
据路透社10月28日援引两位知情人士的消息报道,中国存储芯片制造商计划开始生产HBM3E——一种先进的高带宽内存(HBM)——尽管其良率目前仅为20%–30%。
消息人士称,中国存储芯片制造商已向多家中国人工智能(AI)芯片设计公司提供了HBM3E样品。

他们补充道,该芯片目前的良率仅为20%–30%,而SK海力士(SK Hynix)的良率已达到70%。
其中一位消息人士表示,中国存储芯片制造商预计将在未来两个月内启动小规模生产。
据一位消息人士透露,测试结果显示,中国存储芯片制造商HBM3E的性能更接近SK海力士上一代产品HBM3的水平,尚未达到SK海力士自身HBM3E的性能标准。
另一位消息人士指出,中国存储芯片制造商向客户提供了两个版本的HBM3E:一种是标准设计版本,另一种是经过改进、旨在提升良率的版本。
消息人士解释称,尽管良率较低,中国存储芯片制造商仍坚持推进该项目,原因在于中国的AI芯片制造商正面临难以获取足够数量先进内存的困境,而这些内存对于扩大其芯片产量至关重要。
上个月,路透社曾报道称,包括华为和寒武纪在内的中国AI芯片公司已将其芯片价格上调了20%–50%,部分原因是存储组件成本高昂。根据市场研究机构Counterpoint Research的数据,在第二季度全球HBM市场收入份额中,SK海力士占比50%,三星电子占比33%,美光(Micron)占比18%。

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同时,总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源,为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持,持续提升中韩经贸合作的深度与广度。

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