SRAM没过，日本2nm芯片量产延期

电子发烧友网综合报道根据外媒的最新报道，由日本政府重金扶持的晶圆代工初创公司 Rapidus，至今尚未成功制造出可正常工作的 SRAM 存储单元。而按照内部路线图，这一验证节点本应在 2026 年夏季之前完成，否则无法保证 2028 年 3 月前实现 2nm 量产。节点失守，意味着项目进度至少落后数月。

知情人士透露，Rapidus 的工程师团队目前正承受着加速追赶的巨大压力。

要理解 SRAM 节点的分量，需要先厘清它在一颗芯片中的位置。SRAM 是现代处理器内部缓存的核心组成部分，承担高速数据暂存功能。一颗先进处理器可能集成数亿个 SRAM 存储单元，每个单元由多个晶体管构成，必须在极小的尺寸下维持精确的电气特性与稳定的读写能力。对于 2 纳米这种前沿工艺，SRAM 能否正常工作，实际上是检验制造工艺能否从 “能做出晶体管” 走向 “能做出完整芯片” 的分水岭。

这个门槛之所以艰难，是因为它对工艺提出了和单管演示完全不同的要求：

·一致性：单个晶体管做出符合预期的电气特性属于 “选优” 逻辑；数亿个 SRAM 单元，则要求同一片晶圆上的每一个单元都不能明显偏离指标，考验的是工艺方差管控能力。

·器件匹配：SRAM 单元内部的晶体管需要精密的驱动电流匹配，任何系统性偏移都会造成读写失效。

·良率：SRAM 属于单元密度最高的结构之一，对缺陷极度敏感；洁净室里的微粒管控问题，会在此处被成倍放大。

回顾 Rapidus 的对外叙事，项目节奏的变化脉络清晰可辨。

2022 年 8 月，丰田、索尼、NTT、软银等八家日本企业共同出资 73 亿日元成立 Rapidus，目标直指当时尚无任何厂商实现商用量产的 2 纳米制程。一家初创企业跳过过渡性成熟制程，直接冲击全球最先进工艺，这在半导体发展史上前所未有。

在此之前，项目进展一度高歌猛进：

·2023 年 9 月，位于北海道千岁市的 IIM‑1 工厂破土动工；

·2024 年 12 月，ASML 的 EUV 光刻机运抵千岁，被工程师称作一份 “迟到的圣诞礼物”；

·2025 年 4 月 1 日，试生产线如期启动，两百余台设备在两个半月内完成安装上线；

·2025 年 7 月 18 日，Rapidus 官宣完成 “IIM‑1 的 Soul Lot”—— 在千岁本地采用 2 纳米级 GAA 工艺制备出晶体管，电气特性符合预期。这在公司内部被视作研发取得决定性进展的标志性节点。

支撑上述进展的，是它与 IBM、比利时微电子研究中心 imec 的合作，以及数百名在 IBM 奥尔巴尼研发基地接受培训的日本工程师。Rapidus 高管后续回忆，团队刻意打破企业壁垒，将该项目命名为 “Titans”，让 Rapidus 与 IBM 的工程师混编组队协同开发。

但自 2025 年 7 月之后，对外公开披露的技术进展，大多集中在工艺设计套件（PDK）发布层面。晶体管原型和 SRAM 单元之间的鸿沟，本质就在于后者对工艺一致性、器件匹配度、良率的要求，远高于单管验证。

面对外界质疑，Rapidus 发言人给出了标准口径回应：公司仍全力推进在 2027 财年下半年（2027 年 10 月至 2028 年 3 月）启动量产的目标，技术开发细节属于机密信息。日本经济产业大臣赤泽亮正在 10 月的表态则更偏向政治承诺：鉴于尖端芯片对日本经济安全的重要意义，政府准备持续扶持 Rapidus，直至其具备财务自立能力。

SRAM没过，日本2nm芯片量产延期图1

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