【区角快讯】在刚刚落幕的2026年OCP峰会上,美光抛出了一份极具野心的下一代存储技术路线图,涵盖了DDR6、LPDDR6、HBM以及G11 NAND四大核心产品线。其中,备受瞩目的DDR6被明确指向高可靠性服务器市场,其带宽目标直指DDR5的两倍以上。令人咋舌的是,美光计划推出单条容量高达1TB的RDIMM模块,这相比当前同厂9200MT/s频率、采用TSV硅通孔技术的512GB DDR5上限实现了翻倍突破。支撑这一宏大愿景的是1δ DRAM工艺节点,预计位密度将提升20%至25%,并计划于2027年下半年在美国进入量产爬坡阶段,首批产品届时将优先服务于数据中心领域。值得注意的是,在单元架构选择上,美光显得颇为固执,坚持沿用6F²架构,直言4F²缺乏可靠缩放路径;相比之下,长鑫电子预计年底推出基于4F²的DDR5服务器产品,三星则瞄准2028年投产4F²搭配10nm以下工艺。此外,LPDDR6能效较前代提升超35%,兼顾移动与数据中心需求;G11 NAND堆叠层数突破400层,同样定于2027下半年量产;vHBM首代产品预计2028年问世,2030年演进至vHBM3。需提醒的是,上述数据均属路线图目标,实际规格及消费级上市时间尚待标准定案与客户验证,具体细节美光未予披露。
美光OCP峰会揭秘存储新蓝图:DDR6单条1TB野心与架构路线之争
科技区角
2026-10-22 16:00
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