SK海力士正在暂停其在清州新建的M15X DRAM生产线的投资。该公司最初计划快速部署第六代10纳米级（1c）DRAM工艺，同时生产DDR5和HBM4E基础芯片，采取“双轨战略”。然而，由于HBM4E的全面量产被推迟至2026年之后，该公司正在调整战略，优先投资短期盈利能力更高的HBM生产。
据业内人士9月2日透露，M15X是SK海力士自2022年以来在清州建设的下一代DRAM专用晶圆厂。业内人士预测，它将成为1c工艺的关键枢纽，因为1c工艺不仅是通用DDR5和LPDDR5工艺，也是HBM4E基础芯片的核心基础。基础芯片是高带宽存储器 (HBM) 性能的“大脑”，向 1c 的过渡直接关系到海力士能否保持其 HBM 领域的领先地位。
然而，时间表已然成为变数。由于全球客户的认证和良率稳定进程慢于预期，HBM4e 的量产已推迟至 2026 年。这意味着，即使 M15X 能够迅速部署到专用的 1c 产线上，其收入贡献暂时也会很低。相比之下，现有的 1b 型 HBM 芯片可能会在 AI 服务器需求不断增长的推动下，迅速提升利润。一位业内人士评论道：“鉴于 HBM4E 已确认延期，调整 M15X 的速度已是必然。短期内，利用 1b 型 HBM 芯片实现盈利最大化是明智之举。”
值得注意的是，实际市场趋势也印证了 SK 海力士的评估。随着NVIDIA和AMD等主要AI芯片客户对HBM3E的需求激增，海力士发现仅凭现有生产线难以应对。目前，海力士在HBM3E市场的份额超过60%，实际上垄断了NVIDIA的供应链。将新资源集中到基于1b的HBM上，以最大化短期盈利能力是唯一的战略选择。
即使是为了维护短期业绩，专注于HBM也至关重要。全球DRAM通用市场的需求复苏仍然有限，电动汽车和移动设备等通用存储器市场的增长率仍保持在个位数。相比之下，受AI服务器和数据中心需求驱动的HBM市场每年增长超过40-50%。对于SK海力士而言，将资源投入HBM而非通用DRAM的效率更高。
然而，1c 是 DDR5 和 LPDDR5 等通用产品以及 HBM4E 基础芯片的核心技术。因此，保持与三星电子和美光的长期竞争力至关重要。与其仓促扩建生产线，不如从风险管理的角度，在监控客户认证和良率验证结果的同时，逐步扩大产量。
一位内存行业人士表示：“HBM4E 的延迟让海力士在短期内保持了谨慎的投资前景，但从中长期来看，技术差距缩小的风险也不容忽视。” 他补充道：“最终，海力士全面扩建 1c 将成为 HBM4E 竞争格局的分水岭。”
M15X是SK海力士投资20万亿韩元(约合1026亿元人民币)建设的大型晶圆厂,占地面积约6万平方米。
