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TOLL和DFN封装CoolGaN™ 650V
G5第五代氮化镓功率晶体管
第五代CoolGaN™ 650V G5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效，符合业界最高质量标准，助力打造兼具超高效率与卓越可靠性的设计方案。该系列产品现已新增采用底部冷却技术的TOLL和DFN封装，其创新设计可降低各类工业及消费电子应用中的功率损耗。
产品型号：
■ IGT65R025D2ATMA1
■ IGT65R035D2ATMA1
■ IGT65R045D2ATMA1
■ IGT65R055D2ATMA1
■ IGT65R140D2ATMA1
■ IGLD65R055D2AUMA1
■ IGLD65R080D2AUMA1
■ IGLD65R110D2AUMA1
■ IGLD65R140D2AUMA1
产品特点
650V增强型功率晶体管
超快开关速度
无反向恢复电荷
支持反向导通
低栅极电荷与低输出电荷
卓越的换向鲁棒性
动态导通电阻（RDS(on)）极低
高ESD防护能力：2kV人体放电模型（HBM）-1kV元件充电模型（CDM）
底部散热封装
通过JEDEC认证（JESD47/JESD22标准）
应用价值
支持高频工作模式
实现系统最高能效
赋能超高功率密度设计
降低BOM成本
应用领域
电信基础设施AC-DC电源转换
计算和数据存储
电动汽车充电系统
工业电源
光伏
变流器
USB-C转换器与充电器
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