台积电SRAM微缩技术停滞八年后迎突破，A14工艺将大幅压缩存储单元面积

【区角快讯】据快科技10月27日披露，曾陷入僵局近八年的台积电SRAM微缩技术，正迎来关键性转折。作为处理器缓存及高性能计算芯片的核心组件，SRAM凭借极速读写与免刷新特性备受青睐，却长期受困于较大的物理占用面积。自2020年N5工艺量产起，其高密度6T SRAM单元面积便固化在约0.021平方微米，即便后续N3、N2节点在逻辑晶体管上持续迭代，存储尺寸也近乎原地踏步。这一瓶颈有望随2028年量产的A14工艺被打破：届时高密度6T SRAM位单元面积将缩减至0.017平方微米以下，降幅逾19%。在AI推理等场景下，数据搬运延迟与能耗是主要痛点，SRAM微缩不仅能让同面积内配置更大缓存，亦有助于缩小芯片整体尺寸，从而优化先进节点对片上存储的支持能力。需明确的是，SRAM属内部高速存储，有别于手机闪存或内存条，A14的变化仅影响片上缓存，不能直接推演DRAM或NAND产品同步缩小。此外，最终优势转化还取决于良率、成本及功耗控制，具体收益仍视芯片厂商架构选择而定。值得注意的是，这种从“人工主导”向“人机协同”的技术演进，标志着半导体制造正通过精细化重构应对算力需求激增。