已售罄!多家存储原厂披露长单进展

全球半导体观察 2026-11-03 13:03


AI服务器带来的存储需求持续释放,长周期供货协议正在影响存储供给格局。


近期铠侠、SK海力士、长鑫科技、三星、美光陆续在业绩沟通中披露远期产能安排,其中铠侠官宣2027年NAND产能全部售罄,三星锁定2027年HBM产能,多家厂商的服务器存储长协订单取得明显进展。


铠侠在2026财年第二财季财报电话会议上对外披露,公司2027年全部NAND闪存芯片产能已经售罄。本轮AI算力拉动数据中心存储需求上行,企业级NAND订单能见度持续拉长,铠侠也成为近期率先官宣次年全年产能全部锁定的NAND原厂。


本次财报对应的统计区间为7月至9月。财报数据显示,铠侠当期营收2.48万亿日元,同比增长453.2%,环比增长40.3%,该单季营收规模已经超过2025财年全年2.34万亿日元的营收水平。调整后营业利润1.9883万亿日元,同比增长2181.1%,环比增长49.9%,调整后营业利润率达到80.2%。业务结构上,SSD及存储业务营收1.616万亿日元,占总营收约65%,该板块收入主要由数据中心、企业存储客户贡献。


铠侠管理层表示,2027年规划内全部产能配额,均已通过长期供货协议被下游客户提前锁定。这也是铠侠首次在财报电话会确认下一年度产能提前售罄。除2027年产能完成锁定之外,2028年超过50%的产能也已经拿到客户确定性采购承诺,公司已经启动与客户洽谈2029年至2030年的供货安排。


从订单结构来看,数据中心、企业级存储是拉动本轮产能紧缺的核心板块,AI推理缓存、高容量QLC SSD需求持续增长,支撑企业端NAND采购量走高。车载存储订单保持平稳,而手机、PC对应的消费类NAND需求偏弱,铠侠方面认为,数据中心板块的旺盛需求,可以对冲消费级市场的疲软态势。


产能规划方面,铠侠此前公布北上工厂Fab3厂房扩建计划,新厂房定位生产3D NAND闪存,计划2029财年投产,属于中长期扩产布局。



多家存储原厂同步披露长单进展


铠侠本次锁定的是NAND闪存产能,而在DRAM与HBM赛道,SK海力士、长鑫科技、三星电子等多家存储厂商也在同期业绩沟通中披露长单推进情况。


SK海力士在2026年10月底的三季度业绩交流会上,披露DRAM与HBM板块的长单进展。公司表示,结合已签约长协以及正在磋商的客户订单,DRAM、HBM对应的产能排期实质上近乎售罄至2029年,客户申报的采购需求规模达到现有供给能力的两倍以上。


目前SK海力士已经和14家头部客户签订长期供货协议,长协覆盖2027、2028年超过50%产能。技术与产品层面,HBM4已于三季度进入量产,公司预计第四季度HBM4营收占比将超过HBM3E。


10月30日,长鑫科技召开2026年第三季度业绩说明会,同步披露服务器DRAM订单与产能预订情况。管理层介绍,2027年相关主力产品产能已收到客户预订,服务器DDR5当前处于供不应求状态,长协对接工作有序推进,已和多家头部客户磋商长期供货安排。


财报数据显示,截至9月末,公司合同负债70.36亿元,较2025年末4.47亿元增长近15倍,该款项主要为客户预付的产能锁定资金。本次交流会同时确认,第六代DRAM工艺平台完成工程样片验证,后续将配合客户需求推进导入;公司预计2026年第四季度毛利率维持稳定。


三星电子在同期财报电话会中,区分了不同品类的产能锁定节奏。三星管理层确认2027年HBM产能已经全部售罄。


据其披露,存储业务已经和10家客户签署长期供货协议,另有10家客户正在洽谈多年合约,目标通过长协锁定60%至70%的存储产能。标准DRAM、消费级NAND仍以常规订单分配模式运行。


美光在业绩会上也表示2027年超过75%产能已完成分配,剩余产能将根据客户需求动态调整。不过有产业消息称美光2027年DRAM、HBM产能已经完成分配。



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