包括三星电子和SK海力士在内的韩国主要半导体公司正在放缓今年下半年对先进NAND闪存的投资。这被认为是在需求不确定性高以及企业将重点放在DRAM和封装领域的情况下，对投资造成重大负担。韩国设备制造商也对国内产业持保守态度。
据业内人士8月20日透露，韩国主要半导体公司正在推迟或减少先进NAND闪存的设备投资计划。
三星电子自今年年初以来一直在对其位于平泽的P1工厂和位于西安的NAND工厂进行改造。其主要目标是将这些工厂目前量产的第6代和第7代NAND闪存转换为第8代和第9代闪存。这种改造投资比投资新建设备成本更低，而且效率更高，因为它允许对现有设备进行一些改造后再利用。
然而，先进NAND闪存的转换投资步伐近期有所放缓。P1工厂的第八代NAND迁移工作正在按计划推进，但原定于今年第二季度开始的第九代NAND迁移投资已被推迟。
西安晶圆厂的情况也类似。正在进行第八代迁移的X1产线的投资已接近尾声，而正在进行第九代迁移的X2产线则计划在今年第三季度每月仅投资5,000片晶圆。这是大规模生产内存产品所需的最低投资额。
一位半导体业内人士解释道：“三星电子计划在X2生产线上继续量产V6等老一代NAND，直到明年第一季度，因此至少要到明年年中才能全面过渡到第九代NAND。这是由于市场对先进NAND的需求低迷。”
对下一代NAND和技术的投资仍然保持保守。三星电子最初考虑在西安X2生产线上先行将混合键合技术应用于V9 NAND，但最近放弃了该计划。
混合键合是一种将芯片直接键合在一起的技术，无需传统芯片连接所需的凸块，从而提高性能和散热性能。三星电子计划将该技术应用于400层或更高层数的第十代（V10）NAND闪存的量产。预计V10量产的投资最早将于明年年中开始。
SK海力士目前也将大部分投资集中在尖端DRAM和HBM（高带宽存储器）上。鉴于V10 NAND的开发速度与三星电子相比较慢，因此短期内很难预期会有新的投资。
对此，SK海力士上个月在2025年第二季度收益电话会议上表示，“对于NAND，我们计划保持谨慎的投资方式和以盈利为中心的运营，并与前瞻性需求保持一致。”
