存储器是集成电路重要组成部分,第三方模组厂聚焦广泛细分市场

思瀚产业研究院 2025-08-28 12:00

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1、存储器是数字信息的载体,是集成电路的重要组成部分

存储器是数字信息的载体,是 IT 基础设施三大核心板块之一。半导体存储器也叫存储芯片,是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件,其存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。它是电子系统中存储和计算数据的载体,是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。

据忆恒创源招股说明书,IT基础设施总体分为计算、存储和通信三大板块,分别以处理器、存储器、交换机/路由器等为核心产品。数字经济的发展与 IT 基础设施产业互为表里、相辅相成,而存储板块在数字经济的发展中具备先导性和需求刚性,数字经济规模的高速增长推动存储行业蓬勃发展。

存储器构成集成电路的重要组成部分。市场规模方面,据WSTS,2024 年全球半导体市场规模为 6305.49 亿美元,同比增长 19.7%,其中集成电路市场规模为5395.05亿美元,占比达 85.6%。存储器作为集成电路重要分支,2024 年市场规模为1655.16亿美元,同比增长 79.3%,占集成电路比重达 30.68%。

存储器分类:易失性存储、非易失性存储。按照是否需要持续通电以维持数据,半导体存储器可分为易失性存储和非易失性存储。其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM);非易失性存储器主要包括可编程只读存储器(PROM),闪存存储器(Flash)和可擦除可编程只读寄存器(EPROM/EEPROM)等。

易失性存储:主要指随机存取存储器(RAM),需要维持通电以临时保存数据供主系统 CPU 读写和处理。由于 RAM 可以实现对数据的高速读写,因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

RAM 根据是否需要周期性刷新以维持数据存储,进一步分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。动态随机存取存储器(DRAM)需要在维持通电的同时,通过周期性刷新来维持数据,故称“动态”存储器。DRAM 结构简单,因此单位面积的存储密度显著高于 SRAM,但访问速度慢于 SRAM;此外,由于DRAM 需要周期性刷新以维持正确的数据,因此功耗较 SRAM 更高。DRAM 作为一种高密度的易失性存储器,主要用作 CPU 处理数据的临时存储装置,广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。

非易失性存储:主要指只读存储器(ROM),无需持续通电亦能长久保存数据。早期的 ROM 产品信息首次写入后即固定下来,以非破坏性读出方式工作,只能读出而无法修改或再次写入信息,故称“只读”存储器。ROM 经过不断演变发展,经过掩膜只读存储器(MaskROM)、可编程只读存储器(PROM)、可编程可擦除只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flash)等阶段,已经突破原有的“只读”限制。Flash 则主要包括 NAND Flash 和NOR Flash。

存储器市场结构:DRAM、NAND 占据主流。Yole 指出,在经历2022—2023 年周期低谷后,2024 年存储行业进入强劲复苏阶段,全年内存收入达到1700 亿美元,创历史新高,主要驱动力来自数据中心的 AI 训练需求。从占比来看,2024 年全球DRAM销售额达到约 970 亿美元,占比约为 57.06%,NAND 销售额为680 亿美元,占比约40.00%,NOR Flash 销售额为约 29 亿美元,占比约 1.71%,其他类型存储(SRAM/FRAM,EEPROM等)合计销售额约 20 亿美元,占比约为 1.18%。由此可见,DRAM 与NOR Flash构成存储器行业的主要组成部分,合计占比超过 95%。

2、原厂推动技术迭代与标准制定,第三方模组聚焦广泛细分市场

存储器产业链情况:原厂掌握产业链核心技术,并推动技术迭代与标准制定。据江波龙招股说明书,存储器产业链从上至下分别为:晶圆厂、主控芯片、封装测试、存储模组与产品供应商、存储品牌商、下游具体应用场景等。其中,上游晶圆厂即存储“原厂”,是业内对具备自有晶圆制造能力的存储芯片厂商的通称,掌握核心颗粒(Die)的制造权,如三星、美光、海力士、长鑫存储等。

原厂拥有晶圆制造能力,掌握制程工艺、架构设计等核心技术,是存储芯片性能、寿命、功耗等指标的决定者,同时控制着行业最关键的产能资源。此外,原厂还推动行业技术迭代与标准制定,新一代存储技术(如 3D NAND 层数提升、DRAM 制程升级、接口标准变更)通常由原厂率先研发并量产,其强话语权决定了产业升级节奏和方向。

竞争格局:行业集中度极高,海外大厂掌握行业话语权。存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛,早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断累积市场优势,全球存储晶圆市场份额被韩、美、日等国家的少数企业主导。相比海外领先大厂,我国存储器相关产业起步较晚,尽管近年来在半导体产业政策和资本支持下,以长江存储、长鑫存储为代表的国内晶圆厂商在技术、产能方面实现突破,但市场份额与海外头部企业仍存在较大差距。

DRAM 方面,根据 CFM 闪存市场数据,在 AI 需求爆发与高价值产品渗透的双重推动下,2025年第二季度全球DRAM市场实现量价齐升,二季度市场规模环比增长20%至321.01亿美元,同比增长 37%,创历史季度新高。市场份额方面,行业市场份额从高到低依次为:SK 海力士(韩国,38.2%)、三星(韩国,33.5%)、美光(美国,22.0%)和南亚科(中国台湾,1.1%),行业前三市场份额合计达93.7%。

