三星电子已开始投资下一代DRAM设施。此次投资将专注于10纳米级第六代DRAM“D1c”的量产。三星电子副董事长全永铉亲自负责该产品的开发，并将公司资源集中投入其中。值得注意的是，D1c将用于下一代高带宽存储器HBM4，这与HBM竞争力的恢复直接相关。这似乎是三星重夺存储器业务地位的重要一步。
据业内人士8月6日透露，三星电子已开始下达用于建设D1c生产线的半导体设备采购订单。包括用于半导体晶圆热处理的退火设备在内的部分设备已下达订单，该公司正在与合作伙伴商谈用于形成晶圆薄膜的沉积设备的采购规模。据了解，该公司正在遴选基于D1c的半导体芯片封装设备的供应商。一位知情人士表示：“三星电子正在争取同时获得多份D1c量产订单”，并补充道：“将在多家晶圆厂建立生产线。”
D1c是一款电路线宽为11-12纳米的DRAM。三星电子近期完成了D1c的开发，并完成了量产的生产审批程序（PRA）。D1c还将用于HBM4，HBM4计划于今年年底投产。这被解读为先建立D1c生产线，再进行HBM4量产。
此次投资将与现有生产线的改造（即所谓的“技术迁移”）和新生产线的建设同时进行。据报道，位于平泽2号和3号工厂（P2和P3）的现有D1x、D1y和D1z生产线将转换为D1c生产线。平泽4号工厂（P4）也将进行新的投资。新产线建设期间，现有设备将被迁移，新购设备也将投入使用。
业内人士预测，此次投资将使三星电子的D1c月产能达到15万至20万片晶圆，到明年上半年将达到这一水平。这超过了三星电子在2022年半导体热潮期间投资的产能（约13万片晶圆），彰显了其致力于建立D1c量产体系的决心。
D1c是三星为重塑DRAM竞争力而精心研发的产品，也是决定下一代HBM市场成败的战略性产品。在落后于SK海力士和美光之后，三星电子一直难以向领先的AI半导体制造商NVIDIA供货，如今正寻求凭借HBM4扭转局面。
尽管仍然存在诸多障碍，包括量产产品的实际性能和客户认可，但三星电子似乎对D1c的性能充满信心，并正在准备大规模投资。这体现了三星重夺HBM4市场领导地位的决心。
三星电子对下一代DRAM的投资预计将对下游产业产生积极影响。这是因为三星电子此前因业绩下滑而推迟了投资计划，而此次投资的重启也带来了积极影响。
一位半导体设备行业人士表示：“与D1c投资相关的设备订单不仅在平泽工厂，也在负责封装的华城和天安工厂进行洽谈。预计三星电子将带来利好。”
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