突发！存储巨头员工泄密，被判5年监禁

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一名姓全（Jeon，56岁）的三星电子前员工，因向国外企业泄露并利用三星的18纳米级DRAM技术，被上诉法院判处五年监禁。此前在一审中，他曾被判处七年监禁，此次刑期缩短了两年。

10月22日，首尔高等法院判处全某五年监禁。他此前在被羁押期间受到起诉，罪名包括未经授权泄露工业技术等。全某曾供职于三星电子，后于2016年转投国外企业。他被指控在国外企业负责设施投资业务期间，利用了三星的18纳米DRAM相关技术。

法院指出：“被告泄露了三星电子的‘国家核心技术’，对国家的产业竞争力构成了重大威胁。其行为性质极其恶劣，必须承担与其后果相符的法律责任。”

不过，法院也列举了若干减刑理由。法院指出，全某在国外企业任职期间，虽然整理了所谓“合肥项目”的设施投资相关信息，但他并未直接参与半导体产品的实际研发工作。此外，法院还考虑到，全某在其他涉及向国外企业泄露技术的案件中出庭作证，配合查明了真相。综合考量这些因素后，法院认为此前七年监禁的判决“略显不合理”。

调查还显示，在六年时间里，全某从国外企业获得了约29亿韩元（KRW）的报酬，其中包括合同约定的激励措施和股票期权。调查显示，全（Jeon）某及其同伙所使用的18纳米工艺配方（PRP），是由一名姓朴（Park）的人员非法获取的。此人曾是三星电子的工艺架构（PA）工程师，于2016年9月将相关技术细节手抄在了一本笔记本的12页纸上。目前，该朴姓人员正处于国际刑警组织“红色通缉令”的通缉之下。

全某在初审期间一直否认指控，但在上诉审理阶段改变了立场，承认了相关指控。上个月9日，他在法庭上公开道歉。在提交给法庭的悔过书中，他写道：“三星电子是本案的主要受害者。”他还补充说：“我相信坦白交代有助于防止此类事件再次发生。”

在上诉审理期间，全某还作证称，国外企业的管理层曾亲自向他们施压，要求他们从三星电子获取技术。据《中央日报》获得的一份陈述显示，2016年10月至12月期间，国外企业前首席执行官曾召集包括全某在内的韩国籍员工，要求他们提供三星电子的工艺配方及设备规格信息。

针对此前发生的半导体技术泄露事件，韩国政府已承诺将“加大处罚力度”。

全某表示，前首席执行官曾向他们施压称：“把你手头所有三星电子的工艺配方和设备信息都交出来。如果不交，我就向韩国政府举报你们。别想撒谎蒙混过关；我有渠道去核实这些信息是否确实来自三星电子。”在描述当时的情况时，全某说：“我当时感到非常恐惧和害怕。”

此外，针对其他跳槽至国外企业的前三星电子员工，相关法律程序也在进行中。其中包括曾任三星电子高管、后在国外企业担任第二开发部门负责人的杨（Yang）某，以及一名负责第八制造工艺的团队负责人，他们目前正在接受一审审判。另一位姓金（Kim）的人士——他曾与一位姓全（Jeon）的人士一同转投国外企业并担任第一开发部门负责人——在今年4月进行的一次重审（发回重审）中，被判处六年零四个月监禁，并处以2亿韩元罚款。

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