聚焦材料工艺，共探化合物半导体新前沿 | 化合物半导体材料与工艺论坛（平湖论坛）精彩回顾

10月15日，2026湾芯展化合物半导体材料与工艺论坛（平湖论坛）在深圳成功举办。承接高峰论坛对技术趋势与应用需求的讨论，上午场围绕碳化硅材料、外延及高压器件展开，下午场聚焦氮化镓外延、器件、驱动与测试。15个报告深入制造与应用中的关键问题，交流大尺寸化、缺陷控制及可靠性研究成果，探讨材料工艺进步如何支撑高效电能变换。

从材料缺陷的精准调控，到外延工艺的规模化制造，再到AI数据中心供电的系统需求，本次论坛将技术研究与应用场景紧密衔接，为产业链各方在深圳开展专业交流、探索协同创新提供了平台。

上午场由深圳平湖实验室业务与伙伴发展部部长左正先生主持。

中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电科集团首席科学家柏松先生作《中高压碳化硅功率器件技术研究进展》报告，围绕新能源发电与储能、数据中心供电等应用需求，介绍中高压碳化硅功率器件的性能特点、发展趋势与研究进展，探讨器件技术对高效率、高功率密度电能变换的支撑作用，为上午场的材料与工艺交流提供应用视角。

山东天岳先进科技股份有限公司研发总监梁庆瑞先生带来《大尺寸单晶碳化硅的技术进展和应用》报告，介绍8英寸及12英寸碳化硅材料的研发进展，重点分析扩径过程中的晶体应力、位错缺陷与晶圆翘曲问题。他结合无损位错表征、热场设计和加工工艺优化，分享提升衬底质量与电阻率均匀性的技术实践，并进一步探讨碳化硅在AR光波导、先进封装与散热领域的应用潜力，展现大尺寸材料面向多元应用的发展空间。

广东天域半导体股份有限公司研发副总监余烨先生围绕《大尺寸碳化硅厚膜外延技术及进展》，分享面向高压功率器件的外延技术探索。报告从外延产业化需求出发，分析载流子浓度均匀性、致命缺陷、基平面位错及堆垛层错等关键问题，介绍大尺寸化与厚膜外延的研究进展，并探讨晶圆翘曲控制、多层外延结构等技术方向，为提升高压器件所需材料的质量与制造稳定性提供参考。

AIXTRON工艺经理陈伟先生作《化合物半导体外延大规模量产解决方案》报告，围绕外延制造对均匀性、产出效率及成本控制的要求，介绍行星式批量反应器、多区注入与自动化晶圆处理技术。报告结合200毫米碳化硅外延结果，展示厚度与掺杂均匀性、批次稳定性及缺陷控制方面的进展，并讨论原位清洁、维护优化与自动化对规模化生产的支撑，呈现外延设备与工艺协同提升制造能力的路径。

华为数字能源技术有限公司模组与芯片领域总经理刘志华先生带来《AI数据中心供电系统挑战与器件应用趋势展望》报告，分析AI高密度、强波动负载对供电系统提出的要求，围绕高压直流、固态变压器及芯片侧供电，探讨功率器件与供电架构的协同发展，并强调结合实际工况评价效率、动态响应与可靠性，为材料及器件研发提供系统应用层面的思考。

深圳方正微电子有限公司AE首席专家施三保先生作《面向AIDC的数据中心电源：国产SiC器件从器件到系统的能效升级路径》报告，从数据中心电源架构演进切入，分析GPU动态负载引发的结温波动与功率循环可靠性挑战。他结合不同固态变压器拓扑，讨论器件耐压、开关损耗、模块数量与成本之间的平衡，分享碳化硅器件技术路线及应用验证思路，提出以真实负载工况牵引器件定义、研发和系统验证，推动国产SiC器件更好地适配算力基础设施需求。

浙江大学研究员王蓉女士围绕《碳化硅超厚膜外延及其缺陷调控研究》，介绍300微米级碳化硅超厚膜外延的研究进展，分析快速生长过程中的晶型控制、表面形貌及应力问题。针对基平面位错与层错对器件可靠性的影响，报告进一步分享低功率紫外光辐照与热处理协同调控缺陷的研究，探讨促进位错收缩、抑制双极型退化的技术思路，为高压碳化硅器件的材料优化提供新的研究参考。

