Q2，存储芯片市场是炙热的。
在今年第二季度的第一天，也就是 4 月 1 日开始，存储芯片的涨价信号正式释放。市场此前的消极、低迷情绪随之改变。
受原厂减产推动，其价格持续上行。NAND芯片价格开始回温，DDR4价格一涨再涨，HBM市场的竞争也步入白热化。
市场的热度，正通过 SK 海力士、三星和美光这三大存储公司的二季度财报具体呈现。与此同时，本轮市场行情的最大赢家也逐步清晰。
01SK海力士Q2营业收入为22.232万亿韩元（约161.7亿美元）,同比增长35%，营业利润为9.2129万亿韩元，同比暴涨69%，净利润为6.9962万亿韩元，同比增长70%。该季度SK海力士营收与营业利润均创下季度业绩历史新高。
此前Counterpoint 高级研究员 Choi Jeong-ku 曾表示：“SK 海力士在 2023 年第一季度遭遇了史上最大季度亏损和减产的痛苦，但随着 2024 年第一季度实现了 HBM3E 的全球首次量产，开启了强劲的上升势头。SK 海力士在 2025 年第一季度首次创下了 DRAM 市场销售额全球第一的纪录，并在 2025 年第二季度与三星争夺整体存储市场第一的位置。”
如今，这一答案已然揭晓。在Q1取得里程碑式成绩后，Q2 SK海力士首次在全球存储市场销售中超越三星。
三星也于7月最后一天公布了Q2财报。不同于SK海力士的一路高涨，三星这边却寒意正浓。
三星Q2营收为74.6万亿韩元(约合536.5亿美元)，环比减少6%，同比增长1%；经营利润4.7万亿韩元(约合33.8亿美元)，环比减少30%，同比大减56%；净利润5.1万亿韩元(约合36.7亿美元)，环比减少38%，同比减少48%。
具体业务方面，三星电子Q2存储营收为21.2万亿韩元(约合152.5亿美元)，环比增长11%，同比减少3%。存储业务所在的DS部门Q2营收27.9万亿韩元(约合200.7亿美元)，环比增长11%，同比减少2%，经营利润为0.4万亿韩元(约合2.9亿美元)，环比减少64%，同比减少94%，为近六季以来首度跌破万亿韩元大关。
美光2025财年第三财季财报（截至2025年5月29日）显示，该季度营收为93.01亿美元，环比增长15.5%，同比增长36.6%；调整后运营收益24.9亿美元，同比增长62%；净利润为18.85亿美元，环比增长19%，同比暴增468%。
02在存储芯片市场HBM是当之无愧的香饽饽，但是令人意外的是，DDR4也在上季度卷入这场热潮。
DDR4，缺货仍严重
5月起，DDR4开始供需失衡，7月底缺货情形达到新的高峰，价格明显上涨。DDR4迅速涨价，是因为此前占据该系列产品全球市场份额约95%的三星、SK海力士、美光三大存储巨头宣布加速淡出DDR4产能，引发市场恐慌性备货。
而这三大原厂计划退出DDR4市场是因为计划将产能向高端产品，比如HBM3E等产品倾斜。要知道HBM3E毛利率超60%，是DDR4的3倍以上，随着AI服务器需求持续火爆，HBM3E有望带来更可观的收入。
当前 DDR4 报价已高于更高规格的 DDR5，出现 “价格倒挂” 现象，业界人士直言 “DDR4 现货价超过新一代 DDR5 的奇观已十年未见”。
尽管巨头们退场，但DDR4在多个领域仍有着庞大的需求。2024年，全球DRAM市场规模约973亿美元，DDR4占比40%，约389亿美元。在利基细分市场，全球规模约95.7亿美元，中国占据60%份额。其中，车用领域ADAS、车载娱乐系统需求稳定，2024年全球车用DRAM市场规模约35亿美元，DDR4占比超70%；工业领域智能制造设备、工业机器人需求刚性，市场规模约28亿美元，DDR4占比超80%。
巨头退出后，全球DDR4有效供给预计下降50%-60%，消费电子领域降幅超70%，不过车用、工业领域因保留供应，降幅约20%-30%。
那么为什么下游客户不趁此机会转向DDR5？这是因为在成本考量中，尽管DDR5是未来趋势，但在工业控制、安防监控、电视机顶盒等对性能要求不高、但对稳定性和兼容性要求极高的利基市场，DDR4仍是更具性价比的选择。
市场分析指出，7月底是DDR4缺货最严峻的时期，此后供需缺口将逐步收敛。但DDR4需求走低可能要等到2026年——预计2025年下半年至2026年上半年，部分应用仍将持续消耗DDR4库存，真正大规模转向DDR5或需等到2026年下半年。
随着DDR4价格的持续走高，这些芯片龙头似乎也有些“坐不住”了。最新市场报告显示，主要的韩国制造商可能会放缓DDR4的停产计划。
一些内存模块供应商透露，SK海力士在停产态度上略有软化，最终订单的截止日期可能延长至2026年第四季度。
