罕见联手造HBM

【区角快讯】在人工智能算力竞赛日益白热化的当下，半导体供应链正经历一场由下游巨头主导的深度重构。当技术迭代的速度超越了单一企业的产能极限，跨界合作便成了必然的破局之道。随着英伟达对高带宽内存（HBM）需求的指数级攀升，这家AI芯片霸主正在推行一项前所未有的供应链整合计划，其核心在于通过标准化手段打破传统厂商间的壁垒。

据快科技10月19日报道，为下一代AI加速器定制的NVHBM内存，将迫使长期竞争的三星电子与台积电展开罕见合作。双方需共同基于3纳米工艺开发基底芯片（Base Die）。这一举措旨在解决英伟达对制造流程更严格的标准化要求，通过统一产品规范来减少后续质量验证步骤，确保不同供应商提供的HBM性能一致。除这两家巨头外，美光和SK海力士也被纳入该计划。

具体而言，英伟达要求所有供应商统一采用台积电3纳米工艺生产NVHBM基底芯片，而核心存储芯片则需采用被称为“1c”的第六代DRAM制程。此举预计将使定制版NVHBM相比标准HBM4E提供高达30%的额外内存带宽，并将功耗降低最多15%。此前消息指出，未来Feyman架构GPU将采用此定制方案。尽管三星仍在评估自家代工产能以防万一，并继续自行负责标准HBM的研发，但面对持续爆发的AI市场需求，三星愿意接受这种特殊安排以维持其在高价值供应链中的地位。值得注意的是，HBM业务已成为改善三星晶圆代工财务表现的关键支柱，其代工部门亏损已从2025年的6.74万亿韩元缩减至2026年的3.92万亿韩元，降幅达41%。分析人士认为，这种临时合作关系凸显了AI产业对全球半导体格局的深远影响。