NAND Flash 方面,据 Trendforce,2025 年第一季度全球前五大NAND Flash品牌商合计实现营收 120.2 亿美元,合计市场份额达 91.3%。行业前五均为美、日、韩企业,市场份额从高到低依次为:三星(韩国,31.9%)、SK 集团(韩国,含海力士和SK思德,16.6%)、美光(美国,15.4%)、铠侠(日本,14.6%)和闪迪(美国,12.9%)。

商业模式:主要晶圆厂仍采用 IDM 模式运营,部分原厂向下游存储产品渗透。不同于逻辑芯片从 IDM 模式向产业链分工模式切换,半导体存储器由于布图设计与晶圆制造结合更为紧密,业内主要晶圆厂仍采用 IDM 模式运营。此外,由于存储晶圆标准化程度高,应用场景所需的功能在 NAND Flash 主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现,因此存储原厂完成晶圆制造后,仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。

存储原厂通过规模效应锁定大客户,保证产能的高效利用。作为存储产业链中下游,目前业内的存储模组厂商可分为大型 IDM 厂(即原厂)和第三方独立模组供应商。从服务客户类型来看,存储原厂掌握晶圆制造、设计和封测全流程,规模效应显著,主要覆盖大宗市场和大型客户,如智能手机、PC、服务器、数据中心等整机厂商或全球头部 OEM/ODM 客户,通过大批量出货来摊薄成本。由于这类客户出货规模巨大且产品标准化程度高,通常能与原厂形成长期稳定的采购与议价关系,保证原厂产能的高效利用。

第三方独立模组深耕广泛细分市场,满足中小客户定制化需求。相比大型存储原厂,第三方模组厂商缺乏晶圆制造能力,而是从三星、美光、SK 海力士等原厂采购DRAM/NAND 颗粒,再搭配主控芯片与 PCB 封装为标准化或定制化模组产品(如SSD、U盘、内存条等)。由于难以与原厂在大客户市场进行正面竞争,模组厂通常通过灵活的小批量、多品类产品切入市场,更多聚焦于消费电子配件、工控、安防、车载电子、渠道分销等细分领域,以满足下游细分客户充分且广泛的定制化需求。

第三方模组厂商的核心价值在于系统集成能力与良好的响应机制,而非底层制造。一般来说,原厂的性能与定位偏高端,客户数量有限但体量庞大,而模组厂虽然技术壁垒低于原厂,但需要备出色的 BOM 控制、颗粒筛选、固件调校与测试验证能力,以及较强的交付、品质与售后响应机制。总而言之,存储模组厂核心在于“颗粒之外”的增值,如系统集成、固件优化、产品化能力与交付服务,是典型的下游价值实现环节。

模组厂需从原厂采购晶圆,晶圆价格变动对公司盈利能力影响较大。由于第三方模组厂商并不自建晶圆厂,因此依赖原厂的产能与定价。以国内老牌存储模组龙头企业江波龙为例,据公司招股说明书,公司从全球及国内领先的晶圆原厂采购存储晶圆,从知名的存储主控厂商采购主控芯片,在采购完成原材料后,通过委外方式进行产品生产过程中所需的封装测试、组装加工等。从成本占比来看,存储晶圆成本占公司主营业务成本比重约 75%-80%,因此存储晶圆价格变动对毛利率影响较大。

模组厂的成本变化具有滞后性。在存储行业,模组厂商的产品单位成本变化通常滞后于产品的销售单价变化,主要原因在于晶圆采购到产品销售之间存在时间间隔。当存储价格上涨时,模组销售单价先于成本上升,模组企业的毛利率短期走高,价格下跌时则相反。由此可见,晶圆的价格波动会以一定时滞传导至成本端,形成模组厂盈利能力的周期性波动。

常见存储模组分类。据江波龙招股说明书,常见的存储模组可划分为闪存模组和内存条(DRAM 模组),其中闪存模组包括嵌入式存储、固态硬盘和移动存储等。

嵌入式存储:通常指内嵌于电子产品主系统内,具有嵌入式接口的半导体存储器,主要用于电子移动终端等低功耗场景,适合体积小、集成度高、功耗低等特点。

固态硬盘:也叫 SSD,是按照 JEDEC 有关接口标准制造的大容量NAND Flash存储器,通常包含控制单元(主控芯片)和存储单元(NAND Flash),有时亦会同时搭载DRAM提升读写速度,主要应用于电脑、服务器等需要大容量、高性能存储的场景。

移动存储:指 USB 闪存盘(“U 盘”)、存储卡及便携式移动固态硬盘等便携式移动存储器,主要应用于安防监控、车载应用、高清摄影、智能终端等领域。主要面向便携式存储需求,使用 NAND Flash,强调便携性和兼容性。

内存条(DRAM 模组):属于易失性存储,主要用作运行内存(RAM),断电时即丢失数据。以 DRAM 芯片为核心组成,应用于计算机、服务器的运行时数据存储,提高运行效率。具备高速访问、易失性、支持系统高速缓存和临时运算等特点。

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