三星已讨论通过2026年第二季度延长使用1z和1a工艺节点的DDR4晶圆供应。然而，三星电子拒绝就生产计划传闻发表评论。
HBM订单，抢得眼红
HBM作为一款高收益+高需求的产品，没有一家存储公司看着不眼馋。然而，市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，在当前的HBM市场中，单单是SK海力士一家就包揽了62%的出货份额，而三星的市场份额仅为17%。
SK海力士与三星的增长轨迹在2024年上半年开始明显分化，至于分化的原因，还要从HBM3的量产开始。
由于HBM3开发进度领先于竞争对手，之前很长一段时间内，SK海力士都是英伟达HBM的独家供应商。虽说之后英伟达将另外两大存储芯片原厂也纳入了HBM供应商名单，但SK海力士仍占据重要地位。
随后在2024年3月，SK海力士宣布成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E，并在3月末开始向客户供货。相比之下，三星虽推出HBM3E 产品，但因未获英伟达认证，HBM 销售额占DRAM收入较低。
于是由HBM3E带来的丰厚收益大都被SK海力士收入囊中。单单是2024年上半年，SK海力士的HBM销售额就增长了250%以上。
尽管已经输掉了第一场竞争，但三星已在第二轮竞争中卯足力气。
如今三星押注其 12 层 HBM3E 向 SK 海力士展开正面竞争。据韩媒报道，12层HBM3E是利用硅通孔（TSV）技术将DRAM存储芯片堆叠到12层，这也成为下半年AI半导体市场重要战场。
三星表示HBM3E可望于第三季获得英伟达认证并开始出货，待相关程序完成后，将可望量产供货。SK海力士也加入竞争行列，准备第三季量产12层HBM3E产品。据报道，SK海力士目前向英伟达供应之前的8层HBM3E，但尚未收到12层版本的验证申请。
不过，仅仅是12层HBM3E通过英伟达认证还远远不够，毕竟在HBM这条道路上，SK海力士已占尽先机。
据悉，为应对HBM需求激增，SK海力士正筹备在清州M15工厂增设HBM专用后工序产线，这是该工厂第二次增设HBM后工序产线。此前，SK海力士已在M15建立HBM硅通孔（TSV）加工产线。
除了上述三家存储芯片龙头外，近日几家国产存储芯片公司也拿出今年上半年的答卷。
03DDR4爆火之际，国产存储芯片公司也有了“可乘之机”。
兆易创新的19nm DDR4芯片受到了工控客户的抢购，澜起科技DDR4内存接口芯片需求激增。江波龙旗下Lexar品牌的DDR4内存条覆盖消费级和企业级市场。德明利也提供DDR3、DDR4存储等等。
近日，澜起科技和德明利均公布了Q2业绩预告，一起看看Q2存储市场的火热是否在这些公司的财报中得到体现？
7月14日，澜起科技披露业绩预告，公司预计2025年上半年实现营业收入26.33亿元，较上年同期增长约58.17%，扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润约为10.30亿元至11.20亿元，较上年同期增长约89.17%至105.71%。
这份亮眼财报的背后是全球AI浪潮下澜起科技核心产品DDR5内存接口及模组配套芯片出货量显著增长，且第二子代和第三子代RCD芯片出货量占比增加，推动公司内存接口及模组配套芯片销售收入大幅增长。
7月9日晚间，德明利发布2025年上半年业绩预告，公司预计上半年实现营业收入约38亿元至42亿元，同比增长74.63%至93.01%，归母净利润预计为-8000万元至-12000万元。
公告显示，报告期内德明利营收同比大幅增长，主要得益于存储芯片市场供需结构的持续改善及公司高端产品布局成效的持续释放。其中2025年Q2营收规模增速亮眼，预计实现营业收入25.48亿元至29.48亿元，同比增幅超过86.67%。
在半导体产业周期性波动与地缘政治因素交织影响下，Q2存储器市场呈现超预期反弹态势。TrendForce集邦咨询此前数据显示，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。
此外，TrendForce还公布了NAND Flash在今年Q3的价格走势，数据显示，Q3 NAND Flash合约价环比增长5%至10%。
不过，仍需重视的是尽管国际大厂的退出让出了市场空间，但本土厂商依然面临许多现实挑战。比如，目前国内企业与国际巨头在 HBM以及最先进的DRAM制程等高性能存储领域，仍存在一定差距。