下午场由南方科技大学副教授高源先生主持。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱先生作《硅基GaN增强型HEMT的可控制备及栅极可靠性加固》报告，围绕高阈值电压与低导通电阻的协同优化，介绍凹槽栅可控制备及p-GaN二次外延技术。报告结合栅极静态、动态失效机理，分享通过载流子输运调控抑制阈值电压漂移、通过片内集成耐压二极管增强栅极耐压能力等研究，并展示GaN单片集成电路的探索，为提升增强型器件的可靠性与集成能力提供思路。

苏州晶湛半导体有限公司董事长、总裁程凯先生带来《从大尺寸到高性能：氮化镓外延材料的新应用进展》报告，围绕功率电子与Micro-LED应用，分享外延材料的技术演进。在功率器件方向，报告探讨高压缓冲层设计、多沟道结构及低压器件接触电阻优化；在光电子方向，介绍面向AR显示与可见光通信的Micro-LED研究进展，呈现大尺寸氮化镓材料在高效供电、新型显示和光互连等领域的应用可能。

意发薄膜科技（上海）有限公司技术市场总监陆原先生作《Evatec大尺寸PVD GaN工艺技术》报告，介绍基于物理气相沉积的氮化镓外延技术及平台进展。报告围绕低温生长、高掺杂氮化镓接触层和氮化铝种子层，分享溅射工艺在材料制备及低电阻接触方面的探索，并讨论从研发向规模制造延伸的设备能力，为大尺寸GaN器件制造提供工艺选择与协同优化思路。

中微半导体设备（上海）股份有限公司MOCVD产品部资深技术总监陈耀先生围绕《应用于GaN外延的MOCVD设备解决方案》，介绍面向GaN功率器件与Micro-LED的新型MOCVD平台。报告从温度场、流场设计及多区注入出发，结合自动化传片、原位清洁与关键部件优化，展示提升外延均匀性、缺陷控制和批次稳定性的技术路径，并通过8英寸外延工艺结果，呈现设备创新对材料质量和制造效率的支撑。

英诺赛科产品应用经理杜发达先生作《GaN在AI数据中心的应用进展》报告，围绕AI数据中心供电架构演进，介绍800V供电架构下的氮化镓电源解决方案。报告展示800V转50V全GaN方案及48V转12V多相降压方案，结合样机效率、开关损耗、散热与磁性元件设计，分析GaN高频特性在提升电源效率和功率密度方面的应用价值，呈现器件性能与系统设计协同优化的实践。

南京氮矽科技有限公司副总经理刘家才先生围绕议程主题《GaN栅极驱动器与封装方案》，以氮化镓驱动技术与封装协同为重点展开分享。针对高速开关中的栅压过冲、振铃及误导通风险，报告分析器件结构、驱动参数与寄生效应之间的关系，介绍专用驱动、预驱接口兼容及驱动合封等方案。他提出从实际应用波形出发确定驱动指标，通过封装、布局与功率回路协同优化，在系统中验证开关行为与运行稳定性。

深圳平湖实验室GaN首席科学家David Zhou先生带来《面向算力中心供电的8英寸15V-1200V功率GaN研究进展》报告，介绍8英寸功率GaN器件与集成技术平台，分享不同电压等级器件的研发、性能与可靠性验证进展，其中1200V硅基GaN器件展示了元胞级验证结果。报告同时介绍GaN-on-SiC技术探索，以及科研中试、分析检测、设计仿真和多项目晶圆（MPW）服务能力，展现深圳平湖实验室对技术研发、中试验证与成果转化的支撑。

西安众力为半导体科技有限公司总经理罗景涛先生作《GaN HEMT器件动态测试技术研究》报告，分析高速开关条件下寄生电感、栅极过冲振铃及测量系统误差对测试结果的影响。报告围绕PCB布局、被测器件连接、栅极电阻匹配及测量校准，分享提升动态参数测试准确性的方法，并结合双脉冲、多脉冲、动态导通电阻及动态高温工作寿命测试案例，探讨如何为GaN器件性能评价与可靠性验证提供更准确的依据。